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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
EDZVT2R15B Rohm Semiconductor Edzvt2r15b 0.3000
सराय
 ECAD 47 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 11 वी 15 वी 42 ओम
TFZVTR13B Rohm Semiconductor Tfzvtr13b 0.3700
सराय
 ECAD 157 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड TFZVTR13 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 10 वी 13 वी 14 ओम
RLZTE-1118B Rohm Semiconductor RLZTE-1118B -
सराय
 ECAD 8771 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सदाबहार @ १३ वी 17.3 वी 23 ओम
STZ6.8TT146 Rohm Semiconductor STZ6.8TT146 0.6100
सराय
 ECAD 4985 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% - सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Stz6.8 200 सभा Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
RB520S-30UMTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30UMTE61 -
सराय
 ECAD 3122 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-30UMTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
RB150M-30TR Rohm Semiconductor RB150M-30TR 0.2280
सराय
 ECAD 8949 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB150 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए -
SCS206AGC17 Rohm Semiconductor SCS206AGC17 3.9600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS206AGC17 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 6 ए 0 एनएस 120 µA @ 600 V 175 ° C 6 ए 219pf @ 1V, 1MHz
BAS21VMTE-17 Rohm Semiconductor BAS21VMTE-17 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F Bas21 तमाम UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 200 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 2.5pf @ 0v, 1MHz
PTZTFTE252.0B Rohm Semiconductor PTZTFTE252.0B 0.6100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.66% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 200 µA @ 500 एमवी 2.12 वी 25 ओम
MTZJT-726.2A Rohm Semiconductor MTZJT-726.2a -
सराय
 ECAD 1111 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt726.2a Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 3 वी 6.2 वी 30 ओम
RBQ5RSM65BTFTL1 Rohm Semiconductor Rbq5rsm65btftl1 1.0800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 65 वी 660 mV @ 5 ए 90 @a @ 65 V 150 ° C 5 ए -
STZ6.8TFHT146 Rohm Semiconductor STZ6.8TFHT146 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 4.93% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Stz6.8 200 सभा Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी 40 ओम
BZX84B13VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B13VLYFHT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.31% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 13 वी 30 ओम
UFZVTE-1736B Rohm Semiconductor UFZVTE-1736B 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.61% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ २ वी वी 34.12 वी 75 ओम
BZX84C3V6LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V6LYT116 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
RB095BGE-90TL Rohm Semiconductor RB095BGE-90TL 0.9200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB095 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 - 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 6 ए 750 एमवी @ 3 ए 150 µA @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBS5LAM40ATR Rohm Semiconductor RBS5LAMB40ATR 0.4700
सराय
 ECAD 610 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbs5llam40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 490 mV @ 5 ए 800 µA @ 20 वी 125 ° C 5 ए -
UDZWTE-173.3B Rohm Semiconductor UDZWTE-173.3b -
सराय
 ECAD 7586 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
EDZFHTE615.6B Rohm Semiconductor Edzfhte615.6b -
सराय
 ECAD 9101 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFHTE615.6BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
DAN222MFHT2L Rohm Semiconductor DAN222MFHT2L 0.3700
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 Dan222 तमाम VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
KDZTFTR5.6B Rohm Semiconductor Kdztftr5.6b 0.1996
सराय
 ECAD 5600 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - - सतह rurcur सोद -123F Kdztftr5.6 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1.5 V 5.6 वी
PTZTE258.2A Rohm Semiconductor Ptzte258.2a 0.2014
सराय
 ECAD 5904 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE258.2 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 5 वी 8.2 वी 4 ओम
RB088BGE-40TL Rohm Semiconductor RB088BGE-40TL 1.6100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB088 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 5 ए 770 mV @ 5 ए 3 µa @ 40 वी 150 ° C
RBE1KA20ATR Rohm Semiconductor RBE1KA20ATR 0.6300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड Rbe1 schottky Tumd5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 20 वी 1 क 430 एमवी @ 500 एमए 200 @a @ 20 वी 125 ° C
EDZ8HRTE6110B Rohm Semiconductor Edz8hrte6110b -
सराय
 ECAD 6892 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edz8hrt 100 तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZ8HRTE6110BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
MTZJT-7239C Rohm Semiconductor MTZJT-7239C -
सराय
 ECAD 2990 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम MTZJT7239C Ear99 8541.10.0050 5,000 200 gaba @ 30 वी 39 वी 85 ओम
UDZWTE-172.0B Rohm Semiconductor UDZWTE-172.0b -
सराय
 ECAD 8864 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
RBR10NS60ATL Rohm Semiconductor RBR10NS60ATL 0.6690
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR10 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RBR10NS60ATLCT Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 5 ए 650 एमवी @ 5 ए 200 @a @ 60 V 150 ° C
RB058LAM100TR Rohm Semiconductor RB058LAMA100TR 0.5100
सराय
 ECAD 29 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB058 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB058LAMA100TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 810 mV @ 3 ए 3 µa @ 100 वी 150 ° C 3 ए -
KDZTR2.7B Rohm Semiconductor Kdztr2.7b 0.1836
सराय
 ECAD 5623 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 7% - सतह rurcur सोद -123F Kdztr2.7 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 @a @ 1 वी 2.7 वी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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