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अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZD17C13PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13PH 0.2790
सराय
 ECAD 1167 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD17 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD17C13PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 200 एमए 2 @a @ 10 वी 13 वी 10 ओम
BZT52C51-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C51-G 0.0424
सराय
 ECAD 9440 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C51-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 1 वी @ 10 एमए 45 NA @ 35.7 V 51 वी 180 ओम
KBPF405G Taiwan Semiconductor Corporation Kbpf405g 0.6672
सराय
 ECAD 7071 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBPF Kbpf405 तमाम KBPF तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-KBPF405G Ear99 8541.10.0080 2,100 1.1 वी @ 2 ए 5 µA @ 600 V 4 ए सिंगल फेज़ 600 वी
TS25PL05GH Taiwan Semiconductor Corporation TS25PL05GH 4.6932
सराय
 ECAD 7515 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -टीएस, टीएस -6 पी TS25 तमाम टीएस -6 पी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TS25PL05GH Ear99 8541.10.0080 1,200 920 mV @ 12.5 ए 10 µA @ 600 V 25 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BZS55C22 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C22 0.0340
सराय
 ECAD 8454 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZS55C22TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gay @ 16 वी 22 वी 55 ओम
BZT52C3V3-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V3-G 0.0445
सराय
 ECAD 3549 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52C ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C3V3-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
MMBD3004CC Taiwan Semiconductor Corporation MMBD3004CC 0.0622
सराय
 ECAD 8224 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MMBD3004CCTR Ear99 8541.10.0070 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 240 वी -65 ° C ~ 150 ° C 225ma 5pf @ 1V, 1MHz
MBR20200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200CT-Y 0.5404
सराय
 ECAD 7539 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR20200 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBR20200CT-Y Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 700 एमवी @ 20 ए 100 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
TUAU4KH Taiwan Semiconductor Corporation Tuau4kh 0.2319
सराय
 ECAD 7545 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन Tuau4 तमाम Smpc4.6u तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TUAU4KHTR Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.9 वी @ 4 ए 75 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 33pf @ 4v, 1MHz
BZY55C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C2V7 0.0350
सराय
 ECAD 4747 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZY55C2V7TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 10 एमए 10 µa @ 1 वी 2.7 वी 85 ओम
MTZJ39SF Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ39SF 0.0305
सराय
 ECAD 7975 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj39 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ39SFTR Ear99 8541.10.0050 10,000 200 gaba @ 30 वी 39.13 वी 85 ओम
BZT55B75 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B75 0.0385
सराय
 ECAD 9953 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-80 sauturण ५०० तंग QMMELF तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT55B75TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 kay @ 56 वी 75 वी 170 ओम
TS6KL80 Taiwan Semiconductor Corporation TS6KL80 0.4998
सराय
 ECAD 4488 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, KBJL TS6KL80 तमाम KBJL तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TS6KL80 Ear99 8541.10.0080 2,000 1.05 वी @ 3 ए 5 µA @ 800 V 6 ए सिंगल फेज़ 800 वी
HDBL103GH Taiwan Semiconductor Corporation HDBL103GH 0.4257
सराय
 ECAD 2163 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HDBL103GH Ear99 8541.10.0080 5,000 1 वी @ 1 ए 5 µa @ 200 वी 1 ए सिंगल फेज़ 200 वी
MBRS25100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25100CT 0.8958
सराय
 ECAD 6088 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS25100 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBRS25100CTTR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 25 ए 920 mV @ 25 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V2 0.0504
सराय
 ECAD 1358 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-80 sauturण ५०० तंग QMMELF तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT55C6V2TR Ear99 8541.10.0050 5,000 1 वी @ 10 एमए 100 gapa @ 2 वी 6.2 वी 10 ओम
HDBLS105GH Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS105GH 0.4257
सराय
 ECAD 5158 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग तमाम डीबीएलएस तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HDBLS105GHTR Ear99 8541.10.0080 3,000 1.7 वी @ 1 ए 5 µA @ 600 V 1 ए सिंगल फेज़ 600 वी
ZM4745A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4745A 0.0830
सराय
 ECAD 6773 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ab, melf ZM4745 1 डब Melf तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-ZM4745ATR Ear99 8541.10.0050 5,000 5 @a @ 12.2 V 16 वी 16 ओम
BZX584B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B3V6 0.0798
सराय
 ECAD 9168 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584 १५० तंग Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX584B3V6TR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
BZT52B36S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B36S 0.0340
सराय
 ECAD 1714 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52B 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B36STR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 45 पायल @ 25.2 वी 36 वी 90 ओम
GBPC2508W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508W 3.1618
सराय
 ECAD 9061 0.00000000 तमाम GBPC25 शिर शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, gbpc-w GBPC2508 तमाम जीबीपीसी-डब तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-GBPC2508W Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 12.5 ए 5 µA @ 800 V 25 ए सिंगल फेज़ 800 वी
BZT52C43 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43 0.0412
सराय
 ECAD 2877 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C43TR Ear99 8541.10.0050 6,000 1 वी @ 10 एमए ४५ सदा 43 वी 150 ओम
BZT52B51 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B51 0.0453
सराय
 ECAD 6249 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52B ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B51TR Ear99 8541.10.0050 6,000 1 वी @ 10 एमए 45 NA @ 35.7 V 51 वी 180 ओम
BZT52B30S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B30S 0.0340
सराय
 ECAD 9315 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52B 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B30STR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए ४५ सना 30 वी 80 ओम
BZD27C100P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100p 0.2888
सराय
 ECAD 6318 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD27C100PTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 75 V 100 वी 200 ओम
MMBD4148CA Taiwan Semiconductor Corporation MMBD4148CA 0.0280
सराय
 ECAD 3557 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD4148 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MMBD4148CATR Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 75 वी 200MA 1 वी @ 10 एमए 4 एनएस 5 @a @ 75 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZX55C39 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C39 0.0287
सराय
 ECAD 1231 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX55C39TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 kay @ 28 वी वी 39 वी 90 ओम
MTZJ3V6SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V6SB 0.0305
सराय
 ECAD 5200 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj3 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ3V6SBTR Ear99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 100 ओम
BAT54CD Taiwan Semiconductor Corporation BAT54CD 0.1224
सराय
 ECAD 4520 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAT54 schottky एसओटी -363 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAT54CDTR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 200MA 1 वी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी -55 ° C ~ 125 ° C
MBRS1645H Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1645H 0.6851
सराय
 ECAD 2353 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS1645 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBRS1645HTR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 630 mV @ 16 ए 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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