SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
UFZVFHTE-1724B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1724B 0.3100
सराय
ECAD 5311 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.58% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ वी वी 24 वी 35 ओम
RBR30T30ANZC9 Rohm Semiconductor RBR30T30ANZC9 1.6900
सराय
ECAD 988 0.00000000 रोटी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RBR30 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 15 ए 550 mV @ 15 ए 300 µA @ 30 V 150 ° C
RBR10NS40AFHTL Rohm Semiconductor RBR10NS40AFHTL 1.1400
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR10 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 10 ए 620 mV @ 5 ए 8.9 एनएस 120 µA @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RFN2LAM4STR Rohm Semiconductor Rfn2lam4str 0.5400
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rfn2lame4 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1.5 ए 30 एनएस 1 µa @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
SCS210AGC Rohm Semiconductor SCS210AGC -
सराय
ECAD 5501 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS210 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 10 ए 0 एनएस 200 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 365pf @ 1V, 1MHz
RF1601T2D Rohm Semiconductor RF1601T2D -
सराय
ECAD 2551 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RF1601 तमाम To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 8 ए 930 mV @ 8 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB162VAM-20TR Rohm Semiconductor RB162VAM-20TR 0.4200
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB162 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 400 mV @ 1 ए 1.2 पायल @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RF05VYM2SFHTR Rohm Semiconductor RF05VYM2SFHTR 0.4000
सराय
ECAD 21 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RF05VYM2 तमाम TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 एमवी @ 500 एमए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RB228NS150TL Rohm Semiconductor RB228NS150TL 2.2000
सराय
ECAD 520 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB228 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 30 ए 880 mV @ 15 ए 25 @a @ 150 V 150 ° C
BZX84C4V3LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V3LYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.98% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
1SS400LTE61 Rohm Semiconductor 1SS400LTE61 -
सराय
ECAD 5328 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-1SS400LTE61TR शिर 3,000
RBR2LB30ATBR1 Rohm Semiconductor RBR2LB30ATBR1 0.6100
सराय
ECAD 2742 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB RBR2LB schottky एसएमबीपी तंग 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 2 ए 80 @a @ 30 वी 150 ° C 2 ए -
RFN5BM2STL Rohm Semiconductor RFN5BM2STL 1.1200
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfn5b तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 5 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
1SS390TE61 Rohm Semiconductor 1SS390TE61 0.4000
सराय
ECAD 441 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 1SS390 EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 100 सवार १५० तंग 1.2pf @ 6v, 1MHz तंग - एकल 35V 900MOHM @ 2MA, 100MHz
VDZT2R5.6B Rohm Semiconductor Vdzt2r5.6b -
सराय
ECAD 3249 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 2.5 V 5.6 वी 60 ओम
BZX84C20VLT116 Rohm Semiconductor BZX84C20VLT116 0.2300
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 14 वी 20 वी 55 ओम
KDZVTR2.0B Rohm Semiconductor Kdzvtr2.0b 0.4300
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr2.0 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 µA @ 500 एमवी 2.12 वी
TFZVTR2.4B Rohm Semiconductor Tfzvtr2.4b 0.3700
सराय
ECAD 265 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr2.4 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
IMN10T108 Rohm Semiconductor IMN10T108 0.4600
सराय
ECAD 22 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 IMN10 तमाम Smt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RFN5TF8SFHC9 Rohm Semiconductor RFN5TF8SFHC9 1.5400
सराय
ECAD 590 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFN5T तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 2.1 वी @ 5 ए 40 एनएस 10 µa @ 800 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB550VAM-30TR Rohm Semiconductor RB550VAM-30TR 0.4300
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB550 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 520 mV @ 1 ए 30 µa @ 10 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
PDZVTR9.1A Rohm Semiconductor PDZVTR9.1A 0.4500
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.08% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr9.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 6 वी 9.05 वी 6 ओम
EDZCTE616.8B Rohm Semiconductor Edzcte616.8b 0.3900
सराय
ECAD 9 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% - सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzcte616 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी
UDZVFHTE-179.1B Rohm Semiconductor Udzvfhte-179.1b 0.3900
सराय
ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.09% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 30 ओम
RB085T-40 Rohm Semiconductor RB085T-40 0.8082
सराय
ECAD 8681 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB085 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम RB085T40 Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 5 ए 550 एमवी @ 5 ए 200 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RLS4148TE-11 Rohm Semiconductor RLS4148TE-1111 -
सराय
ECAD 2746 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLS4148 तमाम LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1 वी @ 10 एमए 4 एनएस 5 @a @ 75 वी -65 ° C ~ 200 ° C 150ma 4pf @ 0v, 1MHz
RR1VWM4STFTR Rohm Semiconductor RR1VWM4STFTR 0.3800
सराय
ECAD 30 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rr1vwm4 तमाम पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB162LAM-60TR Rohm Semiconductor RB162LAME-60TR 0.4900
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB162 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 650 mV @ 1 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
PDZVTR15B Rohm Semiconductor Pdzvtr15b 0.4500
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.77% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 PDZVTR15 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 11 वी 15.6 वी 10 ओम
RB541VM-30FHTE-17 Rohm Semiconductor RB541VM-30FHTE-17 0.3300
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB541 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 640 एमवी @ 200 एमए 45 µA @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम