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अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
F1T5GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation F1t5gha1g -
सराय
 ECAD 9569 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun F1t5 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
SR002 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR002 R0G -
सराय
 ECAD 9652 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut SR002 schottky DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 550 एमवी @ 500 एमए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 110pf @ 4v, 1MHz
BZD27C7V5P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5P RVG -
सराय
 ECAD 8414 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 50 µa @ 3 वी 7.45 वी 2 ओम
HER108G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER108G B0G -
सराय
 ECAD 6560 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Her108 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
HER3003PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER3003PT C0G -
सराय
 ECAD 7345 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-247-3 HER3003 तमाम To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 30 ए 1 वी @ 15 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MUR440 B0G Taiwan Semiconductor Corporation Mur440 b0g -
सराय
 ECAD 3934 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun सिया 440 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.28 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
BZT55B16 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B16 L1G -
सराय
 ECAD 2486 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 12 वी 16 वी 40 ओम
HER1008G Taiwan Semiconductor Corporation HER1008G 0.5559
सराय
 ECAD 1983 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 HER1008 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 10 ए 1.7 वी @ 5 ए 80 एनएस 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
SS115 R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS115 R3G 0.4700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SS115 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 1 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
BZD27C15PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PHMTG -
सराय
 ECAD 2271 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 14.7 वी 10 ओम
ES1GLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Es1glhrtg -
सराय
 ECAD 3496 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1g तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
1N5243B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5243B A0G -
सराय
 ECAD 3553 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% 100 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5243 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 10 वी 13 वी 13 ओम
BZX585B43 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B43 RSG 0.0476
सराय
 ECAD 1126 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ४५ सदा 43 वी 150 ओम
S10JC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S10JC V7G 0.8100
सराय
 ECAD 99 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S10J तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 10 ए 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 60pf @ 4v, 1MHz
ZM4741A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4741A L0G 0.0830
सराय
 ECAD 2542 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ab, melf ZM4741 1 डब Melf तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 8.4 V 11 वी 8 ओम
BZT52B2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V7 0.0412
सराय
 ECAD 1573 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52B ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B2V7TR Ear99 8541.10.0050 6,000 1 वी @ 10 एमए 18 @a @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
1N4754A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754A B0G -
सराय
 ECAD 7889 0.00000000 तमाम - थोक Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4754 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 5 @a @ 29.7 V 39 वी 60 ओम
MBR3050CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3050CTHC0G -
सराय
 ECAD 7648 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR3050 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 30 ए 770 mV @ 15 ए 200 @a @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
SF67GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF67GHR0G -
सराय
 ECAD 7410 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF67 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.7 वी @ 6 ए 35 एनएस 5 @a @ 500 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 50pf @ 4v, 1MHz
BZT55B10 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B10 L0G 0.0385
सराय
 ECAD 2772 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
BZD27C68P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68P RFG -
सराय
 ECAD 9999 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
1N4744A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4744A R1G -
सराय
 ECAD 1637 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4744 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 11.4 V 15 वी 14 ओम
MBRS1060HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1060HMNG -
सराय
 ECAD 2473 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS1060 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 950 mV @ 10 ए 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए -
BZT52B56 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B56 RHG 0.0453
सराय
 ECAD 5658 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52B ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 45 NA @ 39.2 V 56 वी 200 ओम
BZD27C39PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39PWH 0.6600
सराय
 ECAD 349 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोड -123W BZD27 1 डब सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 30 V 39 वी 40 ओम
SKL13B Taiwan Semiconductor Corporation Skl13b 0.1470
सराय
 ECAD 1152 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB SKL13 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 390 mV @ 1 ए 200 µa @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
SK320AH Taiwan Semiconductor Corporation SK320AH 0.1251
सराय
 ECAD 2386 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SK320 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 3 ए 100 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
2M200ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m200zha0g -
सराय
 ECAD 3099 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M200 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 ५०० पायल @ १५२ वी 200 वी 900 ओम
TST10H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TST10H120CW 1.2930
सराय
 ECAD 6716 0.00000000 तमाम - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 TST10 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 120 वी 790 mV @ 5 ए 100 µa @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
SS25L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS25L RQG -
सराय
 ECAD 3029 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS25 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 2 ए 400 @a @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
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AD9208BBPZ-3000

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