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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
1N5406BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5406BULK 0.1800
सराय
ECAD 26 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5406BULK 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 950 mV @ 3 ए 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 28PF @ 4V, 1MHz
1N4735ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4735ABULK 0.1800
सराय
ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4735ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 6.2 वी 2 ओम
1N4741T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741T/R 0.0600
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4741T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 8.4 V 11 वी 8 ओम
RBV1004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1004 1.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV1004 8541.10.0000 100 1 वी @ 5 ए 10 µA @ 400 V 10 ए सिंगल फेज़ 400 वी
RBV2508 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2508 1.7400
सराय
ECAD 700 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV2508 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µa @ 800 V 25 ए सिंगल फेज़ 800 वी
RBV804 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV804 1.2800
सराय
ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV804 8541.10.0000 100 1 वी @ 4 ए 10 µA @ 400 V 8 ए सिंगल फेज़ 400 वी
1N4743T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743T/R 0.0500
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4743T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 9.9 V 13 वी 10 ओम
BR600 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR600 0.7300
सराय
ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-6 तमाम बी rur -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR600 8541.10.0000 200 1 वी @ 3 ए 10 µa @ 50 वी 6 ए सिंगल फेज़ 50 वी
BR5006 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5006 4.0000
सराय
ECAD 300 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR5006 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 25 ए 10 µA @ 600 V 50 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BR801 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR801 1.3500
सराय
ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, BR-10 तमाम BR-10 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR801 8541.10.0000 200 1 वी @ 4 ए 10 µA @ 100 वी 8 ए सिंगल फेज़ 100 वी
1N4005T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4005T/R 0.0300
सराय
ECAD 75 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4005T/RTR 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N5243BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5243BULK 0.1800
सराय
ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5243BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए ५०० सवार @ ९। ९। 13 वी 13 ओम
RBV2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2502 1.5900
सराय
ECAD 500 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV2502 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µa @ 200 वी 25 ए सिंगल फेज़ 200 वी
1N5353BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5353BULK 0.3900
सराय
ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5353BULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए 1 .A @ 12.2 वी 16 वी 2.5 ओम
1N4756AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756AT/R 0.0600
सराय
ECAD 30 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4756AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 35.8 V 47 वी 80 ओम
1N751ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N751ABULK 0.2100
सराय
ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N751ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 1 वी 5.1 वी 17 ओम
1N5361BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5361BULK 0.3800
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5361BULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए ५०० पायल @ २०.६ सिन्ट 27 वी 5 ओम
1N5242BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5242BULK 0.1800
सराय
ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5242BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 9.1 V 12 वी 30 ओम
1N4736ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736ABULK 0.1800
सराय
ECAD 13 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4736ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 4 वी 6.8 वी 3.5 ओम
1N5380BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5380BULK 0.3800
सराय
ECAD 6 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5380BULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 91.2 V 120 वी 170 ओम
RBV2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2504 1.7000
सराय
ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV2504 8541.10.0000 100 1.1 वी @ 12.5 ए 10 µA @ 400 V 25 ए सिंगल फेज़ 400 वी
1N5228BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5228BT/R 0.0400
सराय
ECAD 20 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5228BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 3.9 वी 23 ओम
1N5350BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5350BBULK 0.3600
सराय
ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5350BULK Ear99 8541.10.0050 500 1.2 वी @ 1 ए 1 µa @ 9.9 V 13 वी 2.5 ओम
1N5242BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5242BT/R 0.0400
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5242BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 9.1 V 12 वी 30 ओम
1N4937T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4937T/R 0.0400
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4937 तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4937T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.2 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N4749AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749AT/R 0.0400
सराय
ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4749AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 18.2 V 24 वी 25 ओम
FR301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR301BULK 0.2100
सराय
ECAD 7 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR301BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
1N5360B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360B 0.1150
सराय
ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कड़ा शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5360B 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए ५०० सना 25 वी 4 ओम
1N4004BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4004BULK 0.0900
सराय
ECAD 38 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4004BULK 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N4755AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4755AT/R 0.0600
सराय
ECAD 15 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4755AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 @a @ 32.7 V 43 वी 70 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम