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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
EDZZTTE6118B Rohm Semiconductor Edzztte6118b -
सराय
 ECAD 5363 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzztt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-EDZZTTE6118BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
PDZVTR18A Rohm Semiconductor PDZVTR18A 0.4500
सराय
 ECAD 67 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.41% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr18 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 वी 17.95 वी 12 ओम
RFV8TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFV8TJ6SGC9 0.6813
सराय
 ECAD 2668 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 Rfv8tj6 तमाम TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 846-RFV8TJ6SGC9 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 8 ए 45 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
BZX84B15VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B15VLFHT116 0.2700
सराय
 ECAD 617 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 10 वी 15 वी 30 ओम
RB088T-30NZC9 Rohm Semiconductor RB088T-30NZC9 1.1500
सराय
 ECAD 997 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB088 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 10 ए 720 mV @ 5 ए 3 µa @ 30 V 150 ° C
RBR1L60ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR1L60ADDTE25 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR1L60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 530 mV @ 1 ए 75 µA @ 60 V 150 ° C 1 क -
PTZTE259.1B Rohm Semiconductor Ptzte259.1b 0.2014
सराय
 ECAD 9937 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA Ptzte259.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 6 वी 9.8 वी 6 ओम
RLZTE-118.2C Rohm Semiconductor RLZTE-118.2C -
सराय
 ECAD 3330 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8 वी 8 ओम
BZX84C3V9LT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V9LT116 0.2300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.12% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 वी 3.9 वी 90 ओम
CDZFHT2RA7.5B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra7.5b 0.4100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.15% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.44 वी 30 ओम
PTZTE2516B Rohm Semiconductor PTZTE2516B 0.2014
सराय
 ECAD 2288 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2516 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 12 वी 16.9 वी 12 ओम
RB411VAM-50TR Rohm Semiconductor RB411VAM-50TR 0.4300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB411 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 500 एमए 30 µa @ 10 V 125 ° C 500ma -
RN142ZS12ATE61 Rohm Semiconductor RN142ZS12ATE61 0.4312
सराय
 ECAD 6495 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) 12-XFDFN HMD12 (2.4x0.8) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 ५० सदा 0.45pf @ 1V, 1MHz पिन - ६ दुर्विक 30V 1.5OHM @ 10MA, 100MHz
RB088BM100TL Rohm Semiconductor RB088BM100TL 1.6000
सराय
 ECAD 12 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB088 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 870 mV @ 5 ए 5 µA @ 100 वी 150 ° C
RB238NS-60TL Rohm Semiconductor RB238NS-60TL 2.1500
सराय
 ECAD 862 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB238 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 40 ए 860 mV @ 20 ए 12 @a @ 60 वी 150 ° C
EDZVFHT2R4.3B Rohm Semiconductor Edzvfht2r4.3b 0.3400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.02% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 100 ओम
EDZVFHT2R30B Rohm Semiconductor Edzvfht2r30b 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 kay @ 23 वी 29.94 वी 200 ओम
RB510SM-40T2R Rohm Semiconductor RB510SM-40T2R 0.2000
सराय
 ECAD 41 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB510 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 480 एमवी @ 10 एमए 2 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
UFZVTE-1733B Rohm Semiconductor UFZVTE-1733B 0.3000
सराय
 ECAD 3456 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.51% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २५ वी 33 वी 65 ओम
RLZTE-115.1B Rohm Semiconductor RLZTE-115.1b -
सराय
 ECAD 3066 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 5 µa @ 1.5 V 5.1 वी 20 ओम
RSX078BGE2STL Rohm Semiconductor RSX078BGE2STL 1.2300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky TO-252GE तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 5 ए 200 सवार @ 200 वी 175 ° C 5 ए -
RB162VA-20TR Rohm Semiconductor RB162VA-20TR 0.1462
सराय
 ECAD 7184 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB162 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 400 mV @ 1 ए 1.2 पायल @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
KDZVTR18B Rohm Semiconductor Kdzvtr18b 0.3900
सराय
 ECAD 31 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr18 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 वी 19.15 वी
YDZVFHTR15 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr15 0.4000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Ydzvfhtr15 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 10 V 15 वी
RN731VFHTE-17 Rohm Semiconductor RN731VFHTE-17 0.0983
सराय
 ECAD 6973 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 125 ° C (TJ) SC-90, SOD-323F RN731 UMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 ५० सदा 0.4pf @ 35V, 1MHz पिन - एकल 50 वी 7ohm @ 10ma, 100mHz
BAV99HYT116 Rohm Semiconductor BAV99HYT116 0.4800
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV99 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 80 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 ° C
SCS306AJTLL Rohm Semiconductor SCS306AJTLL 3.7000
सराय
 ECAD 427 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS306 Sic (सिलिकॉन antairchama) LPTL तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 300pf @ 1V, 1MHz
RBR2VWM40ATR Rohm Semiconductor RBR2VWM40ATR 0.5100
सराय
 ECAD 522 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RBR2VWM schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 2 ए 50 µa @ 40 V 150 ° C 2 ए -
RB085T-40NZC9 Rohm Semiconductor RB085T-40NZC9 1.2900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB085 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 846-RB085T-40NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 10 ए 550 एमवी @ 5 ए 200 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB068LAM-60TR Rohm Semiconductor RB068LAM-60TR 0.4600
सराय
 ECAD 63 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 680 mV @ 2 ए 2 @a @ 60 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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