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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RB160A60T-32 Rohm Semiconductor RB160A60T-32 -
सराय
 ECAD 4137 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-41, RB160 schottky एक प्रकार का होना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 550 mV @ 1 ए 50 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RBR30NS60ATL Rohm Semiconductor RBR30NS60ATL 1.7100
सराय
 ECAD 945 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 670 mV @ 15 ए 600 @a @ 60 V 150 ° C
RLZTE-1113C Rohm Semiconductor RLZTE-1113C -
सराय
 ECAD 4883 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 200 सवार @ 10 वी 13 वी 14 ओम
RFN10TB4SNZC9 Rohm Semiconductor RFN10TB4SNZC9 1.8200
सराय
 ECAD 985 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFN10 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFN10TB4SNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 430 वी 1.55 वी @ 10 ए 30 एनएस 10 µA @ 430 V 150 ° C 10 ए -
RSX058LAP2STR Rohm Semiconductor RSX058LAP2STR 0.6200
सराय
 ECAD 5376 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 schottky सोद -128 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 3 ए 100 kay @ 200 वी 175 ° C 3 ए -
BAT54AHMT116 Rohm Semiconductor BAT54AHMT116 0.2800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 200ma (डीसी) 800 एमवी @ 100 एमए 50 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RFUH10TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RFUH10TF6SFHC9 1.6900
सराय
 ECAD 596 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 Rfuh10 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
EDZFHTE6118B Rohm Semiconductor Edzfhte6118b -
सराय
 ECAD 8123 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFHTE6118BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RLZTE-116.2C Rohm Semiconductor RLZTE-116.2C -
सराय
 ECAD 7810 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 5 µa @ 3 वी 6.2 वी 10 ओम
RB717UMTL Rohm Semiconductor RB717UMTL 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 RB717 schottky UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ 1 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB520VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB520VM-40FHTE-17 0.3500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB520 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 550 एमवी @ 100 एमए 10 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB751CS-40FHT2RA Rohm Semiconductor RB751CS-40FHT2RA 0.4600
सराय
 ECAD 24 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-923 RB751 schottky VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 370 mV @ 1 सना हुआ ५०० सवार @ ३० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30ma 2PF @ 1V, 1MHz
RF501BGE2STL Rohm Semiconductor RF501BGE2STL 1.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RF501 तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 5 ए 25 एनएस 1 µa @ 200 वी 150 ° C 5 ए -
1N4148T-73 Rohm Semiconductor 1N4148T-73 -
सराय
 ECAD 2264 0.00000000 रोटी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N4148 तमाम जीएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1 वी @ 10 एमए 4 एनएस 5 @a @ 75 वी -65 ° C ~ 200 ° C 150ma 4pf @ 0v, 1MHz
RB048RSM15STL1 Rohm Semiconductor RB048RSM15STL1 1.3700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 880 mV @ 8 ए 3.7 @a @ 150 V 175 ° C 8 ए -
RLZTE-1136B Rohm Semiconductor RLZTE-1136B -
सराय
 ECAD 8571 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सवार @ २ वी वी 33.6 वी 75 ओम
BZX84C24VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C24VLFHT116 0.1600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.79% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 17 वी 24.2 वी 70 ओम
KDZTFTR3.9B Rohm Semiconductor Kdztftr3.9b -
सराय
 ECAD 2628 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.41% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdztftr3.9 1 डब पेडु - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 40 µA @ 1 वी 3.9 वी
RFUH10NS4SFHTL Rohm Semiconductor RFUH10NS4SFHTL 1.2800
सराय
 ECAD 8306 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rfuh10 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 430 वी 1.7 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µA @ 430 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 150pf @ 0v, 1MHz
UDZVTE-1716B Rohm Semiconductor UDZVTE-1716b 0.2700
सराय
 ECAD 18 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 12 वी 16 वी 50 ओम
RBR3MM30ATFTR Rohm Semiconductor RBR3MM30ATFTR 0.5000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR3MM30 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 510 mV @ 3 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RR601B4STL Rohm Semiconductor RR601B4STL -
सराय
 ECAD 7434 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - RR601B4 तमाम - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.15 वी @ 2 ए 2 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
RF501B6STL Rohm Semiconductor RF501B6STL -
सराय
 ECAD 1983 0.00000000 रोटी * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 2,500
BZX84C4V7LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V7LFHT116 0.2600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.38% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 2 वी 4.7 वी 80 ओम
PTZTE253.9A Rohm Semiconductor PTZTE253.9A 0.2014
सराय
 ECAD 8644 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE253.9 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 40 µA @ 1 वी 3.9 वी 15 ओम
RLZTE-113.3B Rohm Semiconductor RLZTE-113.3b -
सराय
 ECAD 3978 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Rlzte113.3b Ear99 8541.10.0050 2,500
UDZVFHTE-172.7B Rohm Semiconductor UDZVFHTE-172.7B 0.3500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 4.07% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 µA @ 1 वी 2.7 वी 110 ओम
RRE02VTM4SFHTR Rohm Semiconductor RRE02VTM4SFHTR 0.4500
सराय
 ECAD 59 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rre02 तमाम TUMD2SM तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 400 वी 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB751CM-40T2R Rohm Semiconductor RB751CM-40T2R 0.3700
सराय
 ECAD 69 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB751 schottky Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 370 mV @ 1 सना हुआ ५०० सवार @ ३० वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30ma -
PTZTFTE257.5B Rohm Semiconductor PTZTFTE257.5B 0.6100
सराय
 ECAD 950 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 4 वी 7.95 वी 4 ओम
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

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    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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