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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RBR1VWM60ATFTR Rohm Semiconductor RBR1VWM60ATFTR 0.5800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RBR1VWM schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 846-RBR1VWM60ATFTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 530 mV @ 1 ए 75 µA @ 60 V 150 ° C 1 क -
UMZ6.8NT106 Rohm Semiconductor Umz6.8nt106 0.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ6.8 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
RB098BM-30FHTL Rohm Semiconductor RB098BM-30FHTL 1.0400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB098 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 6 ए 720 mV @ 3 ए 1.5 @a @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84C8V2LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C8V2LFHT116 0.2600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.1% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 700 पायल @ 5 वी 8.2 वी 15 ओम
RB751S-409HNTE61 Rohm Semiconductor RB751S-409HNTE61 -
सराय
 ECAD 3348 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) शिर RB751 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-RB751S-409HNTE61TR शिर 3,000
BZX84C20VLT116 Rohm Semiconductor BZX84C20VLT116 0.2300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 14 वी 20 वी 55 ओम
UFZVTE-1720B Rohm Semiconductor UFZVTE-1720B 0.3000
सराय
 ECAD 170 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 2.55% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 15 वी 20 वी 28 ओम
RLZTE-116.8B Rohm Semiconductor RLZTE-116.8B -
सराय
 ECAD 8079 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 2 µa @ 3.5 V 6.8 वी 8 ओम
CDZVT2R8.2B Rohm Semiconductor Cdzvt2r8.2b 0.2700
सराय
 ECAD 21 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी 30 ओम
RBR1L30ATE25 Rohm Semiconductor RBR1L30ATE25 0.5300
सराय
 ECAD 15 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR1L30 schottky तमाम - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
EDZFHTE6110B Rohm Semiconductor Edzfhte6110b -
सराय
 ECAD 7509 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप rayr ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-EDZFHTE6110BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
SCS210AGHRC Rohm Semiconductor SCS210AGHRC 6.3600
सराय
 ECAD 792 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS210 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 10 ए 0 एनएस 200 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 365pf @ 1V, 1MHz
1SS400S7STE61 Rohm Semiconductor 1SS400S7STE61 -
सराय
 ECAD 7474 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-1SS400S7STE61TR शिर 3,000
MTZJT-7212B Rohm Semiconductor MTZJT-7212B -
सराय
 ECAD 1346 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Mtzjt7212b Ear99 8541.10.0050 5,000 200 सवार @ 9 वी 12 वी 25 ओम
RFN5B3STL Rohm Semiconductor RFN5B3STL -
सराय
 ECAD 9104 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 तमाम सीपीडी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.5 वी @ 5 ए 30 एनएस 10 µA @ 350 V 150 ° C 5 ए -
1SS355TE-17 Rohm Semiconductor 1SS355TE-17 0.2900
सराय
 ECAD 523 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-90, SOD-323F 1SS355 तमाम UMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 0.5V, 1MHz
YFZVFHTR36B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr36b 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.53% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr36 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ २ वी वी 33.64 वी 75 ओम
BZX84C13VLT116 Rohm Semiconductor BZX84C13VLT116 0.2300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.54% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 13 वी 30 ओम
UMZ6.8ENTR Rohm Semiconductor UMZ6.8ENTR 0.4700
सराय
 ECAD 840 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 5% - सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 UMZ6.8 200 सभा UMD5 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 जोड़ी आम एनोड 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
RR2L6SDDTE25 Rohm Semiconductor RR2L6SDDTE25 0.5700
सराय
 ECAD 85 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RR2L6 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 2 ए 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
KDZVTR12B Rohm Semiconductor Kdzvtr12b 0.3900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप rayr ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr12 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 9 वी 12.75 वी
KDZVTR10B Rohm Semiconductor Kdzvtr10b 0.3900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप rayr ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr10 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 7 V 10.6 वी
TDZTR6.2 Rohm Semiconductor Tdztr6.2 0.1088
सराय
 ECAD 1397 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr6.2 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 3 वी 6.2 वी
RBR2L60BDDTE25 Rohm Semiconductor RBR2L60BDDTE25 0.6900
सराय
 ECAD 432 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR2L60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 520 mV @ 2 ए 150 µA @ 60 V 150 ° C 2 ए -
YFZVFHTR2.4B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr2.4b 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 3.95% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr2.4 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 1 वी 2.53 वी 100 ओम
RB521S-30FVTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30FVTE61 -
सराय
 ECAD 8667 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) शिर RB521 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-RB521S-30FVTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
UMZ16NFHT106 Rohm Semiconductor UMZ16NFHT106 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ16 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 kaga @ 12 वी 16.18 वी 50 ओम
SCS320AHGC9 Rohm Semiconductor SCS320AHGC9 10.1000
सराय
 ECAD 595 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS320 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220acp तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 1000pf @ 1V, 1MHz
RB521ASA-30FHT2RB Rohm Semiconductor RB521ASA-30FHT2RB 0.3600
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 schottky DFN1006-2W तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 470 एमवी @ 200 एमए 30 µa @ 10 V 125 ° C 200MA -
RF305BM6STL Rohm Semiconductor RF305BM6STL 1.0400
सराय
 ECAD 260 0.00000000 रोटी - R टेप rayr ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RF305 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 3 ए 30 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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