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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
RN142SFHTE61 Rohm Semiconductor RN142SFHTE61 -
सराय
 ECAD 6154 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RN142SFHTE61TR शिर 3,000
RLZTE-1122A Rohm Semiconductor RLZTE-1122A -
सराय
 ECAD 6844 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1122 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 200 सवार @ 17 वी 21.2 वी 30 ओम
UDZVFHTE-172.0B Rohm Semiconductor UDZVFHTE-172.0B 0.3500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 4.5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvfhte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 500 एमवी 2 वी 100 ओम
TFZGTR4.7B Rohm Semiconductor Tfzgtr4.7b 0.0886
सराय
 ECAD 5419 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr4.7 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 4.7 वी 25 ओम
EDZ8HRTE619.1B Rohm Semiconductor Edz8hrte619.1b -
सराय
 ECAD 4113 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edz8hrt 100 तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZ8HRTE619.1BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB168LAM150TFTR Rohm Semiconductor RB168LAMA150TFTR 0.5000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 2.5 @a @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
PDZVTFTR24B Rohm Semiconductor Pdzvtftr24b 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 PDZVTFTR24 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 19 वी 25.8 वी 16 ओम
RN779FT106 Rohm Semiconductor RN779FT106 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 RN779 UMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 ५० सदा 0.9pf @ 35V, 1MHz पिन - 1 कांपरा 50 वी 7ohm @ 10ma, 100mHz
RF101L2SDDTE25 Rohm Semiconductor RF101L2SDDTE25 0.4600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RF101 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 870 mV @ 1 ए 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
EDZVT2R13B Rohm Semiconductor Edzvt2r13b 0.3100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 10 वी 13 वी 37 ओम
RF302LAM2STR Rohm Semiconductor RF302ALM2STR 0.7000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RF302 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 3 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 ° C 3 ए -
YFZVFHTR3.9B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr3.9b 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.35% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr3.9 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 4.03 वी 50 ओम
RBR3LAM40ATR Rohm Semiconductor RBR3ALM40ATR 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 Rbr3alm40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 690 mV @ 3 ए 50 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
UFZVFHTE-177.5B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-177.5B 0.3100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.7% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 8 ओम
RN142S9HLTE61 Rohm Semiconductor RN142S9HLTE61 -
सराय
 ECAD 7717 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RN142S9HLTE61TR शिर 3,000
VDZT2R7.5B Rohm Semiconductor Vdzt2r7.5b -
सराय
 ECAD 4455 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 30 ओम
RF305BGE6STL Rohm Semiconductor RF305BGE6STL 1.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RF305 तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 3 ए 30 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 3 ए -
RB068LAM-60TFTR Rohm Semiconductor RB068LAM-60TFTR 0.5300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 680 mV @ 2 ए 2 @a @ 60 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RN771VFHTE-17 Rohm Semiconductor RN771VFHTE-17 -
सराय
 ECAD 3300 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) SC-90, SOD-323F RN771 UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 ५० सदा 0.9pf @ 35V, 1MHz पिन - एकल 50 वी 7ohm @ 10ma, 100mHz
UDZVTE-174.7B Rohm Semiconductor UDZVTE-174.7B 0.2700
सराय
 ECAD 133 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 1 वी 4.7 वी 100 ओम
RFUH20NS4STL Rohm Semiconductor RFUH20NS4STL 2.4100
सराय
 ECAD 970 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RFUH20 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 430 वी 1.7 वी @ 20 ए 25 एनएस 10 µA @ 430 V 150 ° C 20 ए -
CDZT2RA13B Rohm Semiconductor Cdzt2ra13b 0.0841
सराय
 ECAD 2402 0.00000000 रोटी सीडीजेड R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Sod-923 Cdzt2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 10 वी 13 वी 37 ओम
RRU1LAM4STR Rohm Semiconductor Rru1lam4str 0.4300
सराय
 ECAD 81 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 Rru1lam44 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 800 एमए 400 एनएस 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB530VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB530VM-40FHTE-17 0.3700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB530 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 690 एमवी @ 100 एमए 15 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RBLQ3LAM10TFTR Rohm Semiconductor Rblq3llam10tftr 0.9500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rblq3 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 640 mV @ 3 ए 30 @a @ 100 वी 175 ° C 3 ए 140pf @ 4v, 1MHz
RB085BM-60TL Rohm Semiconductor RB085BM-60TL 1.8700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB085 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 5 ए 580 mV @ 5 ए 300 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CDZFHT2RA5.6B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra5.6b 0.3900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.14% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 2.5 V 5.61 वी 60 ओम
1SS400SMFHT2R Rohm Semiconductor 1SS400SMFHT2R 0.3800
सराय
 ECAD 20 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 1SS400 तमाम EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 500MV, 1MHz
BZX84C15VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C15VLYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 10 वी 15 वी 30 ओम
KDZTR16B Rohm Semiconductor Kdztr16b 0.5200
सराय
 ECAD 141 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdztr16 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 12 वी 16.9 वी
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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