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अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SS210 Taiwan Semiconductor Corporation SS210 0.0990
सराय
 ECAD 7412 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB SS210 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 2 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
1N4933G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933G R0G -
सराय
 ECAD 8268 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4933 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.2 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
1SMA4760 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4760 0.0935
सराय
 ECAD 6728 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4760 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1 @a @ 51.7 V 68 वी 150 ओम
HS2AA Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA 0.2228
सराय
 ECAD 2811 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम DO-214AC (SMA) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-HS2AATR Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1.5 ए 50 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 50pf @ 4v, 1MHz
SRA10100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA10100HC0G -
सराय
 ECAD 2489 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SRA10100 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 10 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
BZT55B13 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B13 L0G 0.0385
सराय
 ECAD 6963 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 10 वी 13 वी 26 ओम
BA157GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Ba157gha0g -
सराय
 ECAD 2954 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BA157 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
HS1AL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL RVG 0.6500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab HS1A तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
UDZS10B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS10B RRG -
सराय
 ECAD 2288 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZS10 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 180 पायल @ 7 वी 10 वी 20 ओम
GBL206H Taiwan Semiconductor Corporation GBL206H 0.4061
सराय
 ECAD 8488 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, जीबीएल GBL206 तमाम जीबीएल तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-GBL206H Ear99 8541.10.0080 1,200 1 वी @ 2 ए 5 µA @ 800 V 2 ए सिंगल फेज़ 800 वी
UGF8JD Taiwan Semiconductor Corporation UGF8JD -
सराय
 ECAD 1940 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 तमाम ITO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-UGF8JD Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.3 वी @ 8 ए 30 एनएस 500 NA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
ES1BFSH Taiwan Semiconductor Corporation ES1BFSH 0.1131
सराय
 ECAD 5391 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 तमाम सोद -128 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-ES1BFSHTR Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 18pf @ 4v, 1MHz
SR809 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR809 R0G -
सराय
 ECAD 8625 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SR809 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 920 mV @ 8 ए 100 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
BAS21A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS21A RFG 0.0523
सराय
 ECAD 6351 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas21 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 250 वी 200MA 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMA4747HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4747HR3G 0.4300
सराय
 ECAD 500 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1PGSMA4747 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15.2 V 20 वी 22 ओम
2A03GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2a03gha0g -
सराय
 ECAD 3651 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2A03 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 2 ए 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 15pf @ 4v, 1MHz
TSP10U60S Taiwan Semiconductor Corporation TSP10U60S 1.2100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन TSP10 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 540 mV @ 10 ए 300 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
S1JL RQG Taiwan Semiconductor Corporation S1JL RQG -
सराय
 ECAD 5409 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab एस 1 जे तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
BZT55B4V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B4V3 L0G 0.0385
सराय
 ECAD 8770 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 1 µA @ 1 वी 4.3 वी 75 ओम
1PGSMB5952 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5952 R5G -
सराय
 ECAD 1368 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 1pgsmb5952 3 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 1 µA @ 98.8 V 130 वी 450 ओम
SF45G Taiwan Semiconductor Corporation SF45G 0.2688
सराय
 ECAD 1911 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF45 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 4 ए 35 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 80pf @ 4v, 1MHz
TSD2G R5G Taiwan Semiconductor Corporation TSD2G R5G 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB TSD2 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
SK56BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK56BHR5G -
सराय
 ECAD 4841 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB SK56 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
S3AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S3ahm6g -
सराय
 ECAD 3497 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC एस 3 ए तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.15 वी @ 3 ए 1.5 µs 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 30pf @ 4v, 1MHz
1N4002G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002G B0G -
सराय
 ECAD 9532 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4002 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 1 ए 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
3A100 Taiwan Semiconductor Corporation 3A100 0.0977
सराय
 ECAD 1282 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 3A100 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 3 ए 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 27pf @ 4v, 1MHz
1M120Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M120Z R1G -
सराय
 ECAD 7129 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1M120 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 91.2 V 120 वी 550 ओम
LSR103 L0 Taiwan Semiconductor Corporation LSR103 L0 -
सराय
 ECAD 2779 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ab, melf schottky Melf - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-LSR103L0TR Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 1 ए 1 पायल @ 30 वी -65 ° C ~ 125 ° C 1 क 110pf @ 4v, 1MHz
SF1606G Taiwan Semiconductor Corporation SF1606G 0.6461
सराय
 ECAD 2075 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 SF1606 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 8 ए 35 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए 60pf @ 4v, 1MHz
TSZU52C2V7 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V7 RGG 0.0669
सराय
 ECAD 3993 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) Tszu52 १५० तंग 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 75 µA @ 1 वी 2.7 वी 83 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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