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स्याह (453)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
KBP206 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP206 0.8500
सराय
 ECAD 19 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपी तमाम KBP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-KBP206 8541.10.0000 100 1 वी @ 1 ए 10 µA @ 600 V 2 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BYD13KBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD13KBULK 0.2100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut कांपना Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BYD13KBULK 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.05 वी @ 1 ए 1 µA @ 800 V 175 ° C 1.4 ए -
BR5002 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5002 2.8900
सराय
 ECAD 850 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला 4-yrigh, BR-50 तमाम Rurir -50 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR5002 8541.10.0000 50 1.1 वी @ 25 ए 10 µa @ 200 वी 50 ए सिंगल फेज़ 200 वी
RBV606 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV606 1.1000
सराय
 ECAD 900 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -एसआईपी, पर -25 तमाम Rayrबीवी -25 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-RBV606 8541.10.0000 100 1 वी @ 3 ए 10 µA @ 600 V 6 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BR601 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR601 0.6800
सराय
 ECAD 800 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-6 तमाम बी rur -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BR601 8541.10.0000 200 1 वी @ 3 ए 10 µA @ 100 वी 6 ए सिंगल फेज़ 100 वी
FR101T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Fr101t/r 0.0400
सराय
 ECAD 35 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-FR101T/RTR 8541.10.0000 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
1N5239BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5239BT/R 0.0400
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5239BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 3 µa @ 7 वी 9.1 वी 10 ओम
1N5360BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360BT/R 0.1100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5360BT/RTR 8541.10.0000 3,000 1.2 वी @ 1 ए ५०० सना 25 वी 4 ओम
SF16-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. SF16-BULK 0.2200
सराय
 ECAD 16 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-SF16-BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.7 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
1N4742A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4742A 0.0510
सराय
 ECAD 15 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4742ATR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 9.1 V 12 वी 9 ओम
HER105BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her105bulk 0.2400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER105BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
HER306T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER306T/R 0.2000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-HER306T/RTR 8541.10.0000 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 3 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1N4745A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4745A 0.5750
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4745ATR 8541.10.0000 4,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 @a @ 12.2 V 16 वी 16 ओम
1N5242BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5242BULK 0.1800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5242BULK 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 9.1 V 12 वी 30 ओम
1N756AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N756AT/R 0.0300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N756AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 100 gay @ 1 वी 8.2 वी 8 ओम
SML4759A EIC SEMICONDUCTOR INC. Sml4759a 0.0462
सराय
 ECAD 30 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब SMA (DO-214AC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-SML4759ATR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 47.1 V 62 वी 125 ओम
1N4749AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749AT/R 0.0400
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4749AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 18.2 V 24 वी 25 ओम
1N4001 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4001 0.0240
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-1N4001 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
1N5350BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5350BBULK 0.3600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5350BULK Ear99 8541.10.0050 500 1.2 वी @ 1 ए 1 µa @ 9.9 V 13 वी 2.5 ओम
1N5341B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5341b 0.4360
सराय
 ECAD 24 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5341BTR 8541.10.0000 3,000 1.2 वी @ 1 ए 1 µa @ 3 वी 6.2 वी 1 ओम
1N5363BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5363BULK 0.4100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 5 डब DO-15 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5363BULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 1 ए 500 NA @ 22.8 V 30 वी 8 ओम
1N4741ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741ABULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4741ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 8.4 V 11 वी 8 ओम
1N4756AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756AT/R 0.0600
सराय
 ECAD 30 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4756AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 35.8 V 47 वी 80 ओम
1N4740A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4740A 0.1050
सराय
 ECAD 21 0.00000000 कांपोरी - कड़ा शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4740A 8541.10.0000 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 7.6 V 10 वी 7 ओम
1N4733ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4733ABULK 0.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N4733ABULK 8541.10.0000 500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 5.1 वी 7 ओम
1N5931AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5931AT/R 0.1000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1.5 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5931AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µA @ 13.7 V 18 वी 12 ओम
1N748AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N748AT/R 0.0300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 कांपोरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N748AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 3.9 वी 23 ओम
BA158BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Ba158bulk 0.2100
सराय
 ECAD 13 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-BA158BULK 8541.10.0000 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
BR610 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR610 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-yrigh, BR-6 तमाम बी rur -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) R अनु rur प r उपलबthaur तक तक तक 2439-BR610 8541.10.0000 200 1 वी @ 3 ए 10 µA @ 1000 V 6 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
1N5393 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5393 0.1800
सराय
 ECAD 60 0.00000000 कांपोरी - कसना शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut तमाम Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2439-1N5393 8541.10.0000 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

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