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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़सि तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
MTZJT-7718C Rohm Semiconductor MTZJT-7718C -
सराय
 ECAD 3631 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सदाबहार @ १३ वी 18 वी 30 ओम
UDZSTE-1710B Rohm Semiconductor Udzste-1710b 0.0687
सराय
 ECAD 4553 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 7 वी 10 वी 30 ओम
RFN10B3STL Rohm Semiconductor RFN10B3STL -
सराय
 ECAD 7450 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RFN10 तमाम सीपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.5 वी @ 10 ए 30 एनएस 10 µA @ 350 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB521VM-40TE-17 0.3700
सराय
 ECAD 39 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB521 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 540 एमवी @ 200 एमए 90 µA @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB168L-40TE25 Rohm Semiconductor RB168L-40TE25 0.1092
सराय
 ECAD 9488 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 650 mV @ 1 ए 550 पायल @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RLZTE-1124C Rohm Semiconductor RLZTE-1124C -
सराय
 ECAD 4134 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1124 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सदाबहार @ वी वी 23.2 वी 35 ओम
RFUH10TF6S Rohm Semiconductor RFUH10TF6S 0.8460
सराय
 ECAD 5215 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-2 Rfuh10 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
RB168L-40TFTE25 Rohm Semiconductor RB168L-40TFTE25 0.4400
सराय
 ECAD 213 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 650 mV @ 1 ए 550 पायल @ 40 वी 150 ° C 1 क -
RB088LAM-30TFTR Rohm Semiconductor RB088LAME-30TFTR 0.5300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 2.5 @a @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
GDZ8EPT2R5.6 Rohm Semiconductor Gdz8ept2r5.6 -
सराय
 ECAD 8971 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-GDZ8EPT2R5.6TR Ear99 8541.10.0050 8,000
CDZVT2R7.5B Rohm Semiconductor Cdzvt2r7.5b 0.2700
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 30 ओम
UDZSTE-1720B Rohm Semiconductor UDZSTE-1720B 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 15 वी 20 वी 85 ओम
RF071L4STFTE25 Rohm Semiconductor RF071L4STFTE25 0.4700
सराय
 ECAD 550 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RF071 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 700 एमए 25 एनएस 10 µA @ 400 V 150 ° C 1 क -
MTZJT-772.4B Rohm Semiconductor MTZJT-772.4b -
सराय
 ECAD 7634 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt772.4b Ear99 8541.10.0050 5,000 2.4 वी
BZX84C15VLT116 Rohm Semiconductor BZX84C15VLT116 -
सराय
 ECAD 1718 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 10 वी 15 वी 30 ओम
GDZT2R7.5 Rohm Semiconductor GDZT2R7.5 0.3500
सराय
 ECAD 427 0.00000000 रोटी * कट कट टेप (सीटी) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000
RB495DFHT146 Rohm Semiconductor RB495DFHT146 0.5300
सराय
 ECAD 762 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB495 schottky Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 25 वी 400ma 500 एमवी @ 200 एमए 70 @a @ 25 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PDZVTR22A Rohm Semiconductor PDZVTR22A 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 PDZVTR22 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 17 वी 22.05 वी 14 ओम
RB481KFSTL Rohm Semiconductor RB481KFSTL 0.1517
सराय
 ECAD 7918 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-82A, SOT-343 RB481 schottky UMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 30 वी 200MA 500 एमवी @ 200 एमए 30 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
MTZJT-7720C Rohm Semiconductor MTZJT-7720C -
सराय
 ECAD 3252 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 200 सवार @ 15 वी 20 वी 30 ओम
EDZTE613.3B Rohm Semiconductor Edzte613.3b -
सराय
 ECAD 9070 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
SCS230AE2HRC Rohm Semiconductor SCS230AE2HRC -
सराय
 ECAD 6104 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS230 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 360 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 15 ए (डीसी) 1.55 वी @ 15 ए 300 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RF05VYM1SFHTR Rohm Semiconductor RF05VYM1SFHTR 0.3900
सराय
 ECAD 12 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RF05VYM1 तमाम TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 980 एमवी @ 500 एमए 25 एनएस 10 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RFU01SM4ST2R Rohm Semiconductor RFU01SM4ST2R 0.4300
सराय
 ECAD 134 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 Rfu01 तमाम EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 450 वी 1.8 वी @ 100 एमए 35 एनएस 10 µA @ 450 V 150 ° C 100ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
1SS355WTE-17 Rohm Semiconductor 1SS355WTE-17 -
सराय
 ECAD 9779 0.00000000 रोटी * थोक शिर 1SS355 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1
BZX84B8V2LYT116 Rohm Semiconductor BZX84B8V2LYT116 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.95% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 700 पायल @ 5 वी 8.2 वी 15 ओम
EDZVT2R11B Rohm Semiconductor Edzvt2r11b 0.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 30 ओम
RB095T-90NZC9 Rohm Semiconductor RB095T-90NZC9 2.0800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB095 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB095T-90NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 6 ए 750 एमवी @ 3 ए 150 µA @ 90 V 150 ° C
RB162L-40TE25 Rohm Semiconductor RB162L-40TE25 0.4100
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB162 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1 ए 500 µA @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
DAP222WMFHTL Rohm Semiconductor DAP222WMFHTL 0.3600
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-89, SOT-490 DAP222 तमाम EMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
  • Daily average RFQ Volume

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