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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RFN20TF6S Rohm Semiconductor RFN20TF6S 1.0005
सराय
ECAD 8648 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-2 RFN20 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 20 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
UFZVTE-1736B Rohm Semiconductor UFZVTE-1736B 0.3900
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.61% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ २ वी वी 34.12 वी 75 ओम
KDZTR3.9A Rohm Semiconductor Kdztr3.9a 0.1836
सराय
ECAD 5064 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur सोद -123F Kdztr3.9 1 डब पेडु - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 40 µA @ 1 वी 3.9 वी
1SS400GT2R Rohm Semiconductor 1SS400GT2R -
सराय
ECAD 5938 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-723 1SS400 तमाम VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 0.5V, 1MHz
PTZTE2536B Rohm Semiconductor PTZTE2536B 0.4300
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2536 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 27 V 39.2 वी 20 ओम
UFZVFHTE-174.7B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-174.7B 0.3100
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.78% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 4.7 वी 25 ओम
UFZVFHTE-174.3B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-174.3B 0.3100
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 3.16% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 40 ओम
RB085B-40TL Rohm Semiconductor RB085B-40TL -
सराय
ECAD 6496 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB085B-40 schottky सीपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 5 ए 550 एमवी @ 5 ए 200 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB050LAM-40TFTR Rohm Semiconductor RB050AML-40TFTR 0.6700
सराय
ECAD 33 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB050 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RFN20T2DNZC9 Rohm Semiconductor RFN20T2DNZC9 2.4300
सराय
ECAD 961 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RFN20 तमाम To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFN20T2DNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 10 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 ° C 20 ए -
TFZGTR3.6B Rohm Semiconductor Tfzgtr3.6b 0.0886
सराय
ECAD 9658 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr3.6 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 60 ओम
YFZVFHTR2.2B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr2.2b 0.4300
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4.1% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr2.2 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 700 एमवी 2.32 वी 120 ओम
RB168VAM100TR Rohm Semiconductor RB168VAM100TR 0.4200
सराय
ECAD 19 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 1 ए 300 पायल @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RBR2L40ATE25 Rohm Semiconductor RBR2L40ATE25 0.6000
सराय
ECAD 944 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR2L40 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 2 ए 80 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RLZTE-1118C Rohm Semiconductor RLZTE-1118C -
सराय
ECAD 3782 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सदाबहार @ १३ वी 17.3 वी 23 ओम
RB531SM-30FHT2R Rohm Semiconductor RB531SM-30FHT2R 0.3700
सराय
ECAD 32 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB531 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 350 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
UDZVFHTE-1743 Rohm Semiconductor UDZVFHTE-1743 0.3500
सराय
ECAD 9689 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.81% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 33 वी 43 वी 550 ओम
VMZT6.8NT2L Rohm Semiconductor Vmzt6.8nt2l -
सराय
ECAD 1346 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur एसओटी -723 Vmzt6.8 १५० तंग VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 जोड़ी आम एनोड 6.8 वी
BZX84C5V1LT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V1LT116 0.2300
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
BZX84C5V6LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V6LFHT116 -
सराय
ECAD 1314 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 7.14% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 40 ओम
KDZTFTR5.6B Rohm Semiconductor Kdztftr5.6b 0.1996
सराय
ECAD 5600 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - - सतह rurcur सोद -123F Kdztftr5.6 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1.5 V 5.6 वी
RB058LB100TBR1 Rohm Semiconductor RB058LB100TBR1 0.8600
सराय
ECAD 3656 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB RB058 schottky एसएमबीपी तंग 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 3 ए 1.5 @a @ 100 वी 175 ° C 3 ए -
EDZVT2R24B Rohm Semiconductor Edzvt2r24b 0.2800
सराय
ECAD 6 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 सवार @ 19 वी 24 वी 120 ओम
EDZFTE616.2B Rohm Semiconductor Edzfte616.2b -
सराय
ECAD 8224 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzft 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFTE616.2BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB421DT146 Rohm Semiconductor RB421DT146 0.3800
सराय
ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB421 schottky Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 550 एमवी @ 100 एमए 30 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 6pf @ 10v, 1MHz
BAS21HYT116 Rohm Semiconductor BAS21HYT116 0.4000
सराय
ECAD 20 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas21 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 200 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी 150 ° C 200MA 2.5pf @ 0v, 1MHz
RB051M-2YTR Rohm Semiconductor RB051M-2YTR 0.3800
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RB051 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 460 mV @ 3 ए 900 µA @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
TFZGTR39B Rohm Semiconductor Tfzgtr39b 0.0886
सराय
ECAD 9975 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr39 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 gaba @ 30 वी 39 वी 85 ओम
RBR10NS40ATL Rohm Semiconductor RBR10NS40ATL 1.4300
सराय
ECAD 909 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR10 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 5 ए 620 mV @ 5 ए 120 µA @ 40 वी 150 ° C
RLZTE-1127A Rohm Semiconductor RLZTE-1127A -
सराय
ECAD 3209 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1127 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सवार @ २१ वी 25.6 वी 45 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम