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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachus सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
MTZJT-7220C Rohm Semiconductor MTZJT-7220C -
सराय
 ECAD 2404 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम MTZJT7220C Ear99 8541.10.0050 5,000 20 वी
RFN20TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RFN20TF6SFHC9 2.0300
सराय
 ECAD 462 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFN20 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 20 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
RBR20NS60ATL Rohm Semiconductor RBR20NS60ATL 0.7845
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR20 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RBR20NS60ATLCT Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 10 ए 640 mV @ 10 ए 400 µA @ 60 V 150 ° C
SCS230AE2GC11 Rohm Semiconductor SCS230AE2GC11 12.1000
सराय
 ECAD 7144 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS230 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS230AE2GC11 Ear99 8541.10.0080 450 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 15 ए (डीसी) 1.55 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 600 V 175 ° C
1SS400FHTE61 Rohm Semiconductor 1SS400FHTE61 -
सराय
 ECAD 5577 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-1SS400FHTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
RB851YGT2R Rohm Semiconductor RB851YGT2R -
सराय
 ECAD 4966 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB851YGT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 3 वी 30ma (डीसी) 460 mV @ 1 सना हुआ 700 पायल @ 1 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
MTZJT-7239C Rohm Semiconductor MTZJT-7239C -
सराय
 ECAD 2990 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम MTZJT7239C Ear99 8541.10.0050 5,000 200 gaba @ 30 वी 39 वी 85 ओम
RB095B-30TL Rohm Semiconductor RB095B-30TL -
सराय
 ECAD 2425 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB095B-30 schottky सीपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 3 ए 425 mV @ 3 ए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
MTZJT-777.5C Rohm Semiconductor MTZJT-777.5C -
सराय
 ECAD 7695 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 20 ओम
VDZT2R20B Rohm Semiconductor VDZT2R20B -
सराय
 ECAD 9784 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 kaga @ 15 वी 20 वी 85 ओम
RB215T-40 Rohm Semiconductor RB215T-40 -
सराय
 ECAD 2436 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB215 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम RB215T40 Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 10 ए 550 mV @ 10 ए 500 µA @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB511VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB511VM-40FHTE-17 0.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB511 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 410 एमवी @ 10 एमए 25 µa @ 40 V 125 ° C (अधिकतम) 100ma -
RB558VYM150FHTR Rohm Semiconductor RB558VYM150FHTR 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB558 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 एमवी @ 500 एमए 6.35 एनएस ५०० सवार @ १५० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
DAN217UMTL Rohm Semiconductor Dan217umtl 0.3800
सराय
 ECAD 88 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 Dan217 तमाम UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 200 gaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RFV5BGE6STL Rohm Semiconductor RFV5BGE6STL 1.5000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfv5bge6 तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 5 ए 40 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 5 ए -
UDZSTE-176.8B Rohm Semiconductor UDZSTE-176.8B 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
RB531VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB531VM-40FHTE-17 0.3700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB531 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 610 एमवी @ 100 एमए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
SCS212AJTLL Rohm Semiconductor SCS212AJTLL 3.3660
सराय
 ECAD 2598 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS212 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 12 ए 0 एनएस 240 µA @ 600 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 12 ए -
RFN2L4STE25 Rohm Semiconductor RFN2L4STE25 0.6600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RFN2L4 तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1.5 ए 30 एनएस 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
TFZVTR5.6B Rohm Semiconductor Tfzvtr5.6b 0.3700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr5.6 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 2.5 V 5.6 वी 13 ओम
PTZTE256.2A Rohm Semiconductor PTZTE256.2a 0.2014
सराय
 ECAD 6330 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE256.2 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 3 वी 6.2 वी 6 ओम
RBR3LAM60ATFTR Rohm Semiconductor RBR3LLAM60ATFTR 0.4700
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr3alm60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 660 mV @ 3 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
GDZT2R8.2 Rohm Semiconductor GDZT2R8.2 -
सराय
 ECAD 9566 0.00000000 रोटी जीडीजेड R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) Gdzt2r 100 तंग GMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी
RBR15BGE40ATL Rohm Semiconductor RBR15BGE40ATL 1.8400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR15 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 15 ए 550 mV @ 7.5 ए 240 µA @ 40 वी 150 ° C
TDZTR30 Rohm Semiconductor Tdztr30 0.3800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr30 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 21 वी 30 वी
RB851Y7HMT2R Rohm Semiconductor RB851Y7HMT2R -
सराय
 ECAD 3443 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB851Y7HMT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 3 वी 30ma (डीसी) 460 mV @ 1 सना हुआ 700 पायल @ 1 वी 125 ° C (अधिकतम)
BZX84C6V2LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C6V2LYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.45% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
DA228WMTL Rohm Semiconductor DA228WMTL 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 DA228 तमाम EMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 80 वी 150 ° C
RB070MM-30TFTR Rohm Semiconductor RB070MM-30TFTR 0.4300
सराय
 ECAD 8818 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB070 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 1.5 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
RB218NS-40TL Rohm Semiconductor RB218NS-40TL 1.5200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB218 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 20 ए 770 mV @ 10 ए 5 µa @ 40 V 150 ° C
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AD9208BBPZ-3000

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