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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
DAP202UT106 Rohm Semiconductor Dap202ut106 -
सराय
 ECAD 4751 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-70, SOT-323 DAP202 तमाम UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB225T-40 Rohm Semiconductor RB225T-40 1.5141
सराय
 ECAD 3718 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB225 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 15 ए 630 mV @ 15 ए 500 µA @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84C22VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C22VLYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.68% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 15 वी 22 वी 56 ओम
RLZTE-1130B Rohm Semiconductor RLZTE-1130B -
सराय
 ECAD 6010 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सदाबहार @ २३ वी 28.4 वी 55 ओम
RBQ20NS100ATL Rohm Semiconductor RBQ20NS100ATL 2.9500
सराय
 ECAD 948 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBQ20 schottky To-263s तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 770 mV @ 10 ए 140 µA @ 100 वी 150 ° C
TFZGTR6.8B Rohm Semiconductor Tfzgtr6.8b 0.0886
सराय
 ECAD 9688 0.00000000 रोटी * R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं Tfzgtr6.8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
RB055LAM-40TR Rohm Semiconductor RB055MALL-40TR 0.4800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB055 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
TFZTR9.1B Rohm Semiconductor Tfztr9.1b 0.0886
सराय
 ECAD 9703 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfztr9.1 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 9.1 वी
TFZGTR9.1B Rohm Semiconductor Tfzgtr9.1b 0.0886
सराय
 ECAD 9083 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr9.1 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 8 ओम
RF081LAM2STR Rohm Semiconductor RF081LAM2STR 0.4400
सराय
 ECAD 4049 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RF081 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 1 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.1 ए -
RB056L-40TE25 Rohm Semiconductor RB056L-40TE25 0.4600
सराय
 ECAD 9309 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB056 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 670 mV @ 3 ए 50 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RF051UA1DTR Rohm Semiconductor RF051UA1DTR 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 RF051 तमाम Tsmd6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 100 वी 500ma 980 एमवी @ 500 एमए 25 एनएस 10 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
1SS4009HLTE61 Rohm Semiconductor 1SS4009HLTE61 -
सराय
 ECAD 5082 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-1SS4009HLTE61TR शिर 3,000
RB480YFJT2R Rohm Semiconductor RB480YFJT2R -
सराय
 ECAD 2993 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB480YFJT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 30 वी 100ma 530 एमवी @ 100 एमए 1 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB160MM-60TFTR Rohm Semiconductor RB160MM-60TFTR 0.4600
सराय
 ECAD 25 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB160 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 550 mV @ 1 ए 50 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
KDZTR5.6B Rohm Semiconductor Kdztr5.6b 0.1836
सराय
 ECAD 3255 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdztr5.6 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1.5 V 5.6 वी
RFN10BM6SFHTL Rohm Semiconductor RFN10BM6SFHTL 1.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RFN10 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 10 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
DAN222TL Rohm Semiconductor DAN222TL 0.3600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-75, SOT-416 Dan222 तमाम EMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBR10BGE30ATL Rohm Semiconductor RBR10BGE30ATL 1.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR10 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 10 ए 550 एमवी @ 5 ए 100 µa @ 30 V 150 ° C
BAT54SHYT116 Rohm Semiconductor BAT54SHYT116 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 30 वी 200ma (डीसी) 800 एमवी @ 100 एमए 50 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 ° C
KDZLVTFTR51 Rohm Semiconductor Kdzlvtftr51 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzlvtftr51 1 डब एस एस -123 fl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 39 V 51 वी
RB521CS-30T2RA Rohm Semiconductor RB521CS-30T2RA 0.4600
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur Sod-923 RB521 schottky VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 350 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 10 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RB060M-60DDTR Rohm Semiconductor RB060M-60DDTR 0.1660
सराय
 ECAD 9348 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RB060 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 610 mV @ 2 ए 50 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RF202LAM2STFTR Rohm Semiconductor RF202ALM2STFTR 0.6000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RF202 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 930 mV @ 2 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
PTZTE2520B Rohm Semiconductor PTZTE2520B 0.2014
सराय
 ECAD 5725 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2520 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 15 V 20.8 वी 14 ओम
PTZTE259.1A Rohm Semiconductor Ptzte259.1a 0.2014
सराय
 ECAD 3478 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA Ptzte259.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 6 वी 9.1 वी 6 ओम
RBR2LAM60ATFTR Rohm Semiconductor RBR2LAM60ATFTR 0.4500
सराय
 ECAD 17 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RBR2LAMB60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 75 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
EDZVT2R8.2B Rohm Semiconductor Edzvt2r8.2b 0.2800
सराय
 ECAD 222 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी 30 ओम
RB521S-30HRTE61 Rohm Semiconductor RB521S-30HRTE61 -
सराय
 ECAD 8807 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB521 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB521S-30HRTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
KDZVTFTR13B Rohm Semiconductor Kdzvtftr13b 0.4700
सराय
 ECAD 728 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.54% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr13 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 10 V 14.15 वी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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