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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना अफ़रप सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RB160A30T-32 Rohm Semiconductor RB160A30T-32 -
सराय
 ECAD 3454 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-41, RB160 schottky एक प्रकार का होना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RSAC6.8CST2RA Rohm Semiconductor RSAC6.8CST2RA 0.4500
सराय
 ECAD 16 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4% - सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsac6.8 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 30 V 7.02 वी
RB238NS150FHTL Rohm Semiconductor RB238NS150FHTL 2.5700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB238 शोटकी तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 40 ए 920 mV @ 20 ए 20.2 एनएस 30 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB068VWM-40TR Rohm Semiconductor RB068VWM-40TR 0.4800
सराय
 ECAD 2305 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB068 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 790 mV @ 2 ए ५०० सवार @ ४० वी 175 ° C 2 ए -
KDZLVTFTR110 Rohm Semiconductor Kdzlvtftr110 0.4500
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzlvtftr110 1 डब एस एस -123 fl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 84 V 110 वी
RBQ10BM65AFHTL Rohm Semiconductor RBQ10BM65AFHTL 0.8500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBQ10 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 65 वी 10 ए 690 mV @ 5 ए 150 µA @ 65 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
DAN217UMFHTL Rohm Semiconductor DAN217UMFHTL 0.3800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur एससी -85 Dan217 तमाम UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 200 gaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB520SM-30T2R Rohm Semiconductor RB520SM-30T2R 0.3400
सराय
 ECAD 391 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB520 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 580 एमवी @ 200 एमए 1 µa @ 10 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB520CM-60T2R Rohm Semiconductor RB520CM-60T2R 0.3100
सराय
 ECAD 50 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB520 schottky Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 440 mV @ 10 Ma 3 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
SCS206AMC Rohm Semiconductor SCS206AMC 2.1240
सराय
 ECAD 9885 0.00000000 रोटी - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से TO-220-2 SCS206 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 6 ए 0 एनएस 120 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 219pf @ 1V, 1MHz
EDZGTE6122B Rohm Semiconductor Edzgte6122b -
सराय
 ECAD 6203 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzgt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZGTE6122BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
MTZJT-7239B Rohm Semiconductor MTZJT-7239B -
सराय
 ECAD 8429 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt7239b Ear99 8541.10.0050 5,000 200 gaba @ 30 वी 39 वी 85 ओम
UDZWTE-1711B Rohm Semiconductor UDZWTE-1711b -
सराय
 ECAD 5727 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
UDZLVFHTE-1751 Rohm Semiconductor UDZLVFHTE-1751 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZLVFHTE-1751 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 39 V 51 वी
RB511SM-30FHT2R Rohm Semiconductor RB511SM-30FHT2R 0.2100
सराय
 ECAD 86 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB511 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 370 एमवी @ 10 एमए 7 µa @ 10 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RB420S-30TE61 Rohm Semiconductor RB420S-30TE61 -
सराय
 ECAD 1982 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB420S-30TE61TR शिर 3,000
RB521AS-30T2R Rohm Semiconductor RB521AS-30T2R -
सराय
 ECAD 4518 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं RB521 schottky VML2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 200 एमए 30 µa @ 10 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB520S-40FHTE61 Rohm Semiconductor RB520S-40FHTE61 -
सराय
 ECAD 4291 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-40FHTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
BZX84B12VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B12VLT116 0.2600
सराय
 ECAD 779 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 1.66% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
1SS400SMT2R Rohm Semiconductor 1SS400SMT2R 0.2400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SS400 तमाम EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 0.5V, 1MHz
SCS215AJHRTLL Rohm Semiconductor SCS215AJHRTLL 9.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS215 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए 550pf @ 1V, 1MHz
UDZSTE-1727B Rohm Semiconductor Udzste-1727b 0.3500
सराय
 ECAD 45 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 21 वी 27 वी 150 ओम
PTZTE254.3B Rohm Semiconductor PTZTE254.3b 0.2014
सराय
 ECAD 7040 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE254.3 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µA @ 1 वी 4.6 वी 15 ओम
RF05VAM1STR Rohm Semiconductor RF05VAM1STR 0.3900
सराय
 ECAD 47 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RF05VAM1 तमाम Tumd2s तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 980 एमवी @ 500 एमए 25 एनएस 10 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
CDZT2R10B Rohm Semiconductor Cdzt2r10b 0.0928
सराय
 ECAD 5826 0.00000000 रोटी सीडीजेड R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Sod-923 Cdzt2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gapa @ 7 वी 10 वी 30 ओम
RB098BM100FHTL Rohm Semiconductor RB098BM100FHTL 1.0800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB098 शोटकी TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 6 ए 770 mV @ 3 ए 11.4 एनएस 3 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UDZWTE-1722B Rohm Semiconductor UDZWTE-1722B -
सराय
 ECAD 7651 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
UFZVTE-173.6B Rohm Semiconductor UFZVTE-173.6b 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 60 ओम
KDZTR36B Rohm Semiconductor Kdztr36b 0.5200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdztr36 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 27 V 39.2 वी
RFN5BM2SFHTL Rohm Semiconductor RFN5BM2SFHTL 0.8600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfn5b तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 5 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
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AD9208BBPZ-3000

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