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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RFUH10TF6SC9 Rohm Semiconductor RFUH10TF6SC9 2.5600
सराय
 ECAD 978 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 Rfuh10 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFUH10TF6SC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 10 ए -
KDZLVTFTR110 Rohm Semiconductor Kdzlvtftr110 0.4500
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzlvtftr110 1 डब एस एस -123 fl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 84 V 110 वी
TFZGTR3.6B Rohm Semiconductor Tfzgtr3.6b 0.0886
सराय
 ECAD 9658 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr3.6 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 60 ओम
UDZLVTE-1756 Rohm Semiconductor UDZLVTE-1756 0.3000
सराय
 ECAD 2270 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzlvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 @a @ 43 वी 56 वी 180 ओम
PTZTE256.2B Rohm Semiconductor PTZTE256.2B 0.2014
सराय
 ECAD 4214 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE256.2 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 3 वी 6.6 वी 6 ओम
DAN217UMFHTL Rohm Semiconductor DAN217UMFHTL 0.3800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur एससी -85 Dan217 तमाम UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 200 gaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84C2V4LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C2V4LYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 8.33% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 50 µa @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
PTZTE2539A Rohm Semiconductor PTZTE2539A 0.2014
सराय
 ECAD 6160 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.13% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2539 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 3 वी 39 वी 50 ओम
RB162MM-60TR Rohm Semiconductor RB162MM-60TR 0.4100
सराय
 ECAD 430 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB162 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 650 mV @ 1 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB706UM-40TL Rohm Semiconductor RB706UM-40TL 0.3900
सराय
 ECAD 400 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 RB706 schottky UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ 1 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB520S-307STE61 Rohm Semiconductor RB520S-307STE61 -
सराय
 ECAD 3346 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-307STE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
RBLQ20NL10CFHTL Rohm Semiconductor RBLQ20NL10CFHTL 2.7800
सराय
 ECAD 5647 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBLQ20 schottky To-263l - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 710 mV @ 10 ए 70 µA @ 100 वी 150 ° C
EMZH6.8YT2R Rohm Semiconductor EMZH6.8YT2R -
सराय
 ECAD 6216 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EMZH6.8YT2RTR शिर 8,000
EDZTE6127B Rohm Semiconductor Edzte6127b 0.3500
सराय
 ECAD 16 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte6127 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 21 वी 27 वी 150 ओम
VDZT2R15B Rohm Semiconductor Vdzt2r15b -
सराय
 ECAD 2108 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 11 वी 14.7 वी 42 ओम
KDZVTR5.1B Rohm Semiconductor Kdzvtr5.1b 0.3800
सराय
 ECAD 18 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr5.1 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 5.4 वी
KDZTFTR5.6B Rohm Semiconductor Kdztftr5.6b 0.1996
सराय
 ECAD 5600 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - - सतह rurcur सोद -123F Kdztftr5.6 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1.5 V 5.6 वी
RBE05VM20ATE-17 Rohm Semiconductor RBE05VM20ATE-17 -
सराय
 ECAD 4473 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 430 एमवी @ 500 एमए 200 @a @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
EDZVT2R4.3B Rohm Semiconductor Edzvt2r4.3b 0.2900
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 100 ओम
BZX84B10VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B10VLT116 0.2600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
RB520ASA-30FHT2RB Rohm Semiconductor RB520ASA-30FHT2RB 0.3700
सराय
 ECAD 6180 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 schottky DFN1006-2W तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 580 एमवी @ 200 एमए 1 µa @ 10 V 150 ° C 200MA -
RFN3BGE2STL Rohm Semiconductor RFN3BGE2STL 1.1300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfn3b तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 3 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 ° C 3 ए -
BZX84B9V1LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B9V1LYFHT116 0.4200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.98% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
PTZTFTE2518B Rohm Semiconductor PTZTFTE2518B 0.6100
सराय
 ECAD 945 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.01% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 13 वी 19.15 वी 12 ओम
PDZVTR5.1A Rohm Semiconductor Pdzvtr5.1a 0.4500
सराय
 ECAD 100 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr5.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 5.1 वी 8 ओम
RFL60TZ6SGC13 Rohm Semiconductor RFL60TZ6SGC13 7.6400
सराय
 ECAD 653 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 RFL60 तमाम To-247ge तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFL60TZ6SGC13 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 60 ए 75 एनएस 10 µA @ 650 V 175 ° C 60 ए -
UDZVTE-175.6B Rohm Semiconductor UDZVTE-175.6b 0.2700
सराय
 ECAD 43 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2.5 V 5.6 वी 60 ओम
RLZTE-117.5B Rohm Semiconductor RLZTE-117.5b -
सराय
 ECAD 3647 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.3 वी 8 ओम
EMZ6.8NTL Rohm Semiconductor Emz6.8ntl 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-75, SOT-416 EMZ6.8 १५० तंग EMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
EDZTE619.1B Rohm Semiconductor Edzte619.1b 0.3600
सराय
 ECAD 750 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte619 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 30 ओम
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AD9208BBPZ-3000

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