SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZX85C3V9 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C3V9 A0G -
सराय
ECAD 5098 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 10 एमए 20 µA @ 1 वी 3.9 वी 15 ओम
BZT52C2V7-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7-G 0.0445
सराय
ECAD 5205 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52C ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C2V7-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
MBR20H150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20H150CT 1.6400
सराय
ECAD 543 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR20 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 20 ए 970 mV @ 20 ए 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
HER1608G Taiwan Semiconductor Corporation HER1608G 0.6177
सराय
ECAD 5480 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 HER1608 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 16 ए 1.7 वी @ 8 ए 80 एनएस 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
SSL32 M6 Taiwan Semiconductor Corporation SSL32 M6 -
सराय
ECAD 7109 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SSL32M6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 410 mV @ 3 ए 200 @a @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
S3J R6G Taiwan Semiconductor Corporation S3J R6G -
सराय
ECAD 6445 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-S3JR6GTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.15 वी @ 3 ए 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
SK52C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C R7G -
सराय
ECAD 4982 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC SK52 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 550 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
RS2DFL Taiwan Semiconductor Corporation RS2DFL 0.0888
सराय
ECAD 2492 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F तमाम सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RS2DFLTR Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 2 ए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 16PF @ 4V, 1MHz
BZD17C13P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13P RFG -
सराय
ECAD 2315 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.53% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 2 @a @ 10 वी 13 वी 10 ओम
TS8P02G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P02G D2G -
सराय
ECAD 9688 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -टीएस, टीएस -6 पी TS8P02 तमाम टीएस -6 पी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 15 1.1 वी @ 8 ए 10 µA @ 100 वी 8 ए सिंगल फेज़ 100 वी
BAV19W Taiwan Semiconductor Corporation BAV19W 0.0474
सराय
ECAD 4592 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F BAV19 तमाम सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAV19WTR Ear99 8541.10.0070 6,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 250 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
BZV55B5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B5V6 L0G 0.0357
सराय
ECAD 2016 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gay @ 1 वी 5.6 वी 25 ओम
MTZJ2V0SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA R0G 0.0305
सराय
ECAD 7924 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj2 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 120 µA @ 500 एमवी 1.99 वी 100 ओम
BZD17C220PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C220PH 0.5588
सराय
ECAD 6554 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD17 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD17C220PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 160 V 220 वी 900 ओम
S5B Taiwan Semiconductor Corporation एस 5 बी 0.2997
सराय
ECAD 8498 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-S5BTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.15 वी @ 5 ए 1.5 µs 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 60pf @ 4v, 1MHz
1PGSMB5930H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5930h 0.1798
सराय
ECAD 1588 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, 1PGSMB59 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 3 डब DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 .a @ 12.2 वी 16 वी 10 ओम
BZT52B11S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B11S 0.0343
सराय
ECAD 6727 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52B 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B11STR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 90 सना हुआ @ 8 वी 11 वी 20 ओम
TSZL52C7V5 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C7V5 RWG -
सराय
ECAD 4535 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 1005 (2512 पेरस) TSZL52 200 सभा 1005 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 5 वी 7.5 वी 7 ओम
1N4933GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933GHB0G -
सराय
ECAD 8127 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4933 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.2 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
1SMB5955HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5955HR5G -
सराय
ECAD 5370 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 1SMB5955 3 डब DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 1 µA @ 136.8 V 180 वी 900 ओम
BZT52C4V3-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V3-G RHG 0.0445
सराय
ECAD 7786 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52C ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
BZY55C12 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C12 RYG 0.0350
सराय
ECAD 6925 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 kay @ 9.1 वी 12 वी 20 ओम
1SMA4762HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4762HR3G -
सराय
ECAD 3875 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4762 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1 @a @ 62.2 V 82 वी 200 ओम
SFF1606GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1606GHC0G -
सराय
ECAD 7093 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक SFF1606 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 8 ए 35 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए 50pf @ 4v, 1MHz
MUR440SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Mur440shm6g -
सराय
ECAD 5025 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC सिया 440 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
S3J M6G Taiwan Semiconductor Corporation S3J M6G -
सराय
ECAD 9238 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC एस 3 जे तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.15 वी @ 3 ए 1.5 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 30pf @ 4v, 1MHz
TSD30H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TSD30H120CW 1.3992
सराय
ECAD 7696 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB TSD30 To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800
BZS55B2V7 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B2V7 RXG -
सराय
ECAD 2311 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 10 µa @ 1 वी 2.7 वी 85 ओम
MBRF760 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF760 -
सराय
ECAD 5118 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 schottky ITO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MBRF760 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 mV @ 7.5 ए 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
MUR4L60HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Mur4l60ha0g -
सराय
ECAD 1566 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun Mur4l60 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.28 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम