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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
RN142ST2R Rohm Semiconductor RN142ST2R -
सराय
ECAD 7059 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-RN142ST2RTR शिर 3,000
EDZ9HUTE616.8B Rohm Semiconductor Edz9hute616.8b -
सराय
ECAD 8854 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edz9hut 100 तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-EDZ9HUTE616.8BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
EDZFTE6127B Rohm Semiconductor Edzfte6127b -
सराय
ECAD 9086 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzft 100 तंग तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-EDZFTE6127BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB520S-403TTE61 Rohm Semiconductor RB520S-403TTE61 -
सराय
ECAD 2868 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-RB520S-403TTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
EDZFHTE616.2B Rohm Semiconductor Edzfhte616.2b -
सराय
ECAD 9684 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-EDZFHTE616.2BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
EDZGHTE615.6B Rohm Semiconductor Edzghte615.6b -
सराय
ECAD 5221 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzght 100 तंग तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-EDZGHTE615.6BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
1SS390FTE61 Rohm Semiconductor 1SS390FTE61 -
सराय
ECAD 7440 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 1SS390 EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-1SS390FTE61TR शिर 3,000 100 सवार 1.2pf @ 6v, 1MHz - 35V 900MOHM @ 2MA, 100MHz
RB751Y-40T2R Rohm Semiconductor RB751Y-40T2R -
सराय
ECAD 8405 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB751 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-RB751Y-40T2RTR शिर 8,000
BZX84C24VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C24VLYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.83% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 17 वी 24 वी 70 ओम
RB876WFHTL Rohm Semiconductor RB876WFHTL 0.7600
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) SC-75, SOT-416 RB876 EMD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 10 सना हुआ 0.8pf @ 1V, 1MHz Schottky - 1 जोड़ी श t श t कनेक 5V -
RB508FM-40AFHT106 Rohm Semiconductor RB508FM-40AFHT106 0.4300
सराय
ECAD 421 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RB508 schottky SOT-323 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 80MA 590 एमवी @ 40 एमए 35 पायल @ 30 वी 150 ° C
RBR1VWM60ATR Rohm Semiconductor RBR1VWM60ATR 0.4800
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RBR1VWM schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 530 mV @ 1 ए 75 µA @ 60 V 150 ° C 1 क -
BZX84C13VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C13VLYT116 0.4200
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.54% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 13 वी 30 ओम
BZX84B18VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B18VLYFHT116 0.4200
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.22% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 13 वी 18 वी 45 ओम
PTZTFTE252.4B Rohm Semiconductor PTZTFTE252.4b 0.4800
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.25% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 200 @a @ 1 वी 2.55 वी 15 ओम
BAW156HYFHT116 Rohm Semiconductor BAW156HYFHT116 0.4400
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Baw156 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 3 μs 5 सना हुआ @ 75 वी 150 ° C
BZX84C9V1LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C9V1LYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
BZX84C5V1LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V1LYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
BZX84B20VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B20VLYT116 0.4500
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 14 वी 20 वी 55 ओम
BZX84C3V9LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V9LYT116 0.4200
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.13% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 वी 3.9 वी 90 ओम
BZX84C4V7LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V7LYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.38% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 2 वी 4.7 वी 80 ओम
BZX84C3V6LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V6LYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
BZX84C3V3LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V3LYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 895 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
BZX84C16VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C16VLYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.63% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 11 वी 16 वी 40 ओम
RR601BGE4STL Rohm Semiconductor RR601BGE4STL 0.7065
सराय
ECAD 3802 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µA @ 400 V 150 ° C 6 ए -
RB088LAM-40TFTR Rohm Semiconductor Rb088lam-40tftr 0.8900
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 846-RB088LAM-40TFTRCT Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 710 mV @ 5 ए 3.6 @a @ 40 वी 150 ° C 5 ए -
DA221WMTL Rohm Semiconductor DA221WMTL 0.4400
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 DA221 तमाम EMD3F तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 20 वी 100ma 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 150 ° C
PTZTFTE258.2B Rohm Semiconductor PTZTFTE258.2B 0.6100
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.29% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 5 वी 8.75 वी 4 ओम
PTZTFTE2511B Rohm Semiconductor Ptztfte2511b 0.6100
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.58% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 8 V 11.65 वी 8 ओम
PTZTFTE253.9B Rohm Semiconductor Ptztfte253.9b 0.6100
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.02% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 40 µA @ 1 वी 4.15 वी 15 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम