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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़सि तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
YDZVFHTR30 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr30 0.3600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Ydzvfhtr30 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 21 वी 30 वी
EDZFHTE6133B Rohm Semiconductor Edzfhte613333b -
सराय
 ECAD 5280 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFHTE6133BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB520CS-30T2R Rohm Semiconductor RB520CS-30T2R 0.1166
सराय
 ECAD 8912 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur Sod-923 RB520 schottky VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 450 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RFUH10TF6S Rohm Semiconductor RFUH10TF6S 0.8460
सराय
 ECAD 5215 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-2 Rfuh10 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
MTZJT-7715B Rohm Semiconductor MTZJT-7715B -
सराय
 ECAD 5311 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सवार @ ११ वी 15 वी 25 ओम
GDZT2R3.9 Rohm Semiconductor GDZT2R3.9 -
सराय
 ECAD 4742 0.00000000 रोटी जीडीजेड R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) Gdzt2r 100 तंग GMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 3.9 वी
EDZFHTE617.5B Rohm Semiconductor Edzfhte617.5b -
सराय
 ECAD 7733 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFHTE617.5BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RBR3MM60BTFTR Rohm Semiconductor RBR3MM60BTFTR 0.5000
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR3MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 610 mV @ 3 ए 120 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RB021VAM90TR Rohm Semiconductor RB021VAM90TR 0.3900
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB021 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 490 एमवी @ 200 एमए 900 µA @ 90 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
PTZTFTE2511B Rohm Semiconductor Ptztfte2511b 0.6100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.58% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 8 V 11.65 वी 8 ओम
CDZFHT2RA36B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra36b 0.4100
सराय
 ECAD 131 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gapa @ 27 वी 36.97 वी 300 ओम
RBR20BGE40ATL Rohm Semiconductor RBR20BGE40ATL 2.1800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR20 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 20 ए 550 mV @ 10 ए 360 µA @ 40 वी 150 ° C
RB168M150TR Rohm Semiconductor RB168M150TR 0.1884
सराय
 ECAD 3675 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RB168 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 840 mV @ 1 ए 20 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RFN10BGE6STL Rohm Semiconductor RFN10BGE6STL 1.6600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RFN10 तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 10 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 10 ए -
RB088LAM-60TR Rohm Semiconductor RB088LAM-60TR 0.6100
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 710 mV @ 5 ए 4 µA @ 60 V 150 ° C 5 ए -
RB088LAM-30TFTR Rohm Semiconductor RB088LAME-30TFTR 0.5300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 2.5 @a @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB080LAM-30TFTR Rohm Semiconductor RB080LAME-30TFTR 0.6600
सराय
 ECAD 220 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB080 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 150 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RR2L4STE25 Rohm Semiconductor RR2L4STE25 0.2587
सराय
 ECAD 7086 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RR2L4 तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 2 ए 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
DA204KT146 Rohm Semiconductor DA204KT146 0.4000
सराय
 ECAD 4466 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DA204 तमाम Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 20 वी 100ma 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB068MM-30TFTR Rohm Semiconductor RB068MM-30TFTR 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB068 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 700 एमवी @ 2 ए 800 पायल @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RBR5RSM40BTL1 Rohm Semiconductor RBR5RSM40BTL1 1.0600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 5 ए 120 µA @ 40 वी 150 ° C 5 ए -
TDZTR22 Rohm Semiconductor Tdztr22 0.1088
सराय
 ECAD 6622 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr22 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 16 वी 22 वी
RB160MM-30TR Rohm Semiconductor RB160MM-30TR 0.4300
सराय
 ECAD 21 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB160 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB060L-40DDTE25 Rohm Semiconductor RB060L-40DDTE25 0.6700
सराय
 ECAD 12 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB060 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 2 ए 1 पायल @ 40 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
1SS400CSFHT2RA Rohm Semiconductor 1SS400CSFHT2RA 0.4000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur Sod-923 1SS400 तमाम VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 500MV, 1MHz
RB068MM-60TR Rohm Semiconductor RB068MM-60TR 0.5200
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB068 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 765 mV @ 2 ए 1.5 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
PTZTE255.1B Rohm Semiconductor PTZTE255.1b 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE255.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µA @ 1 वी 5.4 वी 8 ओम
EDZVT2R3.9B Rohm Semiconductor Edzvt2r3.9b 0.2800
सराय
 ECAD 15 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
RB168MM150TFTR Rohm Semiconductor RB168MM150TFTR 0.4800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB168 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 840 mV @ 1 ए 4 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB050LA-407HETR Rohm Semiconductor RB050LA-407HETR -
सराय
 ECAD 1462 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB050LA-407HETR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 ° C 3 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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