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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RBR30NS60AFHTL Rohm Semiconductor RBR30NS60AFHTL 1.5700
सराय
 ECAD 680 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 30 ए 670 mV @ 15 ए 600 @a @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RF601BM2DFHTL Rohm Semiconductor RF601BM2DFHTL 1.1200
सराय
 ECAD 2885 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RF601 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 6 ए 930 mV @ 3 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
UFZVTE-176.2B Rohm Semiconductor UFZVTE-176.2B 0.3000
सराय
 ECAD 207 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 3 वी 6.2 वी 10 ओम
RB521ZS-3AZT2R Rohm Semiconductor RB521ZS-3AZT2R -
सराय
 ECAD 8384 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB521 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB521ZS-3AZT2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000
RB520VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB520VM-30TE-17 0.4000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB520 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB520VM-30TE-17CT Ear99 8541.10.0080 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 580 एमवी @ 200 एमए 1 µa @ 10 V 150 ° C 200MA -
RLZTE-118.2A Rohm Semiconductor Rlzte-118.2a -
सराय
 ECAD 4736 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8 वी 8 ओम
1SR139-600T-31 Rohm Semiconductor 1SR139-600T-31 -
सराय
 ECAD 8843 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-41, 1SR139 तमाम एक प्रकार का होना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1SR139600T31 Ear99 8541.10.0080 2,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RBR15BM60AFHTL Rohm Semiconductor RBR15BM60AFHTL 1.3100
सराय
 ECAD 259 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR15 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 580 mV @ 7.5 ए 400 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBR10NS40ATL Rohm Semiconductor RBR10NS40ATL 1.4300
सराय
 ECAD 909 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR10 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 5 ए 620 mV @ 5 ए 120 µA @ 40 वी 150 ° C
RB068VWM-40TFTR Rohm Semiconductor RB068VWM-40TFTR 0.5800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB068 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 790 mV @ 2 ए ५०० सवार @ ४० वी 175 ° C 2 ए -
RBQ20T45ANZC9 Rohm Semiconductor RBQ20T45ANZC9 1.5000
सराय
 ECAD 995 0.00000000 रोटी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RBQ20 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 650 mV @ 10 ए 140 @a @ 45 V 150 ° C
CDZVT2R3.0B Rohm Semiconductor Cdzvt2r3.0b 0.2700
सराय
 ECAD 38 0.00000000 रोटी सीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 50 µa @ 1 वी 3 वी 120 ओम
RBR3MM40ATFTR Rohm Semiconductor RBR3MM40ATFTR 0.4400
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR3MM40 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 3 ए 80 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
BZX84B30VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B30VLYT116 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 21 वी 30 वी 80 ओम
RLZTE-1112A Rohm Semiconductor RLZTE-1112A -
सराय
 ECAD 6893 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 200 सवार @ 9 वी 12 वी 12 ओम
PTZTFTE2513B Rohm Semiconductor PTZTFTE2513B 0.6100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.01% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 10 V 14.15 वी 10 ओम
UDZWTE-172.4B Rohm Semiconductor UDZWTE-172.4b -
सराय
 ECAD 6274 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
EDZVT2R3.0B Rohm Semiconductor Edzvt2r3.0b 0.3100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 3 वी
RFUH20TB4S Rohm Semiconductor RFUH20TB4S 0.7725
सराय
 ECAD 7255 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RFUH20 तमाम To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 430 वी 1.7 वी @ 20 ए 25 एनएस 10 µA @ 430 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
UFZVFHTE-1722B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1722B 0.3100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.61% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 17 वी 22 वी 30 ओम
RLZTE-1127A Rohm Semiconductor RLZTE-1127A -
सराय
 ECAD 3209 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1127 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सवार @ २१ वी 25.6 वी 45 ओम
BAS21HMFHT116 Rohm Semiconductor BAS21HMFHT116 0.2000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas21 तमाम SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 200 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 2.5pf @ 0v, 1MHz
EDZFJTE6133B Rohm Semiconductor Edzfjte613333b -
सराय
 ECAD 5063 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfjt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFJTE6133BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
MTZJT-7224B Rohm Semiconductor MTZJT-7224B -
सराय
 ECAD 3588 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt7224b Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सदाबहार @ वी वी 24 वी 35 ओम
RB520S-30GTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30GTE61 -
सराय
 ECAD 9112 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-30GTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
1SS400CST2RA Rohm Semiconductor 1SS400CST2RA 0.4800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur Sod-923 1SS400 तमाम VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 0.5V, 1MHz
RFN3B6STL Rohm Semiconductor RFN3B6STL -
सराय
 ECAD 6233 0.00000000 रोटी * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 2,500
RB160LAM-40TR Rohm Semiconductor RB160LAME-40TR 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB160 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB520S-309HNTE61 Rohm Semiconductor RB520S-309HNTE61 -
सराय
 ECAD 3198 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-309HNTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
RLZTE-117.5B Rohm Semiconductor RLZTE-117.5b -
सराय
 ECAD 3647 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.3 वी 8 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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