SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SF1008GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1008GHC0G -
सराय
ECAD 7933 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 SF1008 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 5 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 50pf @ 4v, 1MHz
KBP207G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP207G C2G -
सराय
ECAD 9220 0.00000000 तमाम - नली तमाम -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपी तमाम KBP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 1.2 वी @ 2 ए 10 µA @ 1000 V 2 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
TS15P07G-K C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P07G-K C2G -
सराय
ECAD 4347 0.00000000 तमाम - नली तमाम -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -टीएस, टीएस -6 पी तमाम टीएस -6 पी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम TS15P07G-KC2G Ear99 8541.10.0080 15 1.1 वी @ 15 ए 10 µA @ 1000 V 15 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
MBRS25100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25100CT 0.8958
सराय
ECAD 6088 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS25100 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBRS25100CTTR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 25 ए 920 mV @ 25 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
SF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1008GH 0.6140
सराय
ECAD 2661 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 SF1008 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SF1008GH Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 10 ए 1.7 वी @ 5 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MTZJ13SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ13SC 0.0305
सराय
ECAD 2877 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJ13 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ13SCTR Ear99 8541.10.0050 10,000 200 सवार @ 10 वी 13.33 वी 35 ओम
BZT52C18-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C18-G RHG 0.0445
सराय
ECAD 3940 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52C ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 12.6 वी 18 वी 45 ओम
BZV55B75 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B75 0.0357
सराय
ECAD 4571 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZV55B75TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 kay @ 56 वी 75 वी 170 ओम
TSUP10M60SH S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSUP10M60SH S1G 1.7300
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन Tsup10 schottky Smpc4.6u तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 640 mV @ 10 ए 250 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 658pf @ 4v, 1MHz
BZT52B51 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B51 0.0453
सराय
ECAD 6249 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52B ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B51TR Ear99 8541.10.0050 6,000 1 वी @ 10 एमए 45 NA @ 35.7 V 51 वी 180 ओम
MUR840HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Mur840hc0g -
सराय
ECAD 1615 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Mur840 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 8 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
BZT55B7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B7V5 0.0385
सराय
ECAD 7713 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-80 sauturण ५०० तंग QMMELF तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT55B7V5TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 5 वी 7.5 वी 7 ओम
BZT52C10-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C10-G RHG 0.0445
सराय
ECAD 6519 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52C ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
MBRS1560CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1560CT 0.6496
सराय
ECAD 2360 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS1560 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBRS1560CTTR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 750 mV @ 7.5 ए 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
TS10K60-A Taiwan Semiconductor Corporation TS10K60-A 1.8400
सराय
ECAD 7 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, TS4K TS10K60 तमाम Ts4k तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 20 1 वी @ 5 ए 10 µA @ 600 V 10 ए सिंगल फेज़ 600 वी
SFAF1007GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1007GHC0G -
सराय
ECAD 2419 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 SFAF1007 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.7 वी @ 10 ए 35 एनएस 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 140pf @ 4v, 1MHz
KBP306G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP306G C2G -
सराय
ECAD 4010 0.00000000 तमाम - नली तमाम -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपी तमाम KBP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 वी @ 3 ए 10 µa @ 800 V 3 ए सिंगल फेज़ 800 वी
BZS55C16 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C16 RXG 0.0340
सराय
ECAD 2210 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 12 वी 16 वी 40 ओम
BZT52C6V2-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V2-G 0.0445
सराय
ECAD 2473 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52C ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C6V2-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
MTZJ3V6SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V6SA 0.0305
सराय
ECAD 8221 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj3 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ3V6SATR Ear99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 100 ओम
MBD4448HTW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD4448HTW REG -
सराय
ECAD 1449 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 तमाम एसओटी -363 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MBD4448HTWREGRER Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) ३ स 57 वी 250ma 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55C24 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C24 0.0350
सराय
ECAD 4641 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-80 sauturण ५०० तंग QMMELF तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT55C24TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 18 वी 24 वी 80 ओम
SF21GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21GHA0G -
सराय
ECAD 7121 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SF21 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 40pf @ 4v, 1MHz
BZD27C82PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PH 0.2933
सराय
ECAD 5947 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.1% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD27C82PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 62 V 82 वी 200 ओम
1N5252B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5252B A0G 0.3200
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर ± 5% 100 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5252 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 18 वी 24 वी 33 ओम
BZD27C47P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47P R3G -
सराय
ECAD 8905 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 36 V 47 वी 45 ओम
S12GCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S12GCHR7G -
सराय
ECAD 4039 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S12G तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 12 ए 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 12 ए 78pf @ 4v, 1MHz
RS3KB-T R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS3KB-T R5G 0.4700
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB RS3K तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 3 ए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
RS1GLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1glhrqg -
सराय
ECAD 5081 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1g तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 800 एमए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
BZT52B3V9S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V9S 0.0340
सराय
ECAD 1908 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52B 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B3V9STR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 2.7 µA @ 1 वी 3.9 वी 90 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम