SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
TFZTR4.7B Rohm Semiconductor Tfztr4.7b 0.0886
सराय
ECAD 5005 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.66% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfztr4.7 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 4.7 वी 25 ओम
BAS40HMFHT116 Rohm Semiconductor BAS40HMFHT116 0.1600
सराय
ECAD 6 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 schottky SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 1 वी @ 40 एमए 10 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 120ma -
RBQ10NS100AFHTL Rohm Semiconductor RBQ10NS100AFHTL 2.1900
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBQ10 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 770 mV @ 5 ए 80 @a @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BAV199UMTL Rohm Semiconductor Bav199umtl 0.4900
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 BAV199 तमाम UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 80 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 3 μs 5 सना हुआ @ 75 वी 150 ° C
RB520ZS-308EPT2R Rohm Semiconductor RB520ZS-308EPT2R -
सराय
ECAD 9036 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) RB520 schottky GMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB520ZS-308EPT2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 460 एमवी @ 10 एमए 300 पायल @ 10 वी 150 ° C 100ma -
RFN5BGE6STL Rohm Semiconductor RFN5BGE6STL 1.4100
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfn5b तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 5 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 5 ए -
RB521FS-30T40R Rohm Semiconductor RB521FS-30T40R -
सराय
ECAD 6658 0.00000000 रोटी - थोक शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं RB521 schottky Smd0402 - Rohs3 आजthabaira तमाम 846-RB521FS-30T40R 40,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 370 एमवी @ 10 एमए 7 µa @ 10 वी 150 ° C 100ma -
RB088NS-40TL Rohm Semiconductor RB088NS-40TL 1.2900
सराय
ECAD 875 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 10 ए 770 mV @ 5 ए 3 µa @ 40 वी 150 ° C
SCS210KE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS210KE2HRC11 10.3100
सराय
ECAD 450 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS210 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS210KE2HRC11 Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 5 ए (डीसी) 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 100 µA @ 1200 वी 175 ° C
RBR1LAM60ATR Rohm Semiconductor RBR1LAM60ATR 0.4700
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 Rbr1lam60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 530 mV @ 1 ए 75 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB088LAM150TFTR Rohm Semiconductor RB088LAMA150TFTR 0.6000
सराय
ECAD 10 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 3 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
FDZT40RB5.1 Rohm Semiconductor Fdzt40rb5.1 0.3400
सराय
ECAD 150 0.00000000 रोटी अस्तित्व R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) 100 तंग Smd0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 40,000 2 @a @ 1.5 वी 5.1 वी
KDZTR15B Rohm Semiconductor Kdztr15b 0.1836
सराय
ECAD 5857 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdztr15 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 11 वी 15.4 वी
RB168VWM-30TR Rohm Semiconductor RB168VWM-30TR 0.4600
सराय
ECAD 7823 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 690 mV @ 1 ए ६०० सवार @ ३० वी 175 ° C 1 क -
KDZVTR3.6B Rohm Semiconductor Kdzvtr3.6b 0.3900
सराय
ECAD 24 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr3.6 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 60 µA @ 1 वी 3.8 वी
MTZJT-7216C Rohm Semiconductor MTZJT-7216C -
सराय
ECAD 9207 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम MTZJT7216C Ear99 8541.10.0050 5,000 २०० सवार @ १२ वी 16 वी 25 ओम
DA221ZMT2L Rohm Semiconductor DA221ZMT2L 0.4300
सराय
ECAD 8 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 DA221 तमाम VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 20 वी 100ma 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 150 ° C
RR1VWM6STR Rohm Semiconductor RR1VWM6STR 0.3800
सराय
ECAD 11 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RR1VWM6 तमाम पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.2 वी @ 1 ए 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RR274EA-400FHTR Rohm Semiconductor RR274EA-400FHTR 0.9000
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-23-5 पतली, TSOT-23-5 RR274 तमाम TSMD5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 400 वी 500ma 1.1 वी @ 500 एमए 10 µA @ 400 V 150 ° C
UDZWTE-173.6B Rohm Semiconductor UDZWTE-173.6b -
सराय
ECAD 4148 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
RB521VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB521VM-40FHTE-17 0.3500
सराय
ECAD 9 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB521 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 540 एमवी @ 200 एमए 90 µA @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
MTZJT-7210C Rohm Semiconductor MTZJT-7210C -
सराय
ECAD 7073 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम MTZJT7210C Ear99 8541.10.0050 5,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
RRE04EA6DTR Rohm Semiconductor RRE04EA6DTR 0.7700
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-23-5 पतली, TSOT-23-5 Rre04 तमाम TSMD5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 600 वी 400ma 1.1 वी @ 200 एमए 1 @a @ 600 वी 150 ° C
RB228NS-60TL Rohm Semiconductor RB228NS-60TL 1.8700
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB228 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 30 ए 830 mV @ 15 ए 10 µa @ 60 V 150 ° C
UDZSTE-172.7B Rohm Semiconductor Udzste-172.7b 0.0687
सराय
ECAD 4004 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 µA @ 1 वी 2.7 वी 110 ओम
RB168M-40TR Rohm Semiconductor RB168M-40TR 0.1020
सराय
ECAD 2689 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RB168 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 650 mV @ 1 ए 550 पायल @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
EDZFHTE617.5B Rohm Semiconductor Edzfhte617.5b -
सराय
ECAD 7733 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFHTE617.5BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB218T-40NZC9 Rohm Semiconductor RB218T-40NZC9 1.5400
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB218 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 20 ए 770 mV @ 10 ए 5 µa @ 40 V 150 ° C
RB520S-30GHTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30GHTE61 -
सराय
ECAD 1099 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-30GHTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
RB031LA-30TR Rohm Semiconductor RB031LA-30TR -
सराय
ECAD 6944 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB031LA-30TR शिर 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम