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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
UDZLVFHTE-1751 Rohm Semiconductor UDZLVFHTE-1751 0.4400
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZLVFHTE-1751 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 39 V 51 वी
RBR5RSM40BTFTL1 Rohm Semiconductor Rbr5rsm40btftl1 1.2100
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 5 ए 120 µA @ 40 वी 150 ° C 5 ए -
RF05VA1STR Rohm Semiconductor RF05VA1STR 0.0983
सराय
ECAD 3724 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-90, SOD-323F RF05VA1 तमाम TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 980 एमवी @ 500 एमए 25 एनएस 10 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RB531VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB531VM-30TE-17 0.3400
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB531 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 100 Ma 45 µA @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
EDZVT2R6.2B Rohm Semiconductor Edzvt2r6.2b 0.2800
सराय
ECAD 23 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 3 वी 6.2 वी 60 ओम
RB050LA-40TR Rohm Semiconductor RB050LA-40TR -
सराय
ECAD 3062 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB050 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RBR30NS40ATL Rohm Semiconductor RBR30NS40ATL 1.7100
सराय
ECAD 995 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 15 ए 620 mV @ 15 ए 360 µA @ 40 वी 150 ° C
YFZVFHTR2.2B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr2.2b 0.4300
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4.1% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr2.2 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 700 एमवी 2.32 वी 120 ओम
RB095BM-90TL Rohm Semiconductor RB095BM-90TL 0.7320
सराय
ECAD 8756 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB095 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 3 ए 750 एमवी @ 3 ए 150 µA @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
MTZJT-7718B Rohm Semiconductor MTZJT-7718B -
सराय
ECAD 7129 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सदाबहार @ १३ वी 18 वी 30 ओम
UDZWTE-172.2B Rohm Semiconductor UDZWTE-172.2B -
सराय
ECAD 6649 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
RB160A30T-32 Rohm Semiconductor RB160A30T-32 -
सराय
ECAD 3454 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-41, RB160 schottky एक प्रकार का होना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB081L-20TE25 Rohm Semiconductor RB081L-20TE25 0.5100
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB081 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 एमवी @ 500 एमए 700 µA @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB088T150NZC9 Rohm Semiconductor RB088T150NZC9 1.6000
सराय
ECAD 500 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB088 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 880 mV @ 5 ए 15 µa @ 150 V 150 ° C
TDZTR30 Rohm Semiconductor Tdztr30 0.3800
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr30 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 21 वी 30 वी
RB461FT106 Rohm Semiconductor RB461FT106 0.5000
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RB461 schottky UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 490 एमवी @ 700 एमए 200 @a @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
RB551VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB551VM-40FHTE-17 0.3800
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB551 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 430 एमवी @ 200 एमए 300 µA @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
UDZVFHTE-175.6B Rohm Semiconductor Udzvfhte-175.6b 0.3600
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.13% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2.5 V 5.61 वी 60 ओम
RF081MM2STR Rohm Semiconductor RF081MM2STR 0.4900
सराय
ECAD 303 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RF081 तमाम पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 एमवी @ 800 एमए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 800ma -
CDZVT2R4.7B Rohm Semiconductor Cdzvt2r4.7b 0.2700
सराय
ECAD 29 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2 @a @ 1 वी 4.7 वी 100 ओम
RBR2MM60BTFTR Rohm Semiconductor RBR2MM60BTFTR 0.4300
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR2MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 2 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RBR1LAM30ATR Rohm Semiconductor RBR1LAM30ATR 0.4700
सराय
ECAD 380 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr1lam330 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
UFZVFHTE-1715B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1715B 0.3100
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.63% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ ११ वी 15 वी 16 ओम
RB168VWM-60TFTR Rohm Semiconductor RB168VWM-60TFTR 0.5700
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 760 mV @ 1 ए ५०० सदाबहार @ ६० वी 175 ° C 1 क -
RB085BM-90FHTL Rohm Semiconductor RB085BM-90FHTL 1.6000
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB085 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 10 ए 830 mV @ 5 ए 7.4 एनएस 150 µA @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
YFZVFHTR33B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr3333b 0.4300
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.51% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr33 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २५ वी 31.1 वी 65 ओम
CDZVT2R27B Rohm Semiconductor Cdzvt2r27b 0.2700
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 kaga @ 21 वी 27 वी 150 ओम
PTZTE2524A Rohm Semiconductor PTZTE2524A 0.5200
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2524 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 19 वी 24 वी 16 ओम
RB068L100TE25 Rohm Semiconductor RB068L100TE25 0.1786
सराय
ECAD 7005 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 800 mV @ 2 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RB501V-40TE-17 Rohm Semiconductor RB501V-40TE-17 0.4100
सराय
ECAD 36 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB501 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 550 एमवी @ 100 एमए 30 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 6pf @ 10v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम