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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZX84C30VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C30VLYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 21 वी 30 वी 80 ओम
UDZLVTE-17100 Rohm Semiconductor UDZLVTE-17100 0.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzlvte 200 सभा सोड -323fl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 76 वी 100 वी
RB218BM200FHTL Rohm Semiconductor RB218BM200FHTL 2.0800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB218 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 880 mV @ 10 ए 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB751S-409HNTE61 Rohm Semiconductor RB751S-409HNTE61 -
सराय
 ECAD 3348 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB751 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB751S-409HNTE61TR शिर 3,000
TFZGTR6.2B Rohm Semiconductor Tfzgtr6.2b 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr6.2 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 3 वी 6.2 वी 10 ओम
RB095BM-60FHTL Rohm Semiconductor RB095BM-60FHTL 0.9700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB095 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 6 ए 580 mV @ 3 ए 8.3 एनएस 300 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBR10BM30AFHTL Rohm Semiconductor RBR10BM30AFHTL 0.9500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR10 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 10 ए 550 एमवी @ 5 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCS215AGHRC Rohm Semiconductor SCS215AGHRC -
सराय
 ECAD 2195 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS215 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए 550pf @ 1V, 1MHz
RBQ15BGE10ATL Rohm Semiconductor RBQ15BGE10ATL 2.2300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBQ15 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 15 ए 710 mV @ 7.5 ए 140 µA @ 100 वी 150 ° C
BZX84B11VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B11VLYFHT116 0.4200
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.82% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 11 वी 20 ओम
UDZWTE-1712B Rohm Semiconductor UDZWTE-1712B -
सराय
 ECAD 7465 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
RB168MM-30TFTR Rohm Semiconductor RB168MM-30TFTR 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB168 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 690 mV @ 1 ए ६०० सवार @ ३० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
EDZFHTE613.6B Rohm Semiconductor Edzfhte613.6b -
सराय
 ECAD 7299 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFHTE613.6BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB055LAM-30TFTR Rohm Semiconductor RB055MALL-30TFTR 0.4600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB055 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 3 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
TFZVTR36B Rohm Semiconductor Tfzvtr36b 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr36 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ २ वी वी 36 वी 75 ओम
RSX301LA-3YTR Rohm Semiconductor RSX301LA-3YTR -
सराय
 ECAD 3747 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur schottky - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RSX301LA-3YTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 mV @ 3 ए 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RB215T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB215T-60NZC9 1.9000
सराय
 ECAD 605 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB215 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB215T-60NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 20 ए 580 mV @ 10 ए 600 @a @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
YFZVFHTR12B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr12b 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.51% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr12 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 9 वी 11.74 वी 12 ओम
BAT54HMT116 Rohm Semiconductor BAT54HMT116 0.2400
सराय
 ECAD 51 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 800 एमवी @ 100 एमए 50 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 12pf @ 1V, 1MHz
UDZSTE-173.6B Rohm Semiconductor Udzste-173.6b 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 100 ओम
RB520S-30LDTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30LDTE61 -
सराय
 ECAD 3705 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-30LDTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
RB098BM-30FHTL Rohm Semiconductor RB098BM-30FHTL 1.0400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB098 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 6 ए 720 mV @ 3 ए 1.5 @a @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCS220KGHRC Rohm Semiconductor SCS220KGHRC -
सराय
 ECAD 8371 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS220 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 1060pf @ 1V, 1MHz
RB238NS-40FHTL Rohm Semiconductor RB238NS-40FHTL 2.3700
सराय
 ECAD 891 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB238 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 40 ए 800 एमवी @ 20 ए 12 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RSX1001T3 Rohm Semiconductor RSX1001T3 1.1900
सराय
 ECAD 460 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RSX1001 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 5 ए 450 mV @ 5 ए 500 @a @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBE05SM20AT2R Rohm Semiconductor RBE05SM20AT2R -
सराय
 ECAD 2632 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 530 एमवी @ 500 एमए 150 @a @ 20 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RF2L6STE25 Rohm Semiconductor RF2L6STE25 0.6900
सराय
 ECAD 34 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RF2L6 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 1.5 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
PDZVTR4.7A Rohm Semiconductor Pdzvtr4.7a 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.38% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr4.7 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 4.65 वी 10 ओम
RB168L150TE25 Rohm Semiconductor RB168L150TE25 0.1613
सराय
 ECAD 5329 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 840 mV @ 1 ए 4 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB055LAM-60TR Rohm Semiconductor RB055MAL-60TR 0.4100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB055 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 680 mV @ 3 ए 70 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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