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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RBR5L30ATE25 Rohm Semiconductor RBR5L30ATE25 0.7000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR5L30 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 540 mV @ 5 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB550VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB550VM-40TE-17 0.3900
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB550 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 510 एमवी @ 200 एमए 40 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB168VWM-40TR Rohm Semiconductor RB168VWM-40TR 0.4600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 690 mV @ 1 ए ५०० सवार @ ४० वी 175 ° C 1 क -
RBR2L30ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR2L30ADDTE25 0.4800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR2L30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 2 ए 80 @a @ 30 वी 150 ° C 2 ए -
RFNL5TJ6SFHGC9 Rohm Semiconductor RFNL5TJ6SFHGC9 2.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFNL5 तमाम TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 5 ए 130 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 5 ए -
RBR5L30BDDTE25 Rohm Semiconductor RBR5L30BDDTE25 0.7800
सराय
 ECAD 12 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR5L30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 5 ए 150 µA @ 30 V 150 ° C 5 ए -
DAP202KT146 Rohm Semiconductor DAP202KT146 0.4100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DAP202 तमाम Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
EDZVFHT2R2.4B Rohm Semiconductor Edzvfht2r2.4b 0.3400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4.17% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 120 µA @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
RB160MM-30TR Rohm Semiconductor RB160MM-30TR 0.4300
सराय
 ECAD 21 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB160 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
UDZSTE-175.1B Rohm Semiconductor Udzste-175.1b 0.3900
सराय
 ECAD 290 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 1.5 वी 5.1 वी 80 ओम
DAN217WMTL Rohm Semiconductor Dan217wmtl 0.3800
सराय
 ECAD 38 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 Dan217 तमाम EMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
1SS400HRTE61 Rohm Semiconductor 1SS400HRTE61 -
सराय
 ECAD 3886 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-1SS400HRTE61TR शिर 3,000
RB050LAM-30TR Rohm Semiconductor RB050MALL-30TR 0.6900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB050 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 450 mV @ 3 ए 150 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RFN5TF8SC9 Rohm Semiconductor RFN5TF8SC9 1.5600
सराय
 ECAD 521 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFN5T तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFN5TF8SC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 2.1 वी @ 5 ए 40 एनएस 10 µa @ 800 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB168VYM-30FHTR Rohm Semiconductor RB168VYM-30FHTR 0.4300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 730 mV @ 1 ए 4.7 एनएस 300 पायल @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
EMP11FHT2R Rohm Semiconductor Emp11fht2r 0.1373
सराय
 ECAD 1895 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SOT-563, SOT-666 EMP11 तमाम EMD6 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB160MM-60TR Rohm Semiconductor RB160MM-60TR 0.4600
सराय
 ECAD 431 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB160 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 550 mV @ 1 ए 50 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
MTZJT-724.7B Rohm Semiconductor MTZJT-724.7B -
सराय
 ECAD 1708 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt724.7b Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 1 वी 4.7 वी 80 ओम
RB085BGE-90TL Rohm Semiconductor RB085BGE-90TL 0.8625
सराय
 ECAD 5775 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB085 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 5 ए 830 mV @ 5 ए 150 µA @ 90 V 150 ° C
RFN2LAM6STFTR Rohm Semiconductor RFN2LAM6STFTR 0.6100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RFN2LAME 6 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 1.5 ए 35 एनएस 1 @a @ 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
DA221MT2L Rohm Semiconductor DA221MT2L -
सराय
 ECAD 2867 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 DA221 तमाम VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 20 वी 100ma 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCS205KGC17 Rohm Semiconductor SCS205KGC17 5.8100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS205KGC17 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 100 µA @ 1200 वी 175 ° C 5 ए 270pf @ 1V, 1MHz
SCS240KE2AHRC Rohm Semiconductor SCS240KE2AHRC -
सराय
 ECAD 2858 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS240 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 360 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 20 ए (डीसी) 1.6 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CDZFHT2RA12B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra12b 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.09% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 पायल @ 9 वी 11.99 वी 30 ओम
TDZTR22 Rohm Semiconductor Tdztr22 0.1088
सराय
 ECAD 6622 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr22 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 16 वी 22 वी
RB168LAM100TR Rohm Semiconductor RB168LAME100TR 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 810 mV @ 1 ए ४०० पायल @ १०० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RSX501LAM-20TR Rohm Semiconductor Rsx501lam-20tr -
सराय
 ECAD 3561 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RSX501 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RSX501LAM-20TR Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 390 mV @ 3 ए 500 µA @ 20 वी 125 ° C 5 ए -
RBQ10BM65ATL Rohm Semiconductor RBQ10BM65ATL 0.5250
सराय
 ECAD 9180 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBQ10 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 65 वी 10 ए 690 mV @ 5 ए 150 µA @ 65 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
MTZJT-7715B Rohm Semiconductor MTZJT-7715B -
सराय
 ECAD 5311 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सवार @ ११ वी 15 वी 25 ओम
RBR3LAM40CTFTR Rohm Semiconductor RBR3LLAM40CTFTR 0.4600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr3alm40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
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AD9208BBPZ-3000

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