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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
UDZVFHTE-172.4B Rohm Semiconductor Udzvfhte-172.4b 0.3500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 4.17% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
RBR2VWM60ATR Rohm Semiconductor RBR2VWM60ATR 0.5100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RBR2VWM schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 650 mV @ 2 ए 75 µA @ 60 V 150 ° C 2 ए -
RLR4004TE-21 Rohm Semiconductor RLR4004TE-21 -
सराय
 ECAD 9335 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLR4004 तमाम LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Q7165861F Ear99 8541.10.0080 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 800 एमए 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 800ma -
EDZVFHT2R27B Rohm Semiconductor Edzvfht2r27b 0.3400
सराय
 ECAD 15 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.48% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 kaga @ 21 वी 27 वी 150 ओम
RF071L4STFTE25 Rohm Semiconductor RF071L4STFTE25 0.4700
सराय
 ECAD 550 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RF071 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 700 एमए 25 एनएस 10 µA @ 400 V 150 ° C 1 क -
PDZVTR4.3B Rohm Semiconductor Pdzvtr4.3b 0.4500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.49% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr4.3 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 4.55 वी 15 ओम
MTZJT-727.5B Rohm Semiconductor MTZJT-727.5B -
सराय
 ECAD 4763 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt727.5b Ear99 8541.10.0050 5,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 20 ओम
RB168VAM-60TR Rohm Semiconductor RB168VAM-60TR 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 820 mV @ 1 ए 1 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
VDZT2R5.1B Rohm Semiconductor Vdzt2r5.1b -
सराय
 ECAD 3504 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2 @a @ 1.5 वी 5.1 वी 80 ओम
TFZTR4.3B Rohm Semiconductor Tfztr4.3b 0.0886
सराय
 ECAD 5449 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfztr4.3 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 4.3 वी
RFN10B3STL Rohm Semiconductor RFN10B3STL -
सराय
 ECAD 7450 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RFN10 तमाम सीपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.5 वी @ 10 ए 30 एनएस 10 µA @ 350 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
SCS240KE2AHRC Rohm Semiconductor SCS240KE2AHRC -
सराय
 ECAD 2858 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS240 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 360 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 20 ए (डीसी) 1.6 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CDZVT2R30B Rohm Semiconductor Cdzvt2r30b 0.2400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.5% 150 ° C सतह rurcur Sod-923 Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 kay @ 23 वी 30 वी 200 ओम
RFN10BM3STL Rohm Semiconductor RFN10BM3STL 1.3000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RFN10 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.5 वी @ 10 ए 30 एनएस 10 µA @ 350 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
MTZJT-7736B Rohm Semiconductor MTZJT-7736B -
सराय
 ECAD 6521 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सवार @ २ वी वी 36 वी 75 ओम
RB540VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB540VM-30TE-17 0.3700
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB540 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 450 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
SCS312AJTLL Rohm Semiconductor SCS312AJTLL 6.1200
सराय
 ECAD 849 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS312 Sic (सिलिकॉन antairchama) LPTL तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 12 ए 0 एनएस 60 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 12 ए 600pf @ 1V, 1MHz
RBQ3RSM65BTL1 Rohm Semiconductor Rbq3rsm65btl1 0.9000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 65 वी 570 mV @ 3 ए 90 @a @ 65 V 150 ° C 3 ए -
YDZVFHTR18 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr18 0.4000
सराय
 ECAD 236 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Ydzvfhtr18 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 वी 18 वी
RBR1LAM60ATR Rohm Semiconductor RBR1LAM60ATR 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 Rbr1lam60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 530 mV @ 1 ए 75 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB085B-90GTL Rohm Semiconductor RB085B-90GTL -
सराय
 ECAD 9420 0.00000000 रोटी * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 3,000
RBS3MM40BTR Rohm Semiconductor RBS3MM40BTR 0.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBS3MM40 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 3 ए 600 µA @ 20 वी 125 ° C 3 ए -
RFN2LAM6STFTR Rohm Semiconductor RFN2LAM6STFTR 0.6100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RFN2LAME 6 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 1.5 ए 35 एनएस 1 @a @ 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
EDZTE613.3B Rohm Semiconductor Edzte613.3b -
सराय
 ECAD 9070 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
RB168VYM-60FHTR Rohm Semiconductor RB168VYM-60FHTR 0.4300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 820 mV @ 1 ए 6.15 एनएस 1 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB160LAM-90TR Rohm Semiconductor RB160LAME-90TR 0.4000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB160 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 730 mV @ 1 ए 100 µa @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB530VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB530VM-40FHTE-17 0.3700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB530 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 690 एमवी @ 100 एमए 15 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RBQ10RSM65BTFTL1 Rohm Semiconductor RBQ10RSM65BTFTL1 1.3000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 65 वी 670 mV @ 10 ए 150 µA @ 65 V 150 ° C 10 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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