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अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZX55C51 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C51 A0G -
सराय
 ECAD 1887 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 38 वी 51 वी 125 ओम
BZX85C18 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C18 R0G 0.0645
सराय
 ECAD 7634 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 10 एमए ५०० सना 18 वी 20 ओम
1SMB5951 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5951 R5G -
सराय
 ECAD 6484 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 1SMB5951 3 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 1 µA @ 91.2 V 120 वी 360 ओम
BZD27C7V5PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHRFG -
सराय
 ECAD 8090 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 50 µa @ 3 वी 7.45 वी 2 ओम
MTZJ18SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ18SB R0G 0.0305
सराय
 ECAD 4623 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJ18 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 २०० सदाबहार @ १३ वी 17.26 वी 45 ओम
SFA808GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA808GHC0G -
सराय
 ECAD 7537 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SFA808 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 8 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 60pf @ 4v, 1MHz
1N5247B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5247B A0G -
सराय
 ECAD 9868 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% 100 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5247 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 13 वी 17 वी 19 ओम
SFAF2007GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2007GHC0G -
सराय
 ECAD 9554 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से TO-220-2 SFAF2007 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.7 वी @ 20 ए 35 एनएस 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 20 ए 150pf @ 4v, 1MHz
BZT52C2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4 0.0412
सराय
 ECAD 1283 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C2V4TR Ear99 8541.10.0050 6,000 1 वी @ 10 एमए 45 µA @ 1 वी 2.4 वी 100 ओम
HER102G A0G Taiwan Semiconductor Corporation Her102G A0G 0.5600
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Her102 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
ES15DLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation ES15DLWHRVG -
सराय
 ECAD 3040 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur सोड -123W ES15 तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 1.5 ए 35 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 24PF @ 4V, 1MHz
BZS55B4V7 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B4V7 RAG -
सराय
 ECAD 2882 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-BZS55B4V7RAGTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए ५०० पायल @ १ वी 4.7 वी 70 ओम
1N4758G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4758G R0G 0.0627
सराय
 ECAD 2235 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4758 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 42.6 V 56 वी 110 ओम
BZD27C56P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56P R3G -
सराय
 ECAD 6562 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 43 वी 56 वी 60 ओम
BZV55C47 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C47 L1G -
सराय
 ECAD 6885 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 35 वी 47 वी 110 ओम
BZT52B7V5-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B7V5-G RHG 0.0461
सराय
 ECAD 2809 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52B ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 1 µa @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
MBR10200 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200 C0G -
सराय
 ECAD 6316 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 MBR1020 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 वी @ 10 ए 100 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
BZD27C91P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91P RVG -
सराय
 ECAD 2063 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 68 V 90.5 वी 200 ओम
BZX84C2V7 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C2V7 RFG 0.0511
सराय
 ECAD 5210 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
BZV55B47 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B47 L0G 0.0357
सराय
 ECAD 9738 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 35 वी 47 वी 110 ओम
BAS21W RVG Taiwan Semiconductor Corporation BAS21W RVG 0.0498
सराय
 ECAD 2749 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 Bas21 तमाम SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 250 वी 1.25 वी @ 100 एमए 50 एनएस 100 kay @ 250 वी -55 ° C ~ 150 ° C 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
SR1020HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1020HC0G -
सराय
 ECAD 3160 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 SR1020 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 550 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 10 ए -
BZD27C18PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18PHRHG -
सराय
 ECAD 3865 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 13 वी 17.95 वी 15 ओम
SSL33 M6 Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 M6 -
सराय
 ECAD 1722 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SSL33M6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 410 mV @ 3 ए 200 µa @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
MUR420HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Mur420ha0g -
सराय
 ECAD 1980 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun MUR420 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 890 mV @ 4 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
BZD27C8V2P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2P MQG -
सराय
 ECAD 9632 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 8.2 वी 2 ओम
BZT52B36 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B36 RHG 0.0412
सराय
 ECAD 1014 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52B ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 45 पायल @ 25.2 वी 36 वी 90 ओम
ES1JL MQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL MQG -
सराय
 ECAD 5946 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1j तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8PF @ 1V, 1MHz
AZ23C20 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C20 RFG 0.0786
सराय
 ECAD 9522 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 kaga @ 15 वी 20 वी 50 ओम
SR1203HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1203HA0G -
सराय
 ECAD 2898 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SR1203 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 12 ए 500 @a @ 30 V -50 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
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    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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