SIC
close

अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
KDZTR3.9A Rohm Semiconductor Kdztr3.9a 0.1836
सराय
 ECAD 5064 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur सोद -123F Kdztr3.9 1 डब पेडु - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 40 µA @ 1 वी 3.9 वी
RB160A30T-32 Rohm Semiconductor RB160A30T-32 -
सराय
 ECAD 3454 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-41, RB160 schottky एक प्रकार का होना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RLZTE-115.6A Rohm Semiconductor RLZTE-115.6A -
सराय
 ECAD 7172 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 5 µA @ 2.5 V 5.6 वी 13 ओम
RB095T-90 Rohm Semiconductor RB095T-90 0.7613
सराय
 ECAD 4435 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB095 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 3 ए 750 एमवी @ 3 ए 150 µA @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BAV99T116 Rohm Semiconductor BAV99T116 -
सराय
 ECAD 6008 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV99 तमाम SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 75 वी 215mA 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 1 µa @ 75 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBR2MM60BTFTR Rohm Semiconductor RBR2MM60BTFTR 0.4300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR2MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 2 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
YFZVFHTR2.2B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr2.2b 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4.1% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr2.2 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 700 एमवी 2.32 वी 120 ओम
UFZVTE-1736B Rohm Semiconductor UFZVTE-1736B 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.61% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ २ वी वी 34.12 वी 75 ओम
RFN20T2DNZC9 Rohm Semiconductor RFN20T2DNZC9 2.4300
सराय
 ECAD 961 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RFN20 तमाम To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFN20T2DNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 10 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 ° C 20 ए -
SCS210KE2HRC Rohm Semiconductor SCS210KE2HRC -
सराय
 ECAD 1132 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS210 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 360 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 20 ए (डीसी) 1.55 वी @ 20 ए 400 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB168VAM-30TR Rohm Semiconductor RB168VAM-30TR 0.3600
सराय
 ECAD 630 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 730 mV @ 1 ए 300 पायल @ 30 वी 150 ° C 1 क -
RBR2L60ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR2L60ADDTE25 0.4400
सराय
 ECAD 22 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR2L60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 650 mV @ 2 ए 75 µA @ 60 V 150 ° C 2 ए -
RSX301LAM30TR Rohm Semiconductor Rsx301llam330tr 0.4500
सराय
 ECAD 53 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RSX301 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 mV @ 3 ए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RBR5L40ATE25 Rohm Semiconductor RBR5L40ATE25 0.3972
सराय
 ECAD 2571 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR5L40 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 5 ए 200 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
VDZT2R24B Rohm Semiconductor Vdzt2r24b -
सराय
 ECAD 1370 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 सवार @ 19 वी 24 वी 120 ओम
RB081L-20TE25 Rohm Semiconductor RB081L-20TE25 0.5100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB081 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 एमवी @ 500 एमए 700 µA @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
UDZVTE-172.0B Rohm Semiconductor UDZVTE-172.0b 0.2700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 500 एमवी 2 वी 100 ओम
RB162L-60TE25 Rohm Semiconductor RB162L-60TE25 0.4200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB162 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 650 mV @ 1 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
BZX84C5V6LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V6LFHT116 -
सराय
 ECAD 1314 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 7.14% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 40 ओम
BZX84C18VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C18VLYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.39% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 13 वी 18 वी 45 ओम
RB400VA-50TR Rohm Semiconductor RB400VA-50TR 0.6500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB400 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 एमवी @ 500 एमए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma 125pf @ 0v, 1MHz
PTZTE258.2A Rohm Semiconductor Ptzte258.2a 0.2014
सराय
 ECAD 5904 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE258.2 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 5 वी 8.2 वी 4 ओम
IMP11T110 Rohm Semiconductor Imp11t110 0.1756
सराय
 ECAD 3696 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-74, SOT-457 Imp11 तमाम Smt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
1SS400TE61 Rohm Semiconductor 1SS400TE61 -
सराय
 ECAD 9057 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SS400 तमाम EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 0.5V, 1MHz
RB411VA-50TR Rohm Semiconductor RB411VA-50TR 0.1360
सराय
 ECAD 4907 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB411 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 500 एमए 30 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma 20pf @ 10v, 1MHz
TFZGTR3.6B Rohm Semiconductor Tfzgtr3.6b 0.0886
सराय
 ECAD 9658 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr3.6 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 60 ओम
RB168VAM100TR Rohm Semiconductor RB168VAM100TR 0.4200
सराय
 ECAD 19 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 1 ए 300 पायल @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
BZX84C5V1LT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V1LT116 0.2300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
KDZTFTR5.6B Rohm Semiconductor Kdztftr5.6b 0.1996
सराय
 ECAD 5600 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - - सतह rurcur सोद -123F Kdztftr5.6 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1.5 V 5.6 वी
RBQ10NS65AFHTL Rohm Semiconductor RBQ10NS65AFHTL 0.4851
सराय
 ECAD 6340 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBQ10 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 65 वी 10 ए 690 mV @ 5 ए 70 µA @ 65 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें