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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachus सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
EDZVT2R3.6B Rohm Semiconductor Edzvt2r3.6b 0.2800
सराय
 ECAD 59 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 100 ओम
DAP222MFHT2L Rohm Semiconductor DAP222MFHT2L 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 DAP222 तमाम VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB541SM-40T2R Rohm Semiconductor RB541SM-40T2R 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB541 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 610 एमवी @ 100 एमए 100 µa @ 40 V 125 ° C 200MA -
RB162M-30TR Rohm Semiconductor RB162M-30TR 0.0834
सराय
 ECAD 1806 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RB162 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 520 mV @ 1 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
EDZVFHT2R24B Rohm Semiconductor Edzvfht2r24b 0.3700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.21% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 सवार @ 19 वी 24 वी 120 ओम
PDZVTR6.8B Rohm Semiconductor Pdzvtr6.8b 0.4500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.21% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr6.8 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 3.5 V 7.25 वी 6 ओम
EDZVT2R2.7B Rohm Semiconductor Edzvt2r2.7b 0.2800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 120 µA @ 500 एमवी 2.7 वी 100 ओम
RB480YFHT2R Rohm Semiconductor RB480YFHT2R -
सराय
 ECAD 9831 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB480YFHT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 30 वी 100ma 530 एमवी @ 100 एमए 1 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84B6V2LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B6V2LYFHT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.94% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
UFZVFHTE-1739B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1739B 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.45% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 gaba @ 30 वी 39 वी 85 ओम
RBR15BM40AFHTL Rohm Semiconductor RBR15BM40AFHTL 1.3000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR15 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 15 ए 580 mV @ 7.5 ए 240 µA @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UDZWTE-1733B Rohm Semiconductor UDZWTE-173333b -
सराय
 ECAD 3809 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
BAT54AHYFHT116 Rohm Semiconductor BAT54AHYFHT116 0.5000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 200ma (डीसी) 800 एमवी @ 100 एमए 50 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84C12VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C12VLYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.42% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
RSX071VYM30FHTR Rohm Semiconductor RSX071VYM30FHTR 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsx071 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 एमवी @ 700 एमए 9.6 एनएस 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
RLZTE-1118A Rohm Semiconductor RLZTE-1118A -
सराय
 ECAD 7001 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सदाबहार @ १३ वी 17.3 वी 23 ओम
TFZVTR30B Rohm Semiconductor Tfzvtr30b 0.3700
सराय
 ECAD 13 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr30 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २३ वी 30 वी 55 ओम
RBR1LAM40ATFTR Rohm Semiconductor RBR1LAM40ATFTR 0.4200
सराय
 ECAD 8304 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr1lam40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 50 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
YDZVFHTR13 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr13 0.3600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Ydzvfhtr13 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 9 वी 13 वी
EDZVT2R12B Rohm Semiconductor Edzvt2r12b 0.2800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 पायल @ 9 वी 12 वी 30 ओम
EDZTE612.2B Rohm Semiconductor Edzte612.2b -
सराय
 ECAD 2688 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
RBQ30TB45BNZC9 Rohm Semiconductor RBQ30TB45BNZC9 2.1300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RBQ30 schottky To-220fn-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 590 mV @ 30 ए 350 µA @ 45 V 150 ° C 30 ए -
DAN222MT2L Rohm Semiconductor DAN222MT2L 0.4600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 Dan222 तमाम VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB055L-30DDTE25 Rohm Semiconductor RB055L-30DDTE25 0.5500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB055 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 3 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RBR3MM60BTR Rohm Semiconductor RBR3MM60BTR 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR3MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 610 mV @ 3 ए 120 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RRE07VSM6STR Rohm Semiconductor RRE07VSM6STR 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RRE07 तमाम TUMD2SM तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 700 एमए 1 @a @ 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
CDZT2R13B Rohm Semiconductor Cdzt2r13b 0.0937
सराय
 ECAD 4719 0.00000000 रोटी सीडीजेड R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzt2 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 10 वी 13 वी 37 ओम
UDZVTE-173.6B Rohm Semiconductor UDZVTE-173.6b 0.2700
सराय
 ECAD 22 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 100 ओम
RB160SS-40T2R Rohm Semiconductor RB160SS-40T2R -
सराय
 ECAD 4182 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं RB160 schottky KMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 एमवी @ 700 एमए 50 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
UDZLVFHTE-17110 Rohm Semiconductor UDZLVFHTE-17110 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.45% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZLVFHTE-17110 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ 110 वी
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

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    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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