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अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
1SMA4751 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4751 0.0935
सराय
 ECAD 9170 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4751 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1 .a @ 22.8 V 30 वी 40 ओम
BZX79C36 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C36 0.0287
सराय
 ECAD 3114 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX79 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX79C36TR Ear99 8541.10.0050 20,000 1.5 वी @ 100 एमए 50 सना 36 वी 90 ओम
BZD27C20P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20P M2G -
सराय
 ECAD 1246 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15 वी 20 वी 15 ओम
FR154GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Fr154gha0g -
सराय
 ECAD 8034 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT FR154 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 20pf @ 4v, 1MHz
BZT55B3V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V3 L0G 0.0385
सराय
 ECAD 9459 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 2 @a @ 1 वी 3.3 वी 85 ओम
HERAF1003G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1003G C0G -
सराय
 ECAD 6984 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 Heraf1003 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 10 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 80pf @ 4v, 1MHz
ES1FL Taiwan Semiconductor Corporation Es1fl 0.2408
सराय
 ECAD 8245 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-ES1FLTR Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
6A05G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G R0G -
सराय
 ECAD 3236 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Rabr -6, s अकmun 6A05 तमाम कमाई -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 60pf @ 4v, 1MHz
MTZJ20SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ20SB 0.0305
सराय
 ECAD 6102 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJ20 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ20SBTR Ear99 8541.10.0050 10,000 200 सवार @ 15 वी 19.11 वी 55 ओम
1SMA5935HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5935HR3G -
सराय
 ECAD 1086 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA5935 1.5 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 ५०० पायल @ २०.६ सिन्ट 27 वी 23 ओम
1N5240B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5240B 0.0271
सराय
 ECAD 6592 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5240 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-1N5240BTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 2 @a @ 8 वी 10 वी 17 ओम
1N4733G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4733G A0G -
सराय
 ECAD 3905 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4733 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 5.1 वी 7 ओम
1PGSMC5361 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5361 R6G -
सराय
 ECAD 7127 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 डब DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-1PGSMC5361R6GTR Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० पायल @ २०.६ सिन्ट 27 वी 5 ओम
BZD17C120P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P RFG -
सराय
 ECAD 3877 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 91 वी 120 वी 300 ओम
PU4BCH Taiwan Semiconductor Corporation Pu4bch 0.7100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 930 mV @ 4 ए 25 एनएस 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 78pf @ 4v, 1MHz
1N4002GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002GHA0G -
सराय
 ECAD 4247 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4002 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 1 ए 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
SF1604GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1604GHC0G -
सराय
 ECAD 8709 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 SF1604 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 975 mV @ 8 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए 80pf @ 4v, 1MHz
BZT55B4V3 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B4V3 L1G -
सराय
 ECAD 3414 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 1 µA @ 1 वी 4.3 वी 75 ओम
1N5820H Taiwan Semiconductor Corporation 1N5820H 0.1903
सराय
 ECAD 4321 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun 1N5820 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 475 mV @ 3 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 3 ए 200pf @ 4V, 1MHz
ES2BAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es2bahr3g -
सराय
 ECAD 2787 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA Es2b तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
BAV103 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BAV103 L1G -
सराय
 ECAD 3199 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BAV103 तमाम मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 250 वी 1 वी @ 100 एमए 100 kay @ 200 वी -65 ° C ~ 200 ° C 200MA 4pf @ 0v, 1MHz
S1DAL Taiwan Semiconductor Corporation S1DAL 0.4200
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur एस 1 डी तमाम तंग - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1 ए 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
BZD27C18P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18P SALA 0.2753
सराय
 ECAD 8346 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 13 वी 17.95 वी 15 ओम
S1KL Taiwan Semiconductor Corporation S1KL 0.0692
सराय
 ECAD 3805 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur Do-219ab S1K तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
RSFML R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFML R3G 0.1491
सराय
 ECAD 3082 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RSFML तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 500 एमए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
MTZJ4V7SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ4V7SB 0.0305
सराय
 ECAD 9480 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj4 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ4V7SBTR Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 वी 4.68 वी 80 ओम
BZT52C27S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C27S 0.0357
सराय
 ECAD 2079 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52C 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C27STR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 45 पायल @ 18.9 27 वी 80 ओम
HDBLS103G Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS103G 0.9100
सराय
 ECAD 447 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग HDBLS103 तमाम डीबीएलएस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 1 वी @ 2 ए 5 µa @ 200 वी 1 ए सिंगल फेज़ 200 वी
BZX79B5V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B5V6 0.0305
सराय
 ECAD 4253 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX79 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX79B5V6TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 100 एमए 2 gay @ 1 वी 5.6 वी 40 ओम
RS1KLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1klhrvg -
सराय
 ECAD 6742 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab रत्न तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 800 एमए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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