SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZD17C11P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P RVG -
सराय
ECAD 4088 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 4 µa @ 8.2 V 11 वी 7 ओम
S3A V6G Taiwan Semiconductor Corporation S3A V6G -
सराय
ECAD 2077 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC एस 3 ए तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.5 µs 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
HER207G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER207G A0G -
सराय
ECAD 3687 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT HER207 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 2 ए 75 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
RS1AL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1AL R3G 0.1614
सराय
ECAD 5116 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab रत्न तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 800 एमए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
AZ23C47 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C47 0.0794
सराय
ECAD 6644 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-AZ23C47TR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 35 वी 47 वी 100 ओम
MBRAD8200H Taiwan Semiconductor Corporation Mbrad8200h 0.7700
सराय
ECAD 7857 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 MBRAD8200 schottky थिंदपक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 8 ए 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 125pf @ 0v, 1MHz
BAV21W RHG Taiwan Semiconductor Corporation BAV21W RHG 0.3100
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F BAV21 तमाम सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 250 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
BZV55C30 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C30 0.0333
सराय
ECAD 2739 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZV55C30TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gapa @ 22 वी 30 वी 80 ओम
BZD27C82P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82P RQG -
सराय
ECAD 2957 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 62 V 82 वी 200 ओम
BZT55C4V7 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C4V7 L0G 0.0350
सराय
ECAD 1784 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए ५०० पायल @ १ वी 4.7 वी 60 ओम
ES2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2JA R3G 0.7700
सराय
ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA Es2j तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 2 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
HERAF1008G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf1008g -
सराय
ECAD 8344 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 तमाम ITO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-heraf1008g Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 10 ए 80 एनएस 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 60pf @ 4v, 1MHz
SFA1006G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1006G -
सराय
ECAD 2239 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 तमाम TO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SFA1006G Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 10 ए 35 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1SMA5927HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5927HR3G -
सराय
ECAD 1089 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA5927 1.5 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 ५०० पायल @ ९। १। 12 वी 6.5 ओम
MBR16150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR16150HC0G -
सराय
ECAD 5266 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 MBR16150 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 16 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
SF31GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sf31gha0g -
सराय
ECAD 2011 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF31 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 80pf @ 4v, 1MHz
S12MC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S12MC R7 -
सराय
ECAD 7925 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-S12MCR7TR Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 12 ए 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 12 ए 78pf @ 4v, 1MHz
HT18G A1G Taiwan Semiconductor Corporation HT18G A1G -
सराय
ECAD 5928 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से टी -18, lectun HT18 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
MUR310S Taiwan Semiconductor Corporation MUR310S 0.2139
सराय
ECAD 5239 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC MUR310 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 25 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
UGF2008G Taiwan Semiconductor Corporation UGF2008G 0.6433
सराय
ECAD 5490 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक UGF2008 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 20 ए 1.7 वी @ 10 ए 25 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C15P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P M2G -
सराय
ECAD 8736 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 14.7 वी 10 ओम
SFAF1004G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1004G 0.8672
सराय
ECAD 5175 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 SFAF1004 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 975 mV @ 10 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 170pf @ 4v, 1MHz
BZT52C22 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C22 RHG 0.0412
सराय
ECAD 2533 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 45 पायल @ 15.4 वो 22 वी 55 ओम
SRF10150H Taiwan Semiconductor Corporation SRF10150H 0.7277
सराय
ECAD 3417 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक SRF10150 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SRF10150H Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 1 वी @ 5 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
SK515C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK515C R6 -
सराय
ECAD 7469 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SK515CR6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 5 ए 300 @a @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
MBRF745HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF745HC0G -
सराय
ECAD 3653 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 MBRF745 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 840 mV @ 15 ए 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
S15KLW Taiwan Semiconductor Corporation S15KLW 0.0597
सराय
ECAD 5407 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-S15KLWTR Ear99 8541.10.0080 20,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 10pf @ 4v, 1MHz
1N4752G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752G 0.0627
सराय
ECAD 4175 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4752 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-1N4752GTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 25.1 V 33 वी 45 ओम
BZV55B33 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B33 L1G -
सराय
ECAD 3216 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 24 वी 33 वी 80 ओम
SRAF5100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF5100 C0G -
सराय
ECAD 3780 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से TO-220-2 SRAF5100 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 5 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम