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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
DAN222MFHT2L Rohm Semiconductor DAN222MFHT2L 0.3700
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 Dan222 तमाम VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB168MM100TR Rohm Semiconductor RB168MM100TR 0.4100
सराय
 ECAD 65 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB168 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 810 mV @ 1 ए ४०० पायल @ १०० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
PDZVTR7.5B Rohm Semiconductor Pdzvtr7.5b 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.66% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr7.5 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 4 वी 7.95 वी 4 ओम
EDZFHTE6115B Rohm Semiconductor Edzfhte6115b -
सराय
 ECAD 8819 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFHTE6115BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
EDZFJTE6112B Rohm Semiconductor Edzfjte6112b -
सराय
 ECAD 5148 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfjt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFJTE6112BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RLZTE-118.2A Rohm Semiconductor Rlzte-118.2a -
सराय
 ECAD 4736 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8 वी 8 ओम
CDZVT2R15B Rohm Semiconductor Cdzvt2r15b 0.2700
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 11 वी 15 वी 42 ओम
EDZVT2R3.0B Rohm Semiconductor Edzvt2r3.0b 0.3100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 3 वी
RFVS8TG6SGC9 Rohm Semiconductor RFVS8TG6SGC9 0.5871
सराय
 ECAD 5321 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Rfvs8 तमाम TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFVS8TG6SGC9 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3 वी @ 8 ए 40 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
RBR20NS60AFHTL Rohm Semiconductor RBR20NS60AFHTL 1.4000
सराय
 ECAD 855 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR20 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 20 ए 640 mV @ 10 ए 400 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BAW156HMT116 Rohm Semiconductor BAW156HMT116 0.2600
सराय
 ECAD 850 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Baw156 तमाम SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 3 μs 5 सना हुआ @ 75 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBQ10BGE65ATL Rohm Semiconductor RBQ10BGE65ATL 1.4500
सराय
 ECAD 171 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBQ10 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 65 वी 10 ए 690 mV @ 5 ए 70 µA @ 65 V 150 ° C
SCS210KE2C Rohm Semiconductor SCS210KE2C -
सराय
 ECAD 6896 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS210 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 360 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 0 एनएस 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
RBR30NS60AFHTL Rohm Semiconductor RBR30NS60AFHTL 1.5700
सराय
 ECAD 680 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 30 ए 670 mV @ 15 ए 600 @a @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84B10VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B10VLT116 0.2600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
RB531SM-30T2R Rohm Semiconductor RB531SM-30T2R 0.2300
सराय
 ECAD 384 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB531 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 350 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RBQ10BM65AFHTL Rohm Semiconductor RBQ10BM65AFHTL 0.8500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBQ10 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 65 वी 10 ए 690 mV @ 5 ए 150 µA @ 65 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TDZVTR8.2 Rohm Semiconductor Tdzvtr8.2 0.3800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdzvtr8.2 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 4.9 V 8.2 वी
UFZVTE-1711B Rohm Semiconductor UFZVTE-1711b 0.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.77% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ वी वी 11 वी 10 ओम
RB168MM-30TR Rohm Semiconductor RB168MM-30TR 0.3600
सराय
 ECAD 46 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB168 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 690 mV @ 1 ए ६०० सवार @ ३० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB218T-30NZC9 Rohm Semiconductor RB218T-30NZC9 1.5400
सराय
 ECAD 990 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB218 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 20 ए 720 mV @ 10 ए 5 µa @ 30 V 150 ° C
EDZVT2R7.5B Rohm Semiconductor Edzvt2r7.5b 0.1800
सराय
 ECAD 52 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 30 ओम
RB461FT106 Rohm Semiconductor RB461FT106 0.5000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RB461 schottky UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 490 एमवी @ 700 एमए 200 @a @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
RLZTE-115.6A Rohm Semiconductor RLZTE-115.6A -
सराय
 ECAD 7172 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 5 µA @ 2.5 V 5.6 वी 13 ओम
RB095T-90 Rohm Semiconductor RB095T-90 0.7613
सराय
 ECAD 4435 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB095 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 3 ए 750 एमवी @ 3 ए 150 µA @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UDZSTE-1733B Rohm Semiconductor Udzste-1733b 0.3500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 25 वी 33 वी 250 ओम
RFN20TF6S Rohm Semiconductor RFN20TF6S 1.0005
सराय
 ECAD 8648 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-2 RFN20 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 20 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
UFZVTE-1736B Rohm Semiconductor UFZVTE-1736B 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.61% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ २ वी वी 34.12 वी 75 ओम
RBR2MM60BTFTR Rohm Semiconductor RBR2MM60BTFTR 0.4300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR2MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 2 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RB160A30T-32 Rohm Semiconductor RB160A30T-32 -
सराय
 ECAD 3454 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-41, RB160 schottky एक प्रकार का होना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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