SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RB055LAM-40TFTR Rohm Semiconductor RB055MALL-40TFTR 0.5100
सराय
ECAD 20 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB055 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 3 ए 14.6 एनएस 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RBLQ3LAM10TR Rohm Semiconductor Rblq3llam10tr 0.6900
सराय
ECAD 4833 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rblq3 schottky तमाम तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 640 mV @ 3 ए 30 @a @ 100 वी 175 ° C 3 ए 140pf @ 4v, 1MHz
RBR2MM60CTFTR Rohm Semiconductor RBR2MM60CTFTR 0.4700
सराय
ECAD 598 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR2MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 550 mV @ 2 ए 120 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RBR3LAM60BTR Rohm Semiconductor RBR3ALM60BTR 0.5100
सराय
ECAD 61 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr3alm60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 560 mV @ 3 ए 150 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RF1005TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RF1005TF6SFHC9 2.0300
सराय
ECAD 954 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RF1005 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 10 ए 40 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
MTZJT-7211B Rohm Semiconductor MTZJT-7211b -
सराय
ECAD 6724 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt7211b Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सदाबहार @ वी वी 11 वी 20 ओम
PTZTE253.9A Rohm Semiconductor PTZTE253.9A 0.2014
सराय
ECAD 8644 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE253.9 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 40 µA @ 1 वी 3.9 वी 15 ओम
KDZVTFTR2.4B Rohm Semiconductor Kdzvtftr2.4b 0.4700
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr2.4 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 @a @ 1 वी 2.55 वी
RBS3LAM40ATR Rohm Semiconductor RBS3LAM40ATR 0.1360
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbs3llam40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RBS3ALM40ACT Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 490 mV @ 3 ए 500 µA @ 20 वी 125 ° C 3 ए -
RB168MM-40TFTR Rohm Semiconductor RB168MM-40TFTR 0.4800
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB168 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 650 mV @ 1 ए 550 पायल @ 40 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB160MM-50TR Rohm Semiconductor RB160MM-50TR 0.4100
सराय
ECAD 75 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB160 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 510 mV @ 1 ए 30 µA @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB228NS-30TL Rohm Semiconductor RB228NS-30TL 1.8700
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB228 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 30 ए 720 mV @ 15 ए 10 µa @ 30 V 150 ° C
RB160SS-40TR Rohm Semiconductor RB160SS-40TR -
सराय
ECAD 4374 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) RB160 schottky KMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB160SS-40TR Ear99 8541.10.0080 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 एमवी @ 700 एमए 50 µa @ 40 V 150 ° C 1 क -
SCS215AJTLL Rohm Semiconductor SCS215AJTLL 6.5600
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS215 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए 550pf @ 1V, 1MHz
RB496KATR Rohm Semiconductor RB496KATR 0.5300
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-एसएमडी (5 लीड), किल्कस लीड RB496 schottky Tumd5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 20 वी 1 क 430 mV @ 1 ए 800 @a @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RLZTE-113.3B Rohm Semiconductor RLZTE-113.3b -
सराय
ECAD 3978 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Rlzte113.3b Ear99 8541.10.0050 2,500
BZX84C4V7LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V7LFHT116 0.2600
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.38% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 2 वी 4.7 वी 80 ओम
PTZTE2516B Rohm Semiconductor PTZTE2516B 0.2014
सराय
ECAD 2288 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2516 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 12 वी 16.9 वी 12 ओम
DA204UMTL Rohm Semiconductor DA204UMTL 0.4500
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 DA204 तमाम UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 20 वी 100ma 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 150 ° C
RB551V-30FTE-17 Rohm Semiconductor RB551V-30FTE-17 0.1173
सराय
ECAD 9902 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB551 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 470 एमवी @ 500 एमए 100 µA @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
MTZJT-726.8C Rohm Semiconductor MTZJT-726.8C -
सराय
ECAD 8704 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt726.8c Ear99 8541.10.0050 5,000 2 µa @ 3.5 V 6.8 वी 20 ओम
RF081L2STE25 Rohm Semiconductor RF081L2STE25 0.3800
सराय
ECAD 83 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RF081 तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 1.1 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RFU10TF6S Rohm Semiconductor RFU10TF6S 0.8805
सराय
ECAD 8662 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFU10 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
MTZJT-779.1B Rohm Semiconductor MTZJT-779.1b -
सराय
ECAD 6120 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 20 ओम
RBR1MM40ATR Rohm Semiconductor RBR1MM40ATR 0.4500
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR1MM40 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 520 mV @ 1 ए 50 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
PTZTE256.8B Rohm Semiconductor PTZTE256.8B 0.2014
सराय
ECAD 3686 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE256.8 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 3.5 V 7.3 वी 6 ओम
RLZTE-1136B Rohm Semiconductor RLZTE-1136B -
सराय
ECAD 8571 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सवार @ २ वी वी 33.6 वी 75 ओम
PTZTE259.1B Rohm Semiconductor Ptzte259.1b 0.2014
सराय
ECAD 9937 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA Ptzte259.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 6 वी 9.8 वी 6 ओम
RB021VA90TR Rohm Semiconductor RB021VA90TR 0.1948
सराय
ECAD 4272 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB021 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 90 वी 490 एमवी @ 200 एमए 900 µA @ 90 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB048RSM15STL1 Rohm Semiconductor RB048RSM15STL1 1.3700
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 880 mV @ 8 ए 3.7 @a @ 150 V 175 ° C 8 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम