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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
EDZTE617.5B Rohm Semiconductor Edzte617.5b -
सराय
 ECAD 1484 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte617 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 30 ओम
RF1001NS2DFHTL Rohm Semiconductor RF1001NS2DFHTL 0.9900
सराय
 ECAD 722 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RF1001 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 930 mV @ 5 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SDZT15R6.8 Rohm Semiconductor SDZT15R6.8 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% 150 ° C सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं SDZT15 100 तंग Smd0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी
UDZLVFHTE-1775 Rohm Semiconductor UDZLVFHTE-1775 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZLVFHTE-1775 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ ५ वी वी 75 वी
SCS215AEC Rohm Semiconductor SCS215AEC -
सराय
 ECAD 8651 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS215 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 360 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए 550pf @ 1V, 1MHz
KDZLVTFTR56 Rohm Semiconductor Kdzlvtftr56 0.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzlvtftr56 1 डब एस एस -123 fl तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 @a @ 43 वी 56 वी
PTZTE256.8B Rohm Semiconductor PTZTE256.8B 0.2014
सराय
 ECAD 3686 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE256.8 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 3.5 V 7.3 वी 6 ओम
RB061QS-20T18R Rohm Semiconductor RB061QS-20T18R 0.5500
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं RB061 तमाम SMD1006 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 18,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 20 वी 470 mV @ 2 ए 200 @a @ 10 वी 150 ° C 2 ए -
EDZGTE6120B Rohm Semiconductor Edzgte6120b -
सराय
 ECAD 8404 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzgt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-EDZGTE6120BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
PDZVTFTR36B Rohm Semiconductor Pdzvtftr36b 0.4400
सराय
 ECAD 53 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr36 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 27 V 38 वी 20 ओम
TFZVTR16B Rohm Semiconductor Tfzvtr16b 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड TFZVTR16 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ १२ वी 16 वी 18 ओम
RB541SM-40FHT2R Rohm Semiconductor RB541SM-40FHT2R 0.0309
सराय
 ECAD 6632 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB541 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 610 एमवी @ 100 एमए 100 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
EDZTE616.8B Rohm Semiconductor Edzte616.8b 0.3600
सराय
 ECAD 91 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte616 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
UMZ6.8KFHTL Rohm Semiconductor UMZ6.8KFHTL 0.0659
सराय
 ECAD 5207 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-82A, SOT-343 UMZ6.8 200 सभा UMD4 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २ सभ्य 500 NA @ 3.5 V 6.79 वी
RB706WM-40TL Rohm Semiconductor RB706WM-40TL 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 RB706 schottky EMD3F तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ ५०० सवार @ ३० वी 125 ° C
RBR5L30ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR5L30ADDTE25 0.7500
सराय
 ECAD 454 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR5L30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 540 mV @ 5 ए 100 µa @ 30 V 150 ° C 5 ए -
RB078BGE30STL Rohm Semiconductor RB078BGE30STL 2.0200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB078 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 846-RB078BGE30STLTR Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 720 mV @ 5 ए 5 µa @ 30 V 150 ° C 5 ए -
1SS400FSTE61 Rohm Semiconductor 1SS400FSTE61 -
सराय
 ECAD 3233 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-1SS400FSTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
PDZVTR30A Rohm Semiconductor PDZVTR30A 0.1275
सराय
 ECAD 8565 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr30 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 23 वी 30 वी 18 ओम
RB088BM-60TL Rohm Semiconductor RB088BM-60TL 1.0900
सराय
 ECAD 310 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB088 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 10 ए 830 mV @ 5 ए 3 µa @ 60 V 150 ° C
RBR3LAM30BTFTR Rohm Semiconductor RBR3ALM30BTFTR 0.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr3llam30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 80 @a @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RB160A40T-31 Rohm Semiconductor RB160A40T-31 -
सराय
 ECAD 9207 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से AXIAL RB160 schottky - - Rohs3 आजthabairay तमाम 846-RB160A40T-31TR 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 510 mV @ 1 ए 30 µA @ 40 वी 150 ° C 1 क -
MTZJT-7715C Rohm Semiconductor MTZJT-7715C -
सराय
 ECAD 3946 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सवार @ ११ वी 15 वी 25 ओम
PTZTE255.6B Rohm Semiconductor PTZTE255.6b 0.2014
सराय
 ECAD 8532 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE255.6 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 1.5 V 5.95 वी 8 ओम
EDZGTE615.6B Rohm Semiconductor Edzgte615.6b -
सराय
 ECAD 5381 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzgt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-EDZGTE615.6BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RFUH20NS6SFHTL Rohm Semiconductor RFUH20NS6SFHTL 1.6700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RFUH20 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 20 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 315pf @ 0v, 1MHz
RB068MM100TFTR Rohm Semiconductor RB068MM100TFTR 0.4800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB068 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 870 mV @ 2 ए ४०० पायल @ १०० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RB021VA90TR Rohm Semiconductor RB021VA90TR 0.1948
सराय
 ECAD 4272 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB021 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 90 वी 490 एमवी @ 200 एमए 900 µA @ 90 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
EDZTE6122B Rohm Semiconductor Edzte6122b 0.3500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte6122 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 17 वी 22 वी 100 ओम
RBR1VWM40ATR Rohm Semiconductor RBR1VWM40ATR 0.4800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RBR1VWM schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 846-RBR1VWM40ATR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 520 mV @ 1 ए 50 µa @ 40 V 150 ° C 1 क -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    मानक उत्पाद एकक

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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