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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RB532HS-30T15R Rohm Semiconductor RB532HS-30T15R 0.3800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) RB532 schottky DSN0603-2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 15,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 500 एमवी @ 100 एमए 100 µa @ 30 V 150 ° C 200MA -
DA227TL Rohm Semiconductor DA227TL 0.1644
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-82A, SOT-343 DA227 तमाम UMD4 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
TFZGTR3.0B Rohm Semiconductor Tfzgtr3.0b 0.0886
सराय
 ECAD 9969 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr3.0 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 वी
RBR10NS60ATL Rohm Semiconductor RBR10NS60ATL 0.6690
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR10 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 846-RBR10NS60ATLCT Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 5 ए 650 एमवी @ 5 ए 200 @a @ 60 V 150 ° C
SCS210AJTLL Rohm Semiconductor SCS210AJTLL 5.4900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS210 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263ab तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 10 ए 0 एनएस 200 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 365pf @ 1V, 1MHz
UDZSTE-1718B Rohm Semiconductor Udzste-1718b 0.3500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 13 वी 18 वी 65 ओम
BZX84B27VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B27VLYFHT116 0.4200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.85% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 सवार @ 19 वी 27 वी 80 ओम
RB510VM-30FHTE-17 Rohm Semiconductor RB510VM-30FHTE-17 0.3000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB510 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 460 एमवी @ 10 एमए 300 पायल @ 10 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RRE02VSM4STR Rohm Semiconductor RRE02VSM4STR 0.4700
सराय
 ECAD 20 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rre02 तमाम TUMD2SM तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB058LAM100TR Rohm Semiconductor RB058LAMA100TR 0.5100
सराय
 ECAD 29 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB058 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 846-RB058LAMA100TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 810 mV @ 3 ए 3 µa @ 100 वी 150 ° C 3 ए -
VMZT6.8NT2L Rohm Semiconductor Vmzt6.8nt2l -
सराय
 ECAD 1346 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur एसओटी -723 Vmzt6.8 १५० तंग VMD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 जोड़ी आम एनोड 6.8 वी
RB721Q-40T-77 Rohm Semiconductor RB721Q-40T-77 -
सराय
 ECAD 3095 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT RB721 schottky एमएसडी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 370 mV @ 1 सना हुआ ५०० सदाबहार @ २५ 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30ma 2PF @ 1V, 1MHz
UDZWTE-176.2B Rohm Semiconductor UDZWTE-176.2B -
सराय
 ECAD 5168 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
RB521S-30FTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30FTE61 -
सराय
 ECAD 5168 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB521 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 500 एमवी @ 200 एमए 30 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
KDZTR2.7B Rohm Semiconductor Kdztr2.7b 0.1836
सराय
 ECAD 5623 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 7% - सतह rurcur सोद -123F Kdztr2.7 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 @a @ 1 वी 2.7 वी
MTZJT-729.1C Rohm Semiconductor MTZJT-729.1C -
सराय
 ECAD 3679 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Mtzjt729.1c Ear99 8541.10.0050 5,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 20 ओम
BZX84B18VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B18VLYT116 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.22% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 13 वी 18 वी 45 ओम
RFN20NS3SFHTL Rohm Semiconductor RFN20NS3SFHTL 1.4400
सराय
 ECAD 494 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RFN20 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.35 वी @ 20 ए 35 एनएस 10 µA @ 350 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 412pf @ 0v, 1MHz
RB080L-30TE25 Rohm Semiconductor RB080L-30TE25 0.6000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB080 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 510 mV @ 5 ए 150 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
PDZVTR3.0B Rohm Semiconductor Pdzvtr3.0b 0.4000
सराय
 ECAD 817 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr3.0 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 µA @ 1 वी 3 वी 15 ओम
1SS400GT2R Rohm Semiconductor 1SS400GT2R -
सराय
 ECAD 5938 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-723 1SS400 तमाम VMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 0.5V, 1MHz
UMZ18KFHTL Rohm Semiconductor UMZ18KFHTL 0.3500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-82A, SOT-343 UMZ18 200 सभा UMD4 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २ सभ्य 100 gaba @ 13 वी 17.96 वी
RBQ3RSM10BTL1 Rohm Semiconductor RBQ3RSM10BTL1 0.9000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 700 एमवी @ 3 ए 80 @a @ 100 वी 150 ° C 3 ए -
UMZ8.2NT106 Rohm Semiconductor UMZ8.2NT106 0.1156
सराय
 ECAD 7910 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ8.2 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी 30 ओम
KDZLVTFTR120 Rohm Semiconductor Kdzlvtftr120 0.4500
सराय
 ECAD 723 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzlvtftr120 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 91 V 120 वी
EMZ6.8NTL Rohm Semiconductor Emz6.8ntl 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-75, SOT-416 EMZ6.8 १५० तंग EMD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
UDZVFHTE-1747 Rohm Semiconductor UDZVFHTE-1747 0.3500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.32% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 36 वी 47 वी 600 ओम
BZX84B6V2LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B6V2LFHT116 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 1.94% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
EDZLDTE6111B Rohm Semiconductor Edzldte6111b -
सराय
 ECAD 1756 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzldt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-edzldte6111btr Ear99 8541.10.0050 3,000
RB495DT146 Rohm Semiconductor RB495DT146 0.5400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB495 schottky Smd3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 25 वी 200MA 500 एमवी @ 200 एमए 70 @a @ 25 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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