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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
RBLQ2MM10TR Rohm Semiconductor RBLQ2MM10TR 0.4500
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F Rblq2 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 770 mV @ 2 ए 10 µA @ 100 वी 175 ° C 2 ए 50pf @ 4v, 1MHz
RLZTE-1118C Rohm Semiconductor RLZTE-1118C -
सराय
ECAD 3782 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सदाबहार @ १३ वी 17.3 वी 23 ओम
EDZFTE615.6B Rohm Semiconductor Edzfte615.6b -
सराय
ECAD 2823 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzft 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFTE615.6BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
CDZFHT2RA11B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra11b 0.4100
सराय
ECAD 250 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.09% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gapa @ 8 वी 10.99 वी 30 ओम
RBR3L40BDDTE25 Rohm Semiconductor RBR3L40BDDTE25 0.4800
सराय
ECAD 441 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR3L40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 3 ए 80 @a @ 40 वी 150 ° C 3 ए -
RF051VA1STR Rohm Semiconductor RF051VA1STR 0.1020
सराय
ECAD 8320 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RF051 तमाम TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 980 एमवी @ 500 एमए 25 एनएस 10 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RB075BGE40STL Rohm Semiconductor RB075BGE40STL 1.5500
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB075 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 750 एमवी @ 5 ए 5 µa @ 40 V 150 ° C 5 ए -
EDZVT2R15B Rohm Semiconductor Edzvt2r15b 0.3000
सराय
ECAD 47 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 11 वी 15 वी 42 ओम
RBQ10BGE10ATL Rohm Semiconductor RBQ10BGE10ATL 1.6000
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBQ10 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 770 mV @ 5 ए 80 @a @ 100 वी 150 ° C
UDZVTE-1718B Rohm Semiconductor UDZVTE-1718B 0.3000
सराय
ECAD 66 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 13 वी 18 वी 65 ओम
DAP202UMTL Rohm Semiconductor Dap202umtl 0.3400
सराय
ECAD 168 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 DAP202 तमाम UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84C33VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C33VLYT116 0.4200
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kay @ 23 वी 33 वी 80 ओम
RLZTE-1111B Rohm Semiconductor RLZTE-111111b -
सराय
ECAD 3204 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सदाबहार @ वी वी 11 वी 10 ओम
RB088BGE-60TL Rohm Semiconductor RB088BGE-60TL 1.6100
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB088 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 5 ए 830 mV @ 5 ए 3 µa @ 60 V 150 ° C
BZX84C3V6LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V6LYT116 0.4200
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
RF2001NS3DTL Rohm Semiconductor RF2001NS3DTL 2.3200
सराय
ECAD 70 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RF2001 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 20 ए 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
DA228UMFHTL Rohm Semiconductor DA228UMFHTL 0.3900
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur एससी -85 DA228 तमाम UMD3F - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 10 सना हुआ @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PTZTE255.1A Rohm Semiconductor PTZTE255.1A 0.5200
सराय
ECAD 383 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE255.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µA @ 1 वी 5.1 वी 8 ओम
RB168VYM100FHTR Rohm Semiconductor RB168VYM100FHTR 0.4300
सराय
ECAD 14 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 1 ए 6.7 एनएस 300 पायल @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB520SM-30T2R Rohm Semiconductor RB520SM-30T2R 0.3400
सराय
ECAD 391 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB520 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 580 एमवी @ 200 एमए 1 µa @ 10 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
CDZFHT2RA33B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA33B 0.3900
सराय
ECAD 7 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.49% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 25 वी 32.97 वी 250 ओम
EDZVT2R4.3B Rohm Semiconductor Edzvt2r4.3b 0.2900
सराय
ECAD 8 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 100 ओम
PDZVTR5.1A Rohm Semiconductor Pdzvtr5.1a 0.4500
सराय
ECAD 100 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr5.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 5.1 वी 8 ओम
RLZTE-1116C Rohm Semiconductor RLZTE-1116C -
सराय
ECAD 8470 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सवार @ १२ वी 16 वी 18 ओम
MTZJT-7716C Rohm Semiconductor MTZJT-7716C -
सराय
ECAD 3229 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सवार @ १२ वी 16 वी 25 ओम
RB068L150DDTE25 Rohm Semiconductor RB068L150DDTE25 0.5900
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB068L150DDTE25TR Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 810 mV @ 2 ए 3 µa @ 150 V 150 ° C 2 ए -
RFL60TZ6SGC13 Rohm Semiconductor RFL60TZ6SGC13 7.6400
सराय
ECAD 653 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 RFL60 तमाम To-247ge तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFL60TZ6SGC13 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 60 ए 75 एनएस 10 µA @ 650 V 175 ° C 60 ए -
DAN235UT106 Rohm Semiconductor Dan235ut106 0.3700
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 Dan235 UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 १५० तंग 1.2pf @ 6v, 1MHz सभा - 1 जोड़ी आम कैथोड कैथोड 35V 900MOHM @ 2MA, 100MHz
RN142GT2R Rohm Semiconductor RN142GT2R 0.4100
सराय
ECAD 11 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) SOD-723 RN142GT2 VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 100 सवार 0.45pf @ 1V, 1MHz पिन - एकल 60V 2ohm @ 10ma, 100mHz
EDZTE6120B Rohm Semiconductor Edzte6120b -
सराय
ECAD 5816 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte6120 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 15 वी 20 वी 85 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम