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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZX84B16VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B16VLYT116 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 11 वी 16 वी 40 ओम
RB411DT146 Rohm Semiconductor RB411DT146 0.4300
सराय
 ECAD 33 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB411 schottky Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 500 एमए 30 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma 20pf @ 10v, 1MHz
BAT54CHYT116 Rohm Semiconductor BAT54CHYT116 0.4200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 200ma (डीसी) 800 एमवी @ 100 एमए 50 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 ° C
RB511SM-30FHT2R Rohm Semiconductor RB511SM-30FHT2R 0.2100
सराय
 ECAD 86 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB511 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 370 एमवी @ 10 एमए 7 µa @ 10 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
UDZSTE-1727B Rohm Semiconductor Udzste-1727b 0.3500
सराय
 ECAD 45 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 21 वी 27 वी 150 ओम
RB168MM-60TR Rohm Semiconductor RB168MM-60TR 0.4800
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB168 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 680 mV @ 1 ए 1.5 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
EDZVFHT2R12B Rohm Semiconductor Edzvfht2r12b 0.3500
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 पायल @ 9 वी 12 वी 30 ओम
CDZVT2R6.8B Rohm Semiconductor Cdzvt2r6.8b 0.2700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी सीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
KDZVTFTR2.7B Rohm Semiconductor Kdzvtftr2.7b 0.4700
सराय
 ECAD 2958 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.41% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr2.7 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 @a @ 1 वी 2.9 वी
KDZTR4.7B Rohm Semiconductor Kdztr4.7b 0.1836
सराय
 ECAD 9615 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdztr4.7 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 4.9 वी
BZX84C4V3LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V3LYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.98% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
RB088NS-40FHTL Rohm Semiconductor RB088NS-40FHTL 1.4200
सराय
 ECAD 880 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 10 ए 770 mV @ 5 ए 3 µa @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UDZSTE-1718B Rohm Semiconductor Udzste-1718b 0.3500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 13 वी 18 वी 65 ओम
EDZVT2R3.6B Rohm Semiconductor Edzvt2r3.6b 0.2800
सराय
 ECAD 59 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 100 ओम
PDZVTR12A Rohm Semiconductor PDZVTR12A 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 PDZVTR12 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 9 वी 12 वी 8 ओम
YFZVFHTR39B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr39b 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.52% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr39 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 gaba @ 30 वी 36.28 वी 85 ओम
RBS1LAM40ATR Rohm Semiconductor RBS1LAM40ATR 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbs1lam40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 380 mV @ 1 ए 400 µA @ 20 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB085BM-90TL Rohm Semiconductor RB085BM-90TL 1.8700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB085 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 5 ए 830 mV @ 5 ए 150 µA @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TFZVTR30B Rohm Semiconductor Tfzvtr30b 0.3700
सराय
 ECAD 13 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr30 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २३ वी 30 वी 55 ओम
YDZVFHTR13 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr13 0.3600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Ydzvfhtr13 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 9 वी 13 वी
BZX84C12VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C12VLYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.42% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
RSX071VYM30FHTR Rohm Semiconductor RSX071VYM30FHTR 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsx071 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 एमवी @ 700 एमए 9.6 एनएस 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
EDZTE612.2B Rohm Semiconductor Edzte612.2b -
सराय
 ECAD 2688 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
RFN10BM3SFHTL Rohm Semiconductor RFN10BM3SFHTL 1.0900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RFN10 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.5 वी @ 10 ए 30 एनएस 10 µA @ 350 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
RBR1LAM40ATFTR Rohm Semiconductor RBR1LAM40ATFTR 0.4200
सराय
 ECAD 8304 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr1lam40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 50 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
EDZVT2R12B Rohm Semiconductor Edzvt2r12b 0.2800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 पायल @ 9 वी 12 वी 30 ओम
DAN222MT2L Rohm Semiconductor DAN222MT2L 0.4600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 Dan222 तमाम VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CDZT2R13B Rohm Semiconductor Cdzt2r13b 0.0937
सराय
 ECAD 4719 0.00000000 रोटी सीडीजेड R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzt2 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 10 वी 13 वी 37 ओम
RBQ30TB45BNZC9 Rohm Semiconductor RBQ30TB45BNZC9 2.1300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RBQ30 schottky To-220fn-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 590 mV @ 30 ए 350 µA @ 45 V 150 ° C 30 ए -
RBR3MM60BTR Rohm Semiconductor RBR3MM60BTR 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR3MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 610 mV @ 3 ए 120 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
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AD9208BBPZ-3000

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