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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RFUH20NS4STL Rohm Semiconductor RFUH20NS4STL 2.4100
सराय
 ECAD 970 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RFUH20 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 430 वी 1.7 वी @ 20 ए 25 एनएस 10 µA @ 430 V 150 ° C 20 ए -
TFZGTR33B Rohm Semiconductor Tfzgtr3333b 0.0886
सराय
 ECAD 8117 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr33 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २५ वी 33 वी 65 ओम
UDZSTE-179.1B Rohm Semiconductor Udzste-179.1b 0.0616
सराय
 ECAD 5513 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 30 ओम
RB218NS-60FHTL Rohm Semiconductor RB218NS-60FHTL 1.6700
सराय
 ECAD 4426 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB218 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 20 ए 830 mV @ 10 ए 5 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
DAN217WTL Rohm Semiconductor Dan217wtl 0.0762
सराय
 ECAD 4981 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-75, SOT-416 Dan217 तमाम EMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
VDZT2R4.3B Rohm Semiconductor Vdzt2r4.3b -
सराय
 ECAD 5897 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 100 ओम
UMZ33KFHTL Rohm Semiconductor UMZ33KFHTL 0.3500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.49% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-82A, SOT-343 UMZ33 200 सभा UMD4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २ सभ्य 100 gaba @ 25 वी 32.97 वी
EDZT2L5.6B Rohm Semiconductor Edzt2l5.6b -
सराय
 ECAD 3901 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZT2L5.6BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB168LAM-60TFTR Rohm Semiconductor RB168LAM-60TFTR 0.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 1.5 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RBS2MM40BTR Rohm Semiconductor RBS2MM40BTR 0.1139
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBS2MM40 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 410 mV @ 2 ए 500 µA @ 20 वी 125 ° C 2 ए -
EDZFJTE6110B Rohm Semiconductor Edzfjte6110b -
सराय
 ECAD 7910 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfjt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFJTE6110BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB085BM-60TL Rohm Semiconductor RB085BM-60TL 1.8700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB085 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 5 ए 580 mV @ 5 ए 300 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
MTZJT-7739C Rohm Semiconductor MTZJT-7739C -
सराय
 ECAD 1313 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 200 gaba @ 30 वी 39 वी 85 ओम
KDZTR16B Rohm Semiconductor Kdztr16b 0.5200
सराय
 ECAD 141 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdztr16 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 12 वी 16.9 वी
RB060LAM-40TFTR Rohm Semiconductor RB060ALMA-40TFTR 0.6400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB060 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RBR40NS40AFHTL Rohm Semiconductor RBR40NS40AFHTL 3.1200
सराय
 ECAD 990 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 40 ए 550 एमवी @ 20 ए 430 µA @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PTZTE2524B Rohm Semiconductor PTZTE2524B 0.5200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 7% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2524 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 19 वी 25.3 वी 16 ओम
RF505TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RF505TF6SFHC9 1.5300
सराय
 ECAD 937 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RF505 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 5 ए 30 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
BZX84B6V2LYT116 Rohm Semiconductor BZX84B6V2LYT116 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.94% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
CDZVT2R2.2B Rohm Semiconductor Cdzvt2r2.2b 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 120 µA @ 700 एमवी 2.2 वी 100 ओम
EDZVT2R16B Rohm Semiconductor Edzvt2r16b 0.2800
सराय
 ECAD 21 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 kaga @ 12 वी 16 वी 50 ओम
RB522S-30TE61 Rohm Semiconductor RB522S-30TE61 -
सराय
 ECAD 2850 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB522S-30TE61TR शिर 3,000
BZX84C6V8LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C6V8LYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 4 वी 6.8 वी 15 ओम
YDZVFHTR22 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr22 0.3600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Ydzvfhtr22 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 16 वी 22 वी
BZX84C12VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C12VLYT116 0.4200
सराय
 ECAD 302 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.42% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
RBQ15BM100AFHTL Rohm Semiconductor RBQ15BM100AFHTL 1.9400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBQ15 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 15 ए 710 mV @ 7.5 ए 140 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCS220AJHRTLL Rohm Semiconductor SCS220AJHRTLL 10.8500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS220 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 730pf @ 1V, 1MHz
BAW156HMFHT116 Rohm Semiconductor BAW156HMFHT116 0.0659
सराय
 ECAD 3140 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Baw156 तमाम SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 3 μs 5 सना हुआ @ 75 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
EDZ9HUTE615.1B Rohm Semiconductor Edz9hute615.1b -
सराय
 ECAD 9370 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edz9hut 100 तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZ9HUTE615.1BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
EDZGTE6127B Rohm Semiconductor Edzgte6127b -
सराय
 ECAD 4353 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzgt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZGTE6127BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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