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अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
1N4756G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756G R0G 0.0627
सराय
 ECAD 4283 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4756 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 35.8 V 47 वी 80 ओम
ES3C R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3C R7G -
सराय
 ECAD 3659 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3C तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
BZD27C15PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PHRFG -
सराय
 ECAD 1361 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 14.7 वी 10 ओम
HER3L06GH Taiwan Semiconductor Corporation Her3l06gh 0.2535
सराय
 ECAD 7930 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HER3L06GHTR Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 3 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 54PF @ 4V, 1MHz
RS1DL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1DL RHG -
सराय
 ECAD 1891 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1D तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 800 एमए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
HER151G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER151G A0G -
सराय
 ECAD 2226 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT HER151 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1.5 ए 50 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 35pf @ 4v, 1MHz
1N4755AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755AHB0G -
सराय
 ECAD 1001 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4755 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 5 @a @ 32.7 V 43 वी 70 ओम
BZX85C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C9V1 0.0645
सराय
 ECAD 1489 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX85C9V1TR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 10 एमए 1 µa @ 6.9 V 9.1 वी 5 ओम
BZX55C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C3V9 0.0287
सराय
 ECAD 7801 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX55C3V9TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 2 @a @ 1 वी 3.9 वी 85 ओम
MBD4448HCDW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD4448HCDW REG -
सराय
 ECAD 6413 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 तमाम एसओटी -363 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MBD4448HCDWREREGRER Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 2 जोड़ी आम कैथोड 57 वी 250ma 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S1GHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1GHR3G -
सराय
 ECAD 7958 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA एस 1 जी तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.5 µs 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 12pf @ 4v, 1MHz
MBRAD560H Taiwan Semiconductor Corporation Mbrad560h 0.6600
सराय
 ECAD 9506 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 MBRAD560 schottky थिंदपक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 800 एमवी @ 5 ए 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 244pf @ 4v, 1MHz
PU2JA Taiwan Semiconductor Corporation Pu2ja 0.1050
सराय
 ECAD 9173 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA Pu2j तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-PU2JATR Ear99 8541.10.0080 15,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.5 वी @ 2 ए 26 एनएस 2 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 22pf @ 4a, 1MHz
BAS20W Taiwan Semiconductor Corporation BAS20W 0.0498
सराय
 ECAD 1900 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 BAS20 तमाम SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAS20WTR Ear99 8541.10.0070 45,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 150 वी 1.25 वी @ 100 एमए 50 एनएस 100 gay @ 150 वी 125 ° C 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
1PGSMB5953 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5953 0.1689
सराय
 ECAD 2743 0.00000000 तमाम 1pgsmb59 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 3 डब DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 @a @ 114 वी 150 वी 600 ओम
6A05G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G R0G -
सराय
 ECAD 3236 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Rabr -6, s अकmun 6A05 तमाम कमाई -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 6 ए 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 60pf @ 4v, 1MHz
1PGSMA200Z Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma200z 0.1086
सराय
 ECAD 5379 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1pgsma200 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 152 वी 200 वी 1500 ओम
BZD27C62PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62PHR3G -
सराय
 ECAD 4497 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 47 V 62 वी 80 ओम
1N4733G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4733G A0G -
सराय
 ECAD 3905 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4733 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 5.1 वी 7 ओम
TSS54L Taiwan Semiconductor Corporation TSS54L 0.0925
सराय
 ECAD 6329 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 1005 (2512 पेरस) TSS54 schottky 1005 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSS54LTR Ear99 8541.10.0070 4,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 1 वी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी -65 ° C ~ 125 ° C 200MA 10pf @ 1v, 1MHz
SS13 R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS13 R3G 0.4500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SS13 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 1 ए 200 µa @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
BZD27C11PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PHMQG -
सराय
 ECAD 1268 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 4 µa @ 8.2 V 11 वी 7 ओम
ES2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2DA R3G 0.7200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA ES2D तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
BZD17C62P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P R3G 0.2625
सराय
 ECAD 6708 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 47 V 62 वी 80 ओम
BZT52C43-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43-G RHG 0.0445
सराय
 ECAD 3317 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52C ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 32 वी 43 वी 100 ओम
BZX79B11 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B11 A0G -
सराय
 ECAD 9863 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX79 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 100 एमए 8 सना हुआ @ 100 एमवी 11 वी 20 ओम
1PGSMC5348 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5348 m6g -
सराय
 ECAD 6184 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 डब DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-1PGSMC5348M6GTR Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 8.4 V 11 वी 3 ओम
BAT54CD-G Taiwan Semiconductor Corporation BAT54CD-G 0.1224
सराय
 ECAD 9967 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAT54 schottky एसओटी -363 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAT54CD-GTR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 200MA 240 एमवी @ 100 एमए 2 @ ए @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C9V1 0.0511
सराय
 ECAD 2648 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX84C9V1TR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
SRAS8150H Taiwan Semiconductor Corporation SRAS8150H 0.6687
सराय
 ECAD 8251 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SRAS8150 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SRAS8150HTR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 8 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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