SIC
close

अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BAS40HYT116 Rohm Semiconductor BAS40HYT116 0.5100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 schottky एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 846-BAS40HYT116TR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 1 वी @ 40 एमए 10 µa @ 40 V 150 ° C 120ma -
UDZVFHTE-179.1B Rohm Semiconductor Udzvfhte-179.1b 0.3900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.09% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 30 ओम
BZX84B24VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B24VLFHT116 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.08% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 17 वी 24 वी 70 ओम
RFN2L6SDDTE25 Rohm Semiconductor RFN2L6SDDTE25 0.6500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RFN2L6 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 1.5 ए 35 एनएस 1 @a @ 600 वी 150 ° C 1.5 ए -
RFNL20TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFNL20TJ6SGC9 1.9200
सराय
 ECAD 879 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFNL20 तमाम TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 20 ए 180 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
IMN10T108 Rohm Semiconductor IMN10T108 0.4600
सराय
 ECAD 22 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 IMN10 तमाम Smt6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBR3LAM40ATFTR Rohm Semiconductor RBR3ALM40ATFTR 0.4400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr3alm40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 50 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
SCS308AJTLL Rohm Semiconductor SCS308AJTLL 4.5900
सराय
 ECAD 981 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS308 Sic (सिलिकॉन antairchama) LPTL तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 400pf @ 1V, 1MHz
RB530CM-60T2R Rohm Semiconductor RB530CM-60T2R 0.3100
सराय
 ECAD 38 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB530 schottky Vmn2m तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 600 एमवी @ 15 एमए 1 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RB055LA-40TR Rohm Semiconductor RB055LA-40TR -
सराय
 ECAD 6084 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB055 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RB060M-40DDTR Rohm Semiconductor RB060M-40DDTR 0.2460
सराय
 ECAD 2430 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RB060 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 560 mV @ 2 ए 500 µA @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RF1005TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RF1005TF6SFHC9 2.0300
सराय
 ECAD 954 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RF1005 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 10 ए 40 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
EDZTE6136B Rohm Semiconductor Edzte6136b -
सराय
 ECAD 3392 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte6136 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 27 वी 36 वी 300 ओम
UMZ16NT106 Rohm Semiconductor Umz16nt106 0.6600
सराय
 ECAD 80 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 UMZ16 200 सभा UMD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 kaga @ 12 वी 16 वी 50 ओम
PTZTE2533B Rohm Semiconductor PTZTE253333b 0.5200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2533 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 25 वी 35 वी 18 ओम
TFZGTR2.0B Rohm Semiconductor Tfzgtr2.0b 0.0886
सराय
 ECAD 9419 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड TFZGTR2.0 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 वी
VDZT2R8.2B Rohm Semiconductor Vdzt2r8.2b 0.4100
सराय
 ECAD 225 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी 30 ओम
RB088BM100FHTL Rohm Semiconductor RB088BM100FHTL 1.1700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB088 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 870 mV @ 5 ए 8.2 एनएस 5 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RLZTE-1130A Rohm Semiconductor RLZTE-1130A -
सराय
 ECAD 1157 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सदाबहार @ २३ वी 28.4 वी 55 ओम
UDZSTE-173.6B Rohm Semiconductor Udzste-173.6b 0.3900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 100 ओम
MTZJT-7213C Rohm Semiconductor MTZJT-7213C -
सराय
 ECAD 1473 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम MTZJT7213C Ear99 8541.10.0050 5,000 200 सवार @ 10 वी 13 वी 25 ओम
KDZVTR3.9B Rohm Semiconductor Kdzvtr3.9b 0.3800
सराय
 ECAD 16 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr3.9 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 40 µA @ 1 वी 4.15 वी
YFZVFHTR3.6B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr3.6b 0.4300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.29% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr3.6 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.72 वी 60 ओम
RB031B-40TL Rohm Semiconductor RB031B-40TL -
सराय
 ECAD 9652 0.00000000 रोटी * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 2,500
RLZTE-1120C Rohm Semiconductor RLZTE-1120C -
सराय
 ECAD 5999 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1120 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 200 सवार @ 15 वी 19.1 वी 28 ओम
RB060MM-30TFTR Rohm Semiconductor RB060MM-30TFTR 0.6100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB060 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 2 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
PTZTE2520A Rohm Semiconductor PTZTE2520A 0.5200
सराय
 ECAD 960 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2520 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 15 V 20 वी 14 ओम
TFZVTR33B Rohm Semiconductor Tfzvtr3333b 0.3700
सराय
 ECAD 7729 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr33 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २५ वी 33 वी 65 ओम
VDZT2R2.0B Rohm Semiconductor Vdzt2r2.0b -
सराय
 ECAD 4704 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2 वी
RBR20NS30AFHTL Rohm Semiconductor RBR20NS30AFHTL 1.4400
सराय
 ECAD 814 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR20 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 20 ए 550 mV @ 10 ए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें