SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BAT54T Taiwan Semiconductor Corporation BAT54T 0.1224
सराय
ECAD 4193 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAT54 schottky एसओटी -363 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAT54TTR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 30 वी 200MA 1 वी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी -55 ° C ~ 125 ° C
RS1AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1ahr3g -
सराय
ECAD 4386 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA रत्न तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
ES1CLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es1clhr3g -
सराय
ECAD 2445 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1c तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
S3B V6G Taiwan Semiconductor Corporation S3B V6G -
सराय
ECAD 1700 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC एस 3 बी तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.5 µs 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
BZD27C27PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHRUG 0.2933
सराय
ECAD 8368 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 20 वी 27 वी 15 ओम
HS3G M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3G M6G -
सराय
ECAD 1278 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC Hs3g तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 80pf @ 4v, 1MHz
SR1650PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1650PTHC0G -
सराय
ECAD 6757 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SR1650 schottky To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 16 ए 700 एमवी @ 8 ए 500 µA @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZX55B47 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B47 A0G -
सराय
ECAD 8568 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 35 वी 47 वी 110 ओम
1N4764A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764A 0.1118
सराय
ECAD 8696 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4764 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 76 V 100 वी 350 ओम
ES3DV M6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV M6G -
सराय
ECAD 1110 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3D तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 20 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
UDZS22B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS22B 0.0499
सराय
ECAD 7481 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZS22 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-UDZS22BTR Ear99 8541.10.0050 3,000 45 पायल @ 17 वी 22 वी 80 ओम
TS4148C RCG Taiwan Semiconductor Corporation TS4148C RCG 0.3000
सराय
ECAD 89 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) TS4148 तमाम 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1.25 वी @ 100 एमए 5 @a @ 75 वी -55 ° C ~ 150 ° C 100ma 4pf @ 0v, 1MHz
BZX84C15 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C15 RFG 0.0511
सराय
ECAD 9351 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gay @ 10.5 वी 15 वी 30 ओम
ESH3C R7G Taiwan Semiconductor Corporation ESH3C R7G -
सराय
ECAD 5272 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC Esh3 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 3 ए 20 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
BZD27C20P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20P RQG -
सराय
ECAD 2119 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15 वी 20 वी 15 ओम
MBRS10H200CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10H200CTH 0.7126
सराय
ECAD 6392 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS10 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBRS10H200CTHTR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 970 mV @ 10 ए 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
BZD27C39PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39PHRUG -
सराय
ECAD 7934 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 30 V 39 वी 40 ओम
BZX79B2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V7 0.0322
सराय
ECAD 5595 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX79 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX79B2V7TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 100 एमए 1 सना हुआ @ 75 वी 2.7 वी 100 ओम
1N4757A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4757A A0G -
सराय
ECAD 4523 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4757 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 38.8 V 51 वी 95 ओम
BZV55B68 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B68 0.0357
सराय
ECAD 1576 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZV55B68TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 51 वी 68 वी 160 ओम
BZD17C68P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C68P RHG -
सराय
ECAD 4594 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
S12GC R6 Taiwan Semiconductor Corporation S12GC R6 -
सराय
ECAD 6881 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-S12GCR6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 12 ए 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 12 ए 78pf @ 4v, 1MHz
SS215L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS215L R3G -
सराय
ECAD 3370 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS215 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 2 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
BZD27C13PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13PHRFG -
सराय
ECAD 1604 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 2 @a @ 10 वी 13.25 वी 10 ओम
BZD17C36P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36P MQG -
सराय
ECAD 5302 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 27 V 36 वी 40 ओम
BZD27C100PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100PHM2G -
सराय
ECAD 6186 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 75 V 100 वी 200 ओम
1N4757A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4757A B0G -
सराय
ECAD 3610 0.00000000 तमाम - थोक Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4757 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 38.8 V 51 वी 95 ओम
SS13LS RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS13LS RVG 0.0905
सराय
ECAD 5229 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-123h SS13 schottky Sod-123he तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 1 ए 400 @a @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1 क 80pf @ 4v, 1MHz
BZX584B8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B8V2 0.0639
सराय
ECAD 3614 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584 १५० तंग Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX584B8V2TR Ear99 8541.10.0050 104,000 700 पायल @ 5 वी 8.2 वी 15 ओम
MBR3090PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3090PT C0G -
सराय
ECAD 1521 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 MBR3090 schottky To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 30 ए 500 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम