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अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
TSN525M60H Taiwan Semiconductor Corporation TSN525M60H 1.2098
सराय
 ECAD 1816 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 8 नताया TSN525 schottky 8-PDFN (5.2x5.7) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSN525M60HTR Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 630 mV @ 25 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 25 ए -
S2DFS Taiwan Semiconductor Corporation S2DFS 0.0627
सराय
 ECAD 4529 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 तमाम सोद -128 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-S2DFSTR Ear99 8541.10.0080 28,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 2 ए 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 12pf @ 4v, 1MHz
ES2GFL Taiwan Semiconductor Corporation ES2GFL 0.0954
सराय
 ECAD 8845 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F तमाम सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-ES2GFLTR Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 2 ए 35 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 15pf @ 4v, 1MHz
1N4728G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4728G R0G 0.0627
सराय
 ECAD 9159 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4728 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 100 µA @ 1 वी 3.3 वी 10 ओम
1N4007GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4007GH 0.0511
सराय
 ECAD 7708 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4007 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1 वी @ 1 ए 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
HER301G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HER301G R0G -
सराय
 ECAD 6003 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun HER301 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
RS3DB-T Taiwan Semiconductor Corporation Rs3db-t 0.1686
सराय
 ECAD 2945 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RS3DB-TTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 3 ए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1N4148W Taiwan Semiconductor Corporation 1N4148W 0.0283
सराय
 ECAD 9460 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F 1N4148 तमाम सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-1N4148WTR Ear99 8541.10.0080 9,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1 वी @ 100 एमए 4 एनएस 5 @a @ 75 वी -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0v, 1MHz
BZD27C56P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56P RTG -
सराय
 ECAD 7465 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 43 वी 56 वी 60 ओम
BZD27C200P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200P 0.3150
सराय
 ECAD 7272 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 150 V 200 वी 750 ओम
SS36L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS36L MTG -
सराय
 ECAD 4717 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS36 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZX85C43 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C43 R0G 0.0645
सराय
 ECAD 6898 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 10 एमए ५०० सवार @ ३० वी 43 वी 50 ओम
TSZU52C15 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C15 RGG 0.0669
सराय
 ECAD 1703 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) Tszu52 १५० तंग 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 11 वी 15 वी 30 ओम
BZS55C11 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C11 0.0343
सराय
 ECAD 2145 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZS55C11TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 8.2 वी 11 वी 20 ओम
ES2BH Taiwan Semiconductor Corporation ES2BH -
सराय
 ECAD 8180 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB तमाम DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-ES2BHTR Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
MTZJ6V8SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ6V8SB R0G 0.0305
सराय
 ECAD 4444 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj6 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 2 µa @ 3.5 V 6.66 वी 20 ओम
BZX85C43 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C43 0.0645
सराय
 ECAD 2170 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX85C43TR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 10 एमए ५०० सवार @ ३० वी 43 वी 50 ओम
MBR4060PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR4060PT 1.9936
सराय
 ECAD 6444 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 MBR4060 schottky To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 40 ए 1 पायल @ 60 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C180PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PHRUG 0.3075
सराय
 ECAD 4384 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 130 V 179.5 वी 450 ओम
BZD27C180PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PWH 0.5200
सराय
 ECAD 660 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोड -123W BZD27 1 डब सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 130 V 180 वी 450 ओम
BZV55C18 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C18 L1G -
सराय
 ECAD 9928 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 13 वी 18 वी 50 ओम
SF21GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21GHB0G -
सराय
 ECAD 9807 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SF21 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 40pf @ 4v, 1MHz
1N4001G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G R0G 0.5000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4001 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1 ए 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
RS1DLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1DLW RVG 0.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W RS1D तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क -
SS215L Taiwan Semiconductor Corporation SS215L 0.3015
सराय
 ECAD 4657 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 SS215 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SS215LTR Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 850 mV @ 2 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
SS32 R6G Taiwan Semiconductor Corporation SS32 R6G -
सराय
 ECAD 5150 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SS32R6GTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
ESH2C R5G Taiwan Semiconductor Corporation ESH2C R5G -
सराय
 ECAD 4408 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB Esh2 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 2 ए 20 एनएस 2 @a @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
ES1JLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Es1jlhrug 0.2603
सराय
 ECAD 3791 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1j तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
S10MC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S10MC R6G -
सराय
 ECAD 9212 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-S10MCR6GTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 10 ए 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 60pf @ 4v, 1MHz
BZV55B3V6 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V6 L1G -
सराय
 ECAD 1903 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 100 एमए 2 @a @ 1 वी 3.6 वी 85 ओम
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  • Standard Product Unit

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    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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