SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
AZ23C47 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C47 0.0794
सराय
ECAD 6644 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-AZ23C47TR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 35 वी 47 वी 100 ओम
BZD27C100PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100PHRVG 0.1094
सराय
ECAD 3269 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 75 V 100 वी 200 ओम
BZD17C11P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P RVG -
सराय
ECAD 4088 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 4 µa @ 8.2 V 11 वी 7 ओम
ES2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2JA R3G 0.7700
सराय
ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA Es2j तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 2 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
MBRAD8200H Taiwan Semiconductor Corporation Mbrad8200h 0.7700
सराय
ECAD 7857 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 MBRAD8200 schottky थिंदपक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 8 ए 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 125pf @ 0v, 1MHz
BAV21W RHG Taiwan Semiconductor Corporation BAV21W RHG 0.3100
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F BAV21 तमाम सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 250 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
MUR440SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Mur440shm6g -
सराय
ECAD 5025 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC सिया 440 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
SR104HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR104HB0G -
सराय
ECAD 4628 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut SR104 schottky DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
BZT52B36-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B36-G 0.0461
सराय
ECAD 7301 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52B ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B36-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 kay @ 25.2 वी 36 वी 90 ओम
BZS55B2V7 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B2V7 RXG -
सराय
ECAD 2311 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 10 µa @ 1 वी 2.7 वी 85 ओम
BZY55B36 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B36 RYG -
सराय
ECAD 1407 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gapa @ 27 वी 36 वी 80 ओम
SF21G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21G B0G -
सराय
ECAD 7525 0.00000000 तमाम - थोक Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SF21 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 40pf @ 4v, 1MHz
BZD17C15P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C15P M2G -
सराय
ECAD 1979 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 15 वी 10 ओम
MBRS2045CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2045CTH 0.6851
सराय
ECAD 2456 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS2045 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 20 ए 840 mV @ 20 ए 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR25100CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR25100CTHC0G -
सराय
ECAD 9753 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR25100 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 25 ए 920 mV @ 25 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA4737 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4737 0.0649
सराय
ECAD 2441 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब DO-214AC (SMA) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-1SMA4737TR Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 5 वी 7.5 वी 4 ओम
BZD27C150P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150P RFG -
सराय
ECAD 2151 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 110 V 147 वी 300 ओम
BZD27C75PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PHMHG -
सराय
ECAD 3161 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 56 V 74.5 वी 100 ओम
BZD27C82P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82P 0.2753
सराय
ECAD 9260 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 62 V 82 वी 200 ओम
ES2AA Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA 0.1769
सराय
ECAD 9350 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम DO-214AC (SMA) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-ES2AATR Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
BZV55C75 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C75 L0G 0.0333
सराय
ECAD 9483 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 kay @ 56 वी 75 वी 170 ओम
2M140ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M140ZHA0G -
सराय
ECAD 1328 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M140 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 106.4 V 140 वी 500 ओम
RSFGL MQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFGL MQG -
सराय
ECAD 4286 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RSFGL तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 500 एमए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
BZD17C62P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P M2G -
सराय
ECAD 8773 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 47 V 62 वी 80 ओम
3A60 Taiwan Semiconductor Corporation 3A60 0.0977
सराय
ECAD 7855 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 3A60 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 3 ए 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 27pf @ 4v, 1MHz
S3JBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3JBHR5G 0.7000
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB एस 3 जे तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.15 वी @ 3 ए 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
UDZS8V2B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS8V2B RRG -
सराय
ECAD 1659 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzs8 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 630 सना हुआ @ 5 वी 8.2 वी 30 ओम
GPA804HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GPA804HC0G -
सराय
ECAD 3682 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 GPA804 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 8 ए 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 50pf @ 4v, 1MHz
HER205GH Taiwan Semiconductor Corporation HER205GH 0.1342
सराय
ECAD 2321 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HER205GHTR Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 2 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 35pf @ 4v, 1MHz
ES1DLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es1dlhr3g -
सराय
ECAD 1559 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab ES1D तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम