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अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
1PGSMC5348 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5348 m6g -
सराय
 ECAD 6184 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 डब DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-1PGSMC5348M6GTR Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 8.4 V 11 वी 3 ओम
BAT54CD-G Taiwan Semiconductor Corporation BAT54CD-G 0.1224
सराय
 ECAD 9967 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAT54 schottky एसओटी -363 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAT54CD-GTR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 200MA 240 एमवी @ 100 एमए 2 @ ए @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C9V1 0.0511
सराय
 ECAD 2648 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX84C9V1TR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
SRAS8150H Taiwan Semiconductor Corporation SRAS8150H 0.6687
सराय
 ECAD 8251 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SRAS8150 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SRAS8150HTR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 8 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
AZ23C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation Az23c3v6 0.0786
सराय
 ECAD 1090 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-AZ23C3V6TR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 3.6 वी 95 ओम
HS5A R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A R7G 0.5800
सराय
 ECAD 72 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC HS5A तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 5 ए 50 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 80pf @ 4v, 1MHz
UG58G Taiwan Semiconductor Corporation UG58G 0.2361
सराय
 ECAD 7432 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun UG58 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.1 वी @ 5 ए 20 एनएस 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
MBRAD5150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD5150H 0.7200
सराय
 ECAD 7213 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 MBRAD5150 schottky थिंदपक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 880 mV @ 5 ए 10 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 102pf @ 4v, 1MHz
BZY55B6V2 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B6V2 RYG -
सराय
 ECAD 8551 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gapa @ 2 वी 6.2 वी 10 ओम
TUAS8DH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas8dh 0.2466
सराय
 ECAD 6977 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन Tuas8 तमाम Smpc4.6u तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TUAS8DHTR Ear99 8541.10.0080 6,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 8 ए 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 62pf @ 4v, 1MHz
SFT16G A1G Taiwan Semiconductor Corporation SFT16G A1G -
सराय
 ECAD 5123 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से टी -18, lectun SFT16 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
1N4448WS RRG Taiwan Semiconductor Corporation 1N4448WS RRG 0.0276
सराय
 ECAD 3179 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F 1N4448 तमाम Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 100 वी 1 वी @ 100 एमए 4 एनएस 5 @a @ 75 वी -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0v, 1MHz
MUR440S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S V7G 1.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC सिया 440 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
MTZJ20SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ20SB 0.0305
सराय
 ECAD 6102 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJ20 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ20SBTR Ear99 8541.10.0050 10,000 200 सवार @ 15 वी 19.11 वी 55 ओम
1PGSMC5361 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5361 R6G -
सराय
 ECAD 7127 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 डब DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-1PGSMC5361R6GTR Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० पायल @ २०.६ सिन्ट 27 वी 5 ओम
BZD17C120P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P RFG -
सराय
 ECAD 3877 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 91 वी 120 वी 300 ओम
BZT52C68 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68 RHG 0.0453
सराय
 ECAD 4551 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 45 NA @ 47.6 V 68 वी 240 ओम
PU4BCH Taiwan Semiconductor Corporation Pu4bch 0.7100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 930 mV @ 4 ए 25 एनएस 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 78pf @ 4v, 1MHz
BZT55C6V2 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V2 L0G 0.0350
सराय
 ECAD 5045 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gapa @ 2 वी 6.2 वी 10 ओम
TSOD1F8HM RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSOD1F8HM RVG -
सराय
 ECAD 1077 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F Tsod1 तमाम एस एस -123 fl तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 4pf @ 4v, 1MHz
BZD27C20PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20PHR3G -
सराय
 ECAD 3958 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15 वी 20 वी 15 ओम
MBRF760 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF760 C0G -
सराय
 ECAD 8291 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से TO-220-2 MBRF760 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 mV @ 7.5 ए 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
1N4758G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4758G 0.0627
सराय
 ECAD 8251 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4758 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-1N4758GTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 42.6 V 56 वी 110 ओम
BZV55B68 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B68 L0G 0.0357
सराय
 ECAD 5316 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 51 वी 68 वी 160 ओम
SFA1008GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1008GHC0G -
सराय
 ECAD 6993 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SFA1008 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 10 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1PGSMA160Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA160Z R3G -
सराय
 ECAD 3945 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1PGSMA160 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 .A @ 121.6 V 160 वी 1100 ओम
1N4753G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4753G B0G -
सराय
 ECAD 7140 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4753 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 27.4 V 36 वी 50 ओम
1SMA4747HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4747HR3G -
सराय
 ECAD 9064 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4747 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 15.2 V 20 वी 22 ओम
UG6005PTH Taiwan Semiconductor Corporation UG6005PTH 2.7870
सराय
 ECAD 5082 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 UG6005 तमाम To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-UG6005PTH Ear99 8541.10.0080 900 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 60 ए 1.25 वी @ 30 ए 25 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZD27C15P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P RHG -
सराय
 ECAD 2545 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 14.7 वी 10 ओम
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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