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अफ़संद (3328)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
KDZVTFTR6.8B Rohm Semiconductor Kdzvtftr6.8b 0.4700
सराय
 ECAD 35 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.62% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr6.8 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 3.5 V 7.25 वी
BZX84C20VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C20VLYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 14 वी 20 वी 55 ओम
RFV8BM6STL Rohm Semiconductor RFV8BM6STL 1.0200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfv8bm6 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 8 ए 45 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
MTZJT-7739B Rohm Semiconductor MTZJT-7739B -
सराय
 ECAD 6726 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 200 gaba @ 30 वी 39 वी 85 ओम
PDZVTFTR4.7B Rohm Semiconductor Pdzvtftr4.7b 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.32% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr4.7 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 4.95 वी 10 ओम
EDZFJTE6120B Rohm Semiconductor Edzfjte6120b -
सराय
 ECAD 1933 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfjt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFJTE6120BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB218NS-30FHTL Rohm Semiconductor RB218NS-30FHTL 1.6700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB218 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 20 ए 720 mV @ 10 ए 5 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
KDZVTFTR30B Rohm Semiconductor Kdzvtftr30b 0.4700
सराय
 ECAD 42 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr30 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 23 वी 32 वी
RB168LAM100TFTR Rohm Semiconductor RB168LAMA100TFTR 0.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी ४०० पायल @ १०० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
KDZVTFTR39A Rohm Semiconductor Kdzvtftr39a 0.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.13% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr39 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 30 V 39 वी
RB551ASA-30FHT2RB Rohm Semiconductor RB551ASA-30FHT2RB 0.4200
सराय
 ECAD 1419 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 schottky DFN1006-2W तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 470 एमवी @ 500 एमए 100 µA @ 20 वी 125 ° C 500ma -
RLZTE-1115A Rohm Semiconductor RLZTE-1115A -
सराय
 ECAD 8771 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सवार @ ११ वी 14.3 वी 16 ओम
RBQ20BM100ATL Rohm Semiconductor RBQ20BM100ATL 2.7900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBQ20 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 690 mV @ 10 ए 200 @a @ 100 वी 150 ° C
DA227YFHT2R Rohm Semiconductor DA227YFHT2R -
सराय
 ECAD 1057 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 तमाम EMD4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-DA227YFHT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CDZFHT2RA6.8B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra6.8b 0.4100
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 500 NA @ 3.5 V 6.79 वी 40 ओम
KDZVTR24B Rohm Semiconductor Kdzvtr24b 0.3600
सराय
 ECAD 12 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr24 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 19 वी 25.8 वी
RB521ES-30T15R Rohm Semiconductor RB521ES-30T15R -
सराय
 ECAD 7621 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं RB521 schottky Smd0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 15,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 370 एमवी @ 10 एमए 7 µa @ 10 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
KDZLVTFTR150 Rohm Semiconductor Kdzlvtftr150 0.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzlvtftr150 1 डब एस एस -123 fl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 @a @ 120 V 150 वी
RLS-73TE-11 Rohm Semiconductor Rayrएलएस -73te -111 -
सराय
 ECAD 5238 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Rayrएलएस -73 तमाम LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी -65 ° C ~ 175 ° C 130ma 2PF @ 0.5V, 1MHz
RB218NS100TL Rohm Semiconductor RB218NS100TL 1.6300
सराय
 ECAD 990 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB218 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB218NS100TLCT Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 870 mV @ 10 ए 7 µa @ 100 वी 150 ° C
RBR1LAM30ATFTR Rohm Semiconductor Rbr1lam30atftr 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr1lam330 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB225NS-40FHTL Rohm Semiconductor RB225NS-40FHTL 1.5500
सराय
 ECAD 370 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB225 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 30 ए 630 mV @ 15 ए 27.4 एनएस 500 µA @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB168LAM-30TR Rohm Semiconductor RB168LAME-30TR 0.4000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 690 mV @ 1 ए ६०० सवार @ ३० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
EDZFJTE616.2B Rohm Semiconductor Edzfjte616.2b -
सराय
 ECAD 4428 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfjt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFJTE616.2BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
SCS106AGC Rohm Semiconductor SCS106AGC -
सराय
 ECAD 7034 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS106 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 600 वी 1.5 वी @ 6 ए 0 एनएस 120 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 260pf @ 1V, 1MHz
BZX84C3V6LT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V6LT116 0.2300
सराय
 ECAD 595 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
RB162MM-40TFTR Rohm Semiconductor RB162MM-40TFTR 0.3600
सराय
 ECAD 7400 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB162 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1 ए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
UFZVFHTE-1718B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1718B 0.3100
सराय
 ECAD 749 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.64% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ १३ वी 18 वी 23 ओम
RSX051VYM30FHTR Rohm Semiconductor Rsx051vym30fhtr 0.3900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsx051 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 390 एमवी @ 500 एमए 9.6 एनएस 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RBR3LAM40BTR Rohm Semiconductor RBR3ALM40BTR 0.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr3alm40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 3 ए 80 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
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AD9208BBPZ-3000

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