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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
UFZVFHTE-179.1B Rohm Semiconductor Ufzvfhte-179.1b 0.3100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.59% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 8 ओम
RB521S-30LDTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30LDTE61 -
सराय
 ECAD 3474 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB521 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB521S-30LDTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
RB521ASA-30FHT2RB Rohm Semiconductor RB521ASA-30FHT2RB 0.3600
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 schottky DFN1006-2W तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 470 एमवी @ 200 एमए 30 µa @ 10 V 125 ° C 200MA -
DZ2710000L Rohm Semiconductor DZ2710000L -
सराय
 ECAD 8768 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-DZ2710000LTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB521SU-30T2R Rohm Semiconductor RB521SU-30T2R -
सराय
 ECAD 3701 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB521 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB521SU-30T2RTR Ear99 8541.10.0080 3,000
RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor RBR10BGE30ATL 1.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR10 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 10 ए 550 एमवी @ 5 ए 100 µa @ 30 V 150 ° C
BZX84C22VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C22VLYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.68% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 15 वी 22 वी 55 ओम
BAS40-05HYFHT116 Rohm Semiconductor BAS40-05HYFHT116 0.4800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 schottky एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 120ma (डीसी डीसी) 1 वी @ 40 एमए 10 µa @ 40 V 150 ° C
BZX84B5V1LYT116 Rohm Semiconductor BZX84B5V1LYT116 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.96% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
BAT54SHYT116 Rohm Semiconductor BAT54SHYT116 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 30 वी 200ma (डीसी) 800 एमवी @ 100 एमए 50 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 ° C
RBR1VWM60ATFTR Rohm Semiconductor RBR1VWM60ATFTR 0.5800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RBR1VWM schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RBR1VWM60ATFTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 530 mV @ 1 ए 75 µA @ 60 V 150 ° C 1 क -
BZX84C8V2LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C8V2LYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.1% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 700 पायल @ 5 वी 8.2 वी 15 ओम
RB068L-40DDTE25 Rohm Semiconductor RB068L-40DDTE25 0.4800
सराय
 ECAD 937 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 690 mV @ 2 ए 1 µa @ 40 V 150 ° C 2 ए -
BZX84B7V5LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B7V5LYFHT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
RBR3L30ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR3L30ADDTE25 0.4600
सराय
 ECAD 44 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA Rbr3l30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 580 mV @ 3 ए 50 µa @ 30 V 150 ° C 3 ए -
BZX84B8V2LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B8V2LYFHT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.95% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 700 पायल @ 5 वी 8.2 वी 15 ओम
ADZT15R8.2B Rohm Semiconductor ADZT15R8.2B 0.3900
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.44% 150 ° C (TJ) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) 100 तंग DSN0603-2, SOD-962, SMD0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी
BZX84B27VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B27VLYT116 0.4500
सराय
 ECAD 350 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.85% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 सवार @ 19 वी 27 वी 80 ओम
BZX84C6V8LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C6V8LYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 4 वी 6.8 वी 15 ओम
BZX84B11VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B11VLYT116 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.82% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 20 ओम
BZX84B6V8LYT116 Rohm Semiconductor BZX84B6V8LYT116 0.4500
सराय
 ECAD 205 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.06% 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 4 वी 6.8 वी 15 ओम
DAN235FMT106 Rohm Semiconductor DAN235FMT106 0.5100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 Dan235 SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 200 सभा 1.2pf @ 6v, 1MHz सभा - 1 जोड़ी आम कैथोड कैथोड 35V 900MOHM @ 2MA, 100MHz
BZX84B5V6LYT116 Rohm Semiconductor BZX84B5V6LYT116 0.4600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.96% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 40 ओम
BZX84B36VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B36VLYT116 0.4500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.94% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 25 वी 36 वी 90 ओम
BZX84C4V3LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V3LYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.98% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
BZX84B33VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B33VLYFHT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.12% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kay @ 23 वी 33 वी 80 ओम
BZX84B16VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B16VLYFHT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 11 वी 16 वी 40 ओम
BZX84C7V5LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C7V5LYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
DAN235FMFHT106 Rohm Semiconductor DAN235FMFHT106 0.4600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 Dan235 SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 200 सभा 1.2pf @ 6v, 1MHz सभा - 1 जोड़ी आम कैथोड कैथोड 35V 900MOHM @ 2MA, 100MHz
DA2J10100L Rohm Semiconductor DA2J10100L -
सराय
 ECAD 3996 0.00000000 रोटी * कट कट टेप (सीटी) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

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