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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
UDZWTE-173.0B Rohm Semiconductor UDZWTE-173.0b -
सराय
 ECAD 1402 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
RBR30NS30AFHTL Rohm Semiconductor RBR30NS30AFHTL 1.5300
सराय
 ECAD 950 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 30 ए 550 mV @ 15 ए 300 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RF202LAM2STR Rohm Semiconductor RF202ALM2STR 0.5500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RF202 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 930 mV @ 2 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 ° C 2 ए -
RB068VWM-30TR Rohm Semiconductor RB068VWM-30TR 0.4800
सराय
 ECAD 45 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB068 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 750 mV @ 2 ए ६०० सवार @ ३० वी 175 ° C 2 ए -
BAS16HMFHT116 Rohm Semiconductor BAS16HMFHT116 0.2300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas16 तमाम SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 215mA 2pf @ 0v, 1MHz
TFZVTR16B Rohm Semiconductor Tfzvtr16b 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड TFZVTR16 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ १२ वी 16 वी 18 ओम
UDZLVTE-1775 Rohm Semiconductor UDZLVTE-1775 0.3000
सराय
 ECAD 6764 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzlvte 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ ५ वी वी 75 वी
KDZVTR13B Rohm Semiconductor Kdzvtr13b 0.3900
सराय
 ECAD 63 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr13 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 10 V 14.15 वी
RB088NS200TL Rohm Semiconductor RB088NS200TL 2.1900
सराय
 ECAD 755 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB088 schottky LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 880 mV @ 5 ए 7 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84B36VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B36VLYT116 0.4500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.94% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 25 वी 36 वी 90 ओम
RB058RSM15STFTL1 Rohm Semiconductor RB058RSM15STFTL1 1.3300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन RB058 schottky To-277a तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 830 mV @ 3 ए 2.1 @a @ 150 V 175 ° C 3 ए -
PDZVTR9.1A Rohm Semiconductor PDZVTR9.1A 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.08% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr9.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 6 वी 9.05 वी 6 ओम
PTZTFTE2533B Rohm Semiconductor Ptztfte253333b 0.6100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 25 वी 35 वी 18 ओम
RB021VA90TR Rohm Semiconductor RB021VA90TR 0.1948
सराय
 ECAD 4272 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB021 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 90 वी 490 एमवी @ 200 एमए 900 µA @ 90 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RFN2LAM4STR Rohm Semiconductor Rfn2lam4str 0.5400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rfn2lame4 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1.5 ए 30 एनएस 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
KDZVTR3.3B Rohm Semiconductor Kdzvtr3.3b 0.4300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr3.3 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 80 @a @ 1 वी 3.3 वी
MTZJT-776.8B Rohm Semiconductor MTZJT-776.8B -
सराय
 ECAD 5600 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 2 µa @ 3.5 V 6.8 वी 20 ओम
BZX84C30VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C30VLYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 21 वी 30 वी 80 ओम
MTZJT-7224C Rohm Semiconductor MTZJT-7224C -
सराय
 ECAD 4704 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम MTZJT7224C Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सदाबहार @ वी वी 24 वी 35 ओम
UDZVFHTE-1722B Rohm Semiconductor UDZVFHTE-1722B 0.3900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.11% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 17 वी 22 वी 100 ओम
EDZVFHT2R6.8B Rohm Semiconductor Edzvfht2r6.8b 0.2800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 500 NA @ 3.5 V 6.79 वी 40 ओम
RB160MM-50TR Rohm Semiconductor RB160MM-50TR 0.4100
सराय
 ECAD 75 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB160 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 510 mV @ 1 ए 30 µA @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB521S-30LDTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30LDTE61 -
सराय
 ECAD 3474 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB521 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB521S-30LDTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
PTZTE254.3A Rohm Semiconductor PTZTE254.3a 0.2014
सराय
 ECAD 7713 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE254.3 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µA @ 1 वी 4.3 वी 15 ओम
KDZTR13B Rohm Semiconductor Kdztr13b 0.5200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdztr13 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 10 V 13.8 वी
DA228KFHT146 Rohm Semiconductor DA228KFHT146 0.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DA228 तमाम Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PDZVTFTR9.1B Rohm Semiconductor Pdzvtftr9.1b 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr9.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 6 वी 9.65 वी 6 ओम
RB851YGT2RB Rohm Semiconductor RB851YGT2RB -
सराय
 ECAD 4663 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB851YGT2RBTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 3 वी 30ma (डीसी) 460 mV @ 1 सना हुआ 700 पायल @ 1 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
KDZVTFTR18B Rohm Semiconductor Kdzvtftr18b 0.4700
सराय
 ECAD 23 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.39% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr18 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 वी 19.15 वी
PTZTFTE2530B Rohm Semiconductor PTZTFTE2530B 0.6100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 23 वी 32 वी 18 ओम
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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