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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
PTZTE2513B Rohm Semiconductor PTZTE2513B 0.2014
सराय
 ECAD 1901 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2513 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 10 V 13.8 वी 10 ओम
RBR15BM30AFHTL Rohm Semiconductor RBR15BM30AFHTL 1.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR15 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 15 ए 510 mV @ 7.5 ए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RRE04EA4DFHTR Rohm Semiconductor RRE04EA4DFHTR 0.5000
सराय
 ECAD 57 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-23-5 पतली, TSOT-23-5 Rre04 तमाम TSMD5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 400 वी 400ma 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB050LAM-40TFTR Rohm Semiconductor RB050AML-40TFTR 0.6700
सराय
 ECAD 33 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB050 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
STZ6.2NFHT146 Rohm Semiconductor STZ6.2NFHT146 0.4600
सराय
 ECAD 305 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4.83% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Stz6.2 200 सभा Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 1 µa @ 3 वी 6.11 वी 60 ओम
RB088T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB088T-60NZC9 1.1500
सराय
 ECAD 920 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB088 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 10 ए 830 mV @ 5 ए 3 µa @ 60 V 150 ° C
RRE02VSM4STR Rohm Semiconductor RRE02VSM4STR 0.4700
सराय
 ECAD 20 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rre02 तमाम TUMD2SM तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
UFZVTE-173.6B Rohm Semiconductor UFZVTE-173.6b 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 60 ओम
EDZLDTE615.1B Rohm Semiconductor Edzldte615.1b -
सराय
 ECAD 8260 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzldt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZLDTE615.1BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
UFZVTE-1711B Rohm Semiconductor UFZVTE-1711b 0.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.77% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ वी वी 11 वी 10 ओम
RB088T150FH Rohm Semiconductor RB088T150FH -
सराय
 ECAD 5494 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB088 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 5 ए 880 mV @ 5 ए 15 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB051MS-2YTR Rohm Semiconductor RB051MS-2YTR -
सराय
 ECAD 9176 0.00000000 रोटी * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
UDZVFHTE-1743 Rohm Semiconductor UDZVFHTE-1743 0.3500
सराय
 ECAD 9689 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.81% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 33 वी 43 वी 550 ओम
RB205T-90NZC9 Rohm Semiconductor RB205T-90NZC9 2.6800
सराय
 ECAD 999 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB205 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB205T-90NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 15 ए 780 mV @ 7.5 ए 300 µA @ 90 V 150 ° C
RB068VWM-40TR Rohm Semiconductor RB068VWM-40TR 0.4800
सराय
 ECAD 2305 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB068 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 790 mV @ 2 ए ५०० सवार @ ४० वी 175 ° C 2 ए -
KDZVTFTR7.5B Rohm Semiconductor Kdzvtftr7.5b 0.4700
सराय
 ECAD 2361 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr7.5 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 4 वी 7.95 वी
BZX84B30VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B30VLYT116 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 21 वी 30 वी 80 ओम
RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor RBQ10NS45ATL 1.1600
सराय
 ECAD 150 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBQ10 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 650 एमवी @ 5 ए 70 µA @ 45 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UDZVTE-1730B Rohm Semiconductor UDZVTE-1730B 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kay @ 23 वी 30 वी 200 ओम
RF601BM2DFHTL Rohm Semiconductor RF601BM2DFHTL 1.1200
सराय
 ECAD 2885 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RF601 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 6 ए 930 mV @ 3 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84C27VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C27VLYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.04% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 सवार @ 19 वी 27 वी 80 ओम
SCS230AE2C Rohm Semiconductor SCS230AE2C -
सराय
 ECAD 5565 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS230 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 360 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 15 ए (डीसी) 1.55 वी @ 15 ए 300 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCS312AHGC9 Rohm Semiconductor SCS312AHGC9 6.9400
सराय
 ECAD 43 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS312 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220acp तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 60 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 12 ए 600pf @ 1V, 1MHz
MTZJT-724.3A Rohm Semiconductor MTZJT-724.3a -
सराय
 ECAD 5283 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt724.3a Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 100 ओम
DA221FHTL Rohm Semiconductor DA221FHTL 0.3800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 DA221 तमाम EMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 20 वी 100ma 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PTZTFTE2524B Rohm Semiconductor PTZTFTE2524B 0.6100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.98% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 19 वी 25.8 वी 16 ओम
RF05VA1STR Rohm Semiconductor RF05VA1STR 0.0983
सराय
 ECAD 3724 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-90, SOD-323F RF05VA1 तमाम TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 980 एमवी @ 500 एमए 25 एनएस 10 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RSAC6.8CST2RA Rohm Semiconductor RSAC6.8CST2RA 0.4500
सराय
 ECAD 16 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4% - सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsac6.8 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 30 V 7.02 वी
UDZVFHTE-173.9B Rohm Semiconductor UDZVFHTE-173.9b 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.46% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
RBR5LAM30ATR Rohm Semiconductor RBR5ALM30ATR 0.5400
सराय
 ECAD 16 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RBR5ALM30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 540 mV @ 5 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
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AD9208BBPZ-3000

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