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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
S1BLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation S1BLHRTG -
सराय
ECAD 9643 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab एस 1 बी तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
SFA1004GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1004GHC0G -
सराय
ECAD 2063 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SFA1004 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 975 mV @ 10 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 70pf @ 4v, 1MHz
TSPB5H100S Taiwan Semiconductor Corporation TSPB5H100S 0.9900
सराय
ECAD 18 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन TSPB5 schottky Smpc4.0 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 660 mV @ 5 ए 150 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
SS22H Taiwan Semiconductor Corporation SS22H -
सराय
ECAD 5899 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB schottky DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SS22HTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 2 ए 400 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 2 ए -
MTZJ5V6SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V6SA R0G 0.0305
सराय
ECAD 9297 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj5 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 2.5 V 5.42 वी 60 ओम
BZX55B3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B3V9 0.0301
सराय
ECAD 9243 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX55B3V9TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 2 @a @ 1 वी 3.9 वी 85 ओम
1N4936GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936GH 0.0613
सराय
ECAD 7415 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4936 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
HERAF1005G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf1005g -
सराय
ECAD 2327 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 तमाम ITO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-heraf1005g Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 10 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 80pf @ 4v, 1MHz
MBR1645H Taiwan Semiconductor Corporation MBR1645H -
सराय
ECAD 5131 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 schottky TO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MBR1645H Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 630 mV @ 16 ए 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
ES1FL RUG Taiwan Semiconductor Corporation Es1fl 0.2408
सराय
ECAD 2153 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1f तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8PF @ 1V, 1MHz
SFA803G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA803G C0G -
सराय
ECAD 5734 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SFA803 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 975 mV @ 8 ए 35 एनएस 10 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 100pf @ 4v, 1MHz
BZT52C15K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C15K 0.0474
सराय
ECAD 7721 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZT52C 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C15KTR Ear99 8541.10.0050 6,000 100 gaba @ 11 वी 15 वी 30 ओम
BZX584B3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B3V9 0.0790
सराय
ECAD 3063 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584 १५० तंग Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX584B3V9TR Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 1 वी 3.9 वी 90 ओम
1N4007GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4007GH 0.0511
सराय
ECAD 7708 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4007 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1 वी @ 1 ए 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
1N4743G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4743G 0.0627
सराय
ECAD 8291 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4743 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-1N4743GTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 9.9 V 13 वी 10 ओम
MMSZ5259B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5259B RHG 0.0433
सराय
ECAD 2904 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F MMSZ5259 ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 30 वी 39 वी 80 ओम
MTZJ20SD Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ20SD 0.0305
सराय
ECAD 1668 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJ20 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ20SDTR Ear99 8541.10.0050 10,000 200 सवार @ 15 वी 20.22 वी 55 ओम
HERA803G Taiwan Semiconductor Corporation Hera803g -
सराय
ECAD 4539 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 तमाम TO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-HERA803G Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 8 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 65pf @ 4v, 1MHz
SK810CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Sk810chm6g -
सराय
ECAD 5591 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC SK810 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 900 एमवी @ 8 ए 500 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
BZD27C36P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P 0.1101
सराय
ECAD 9990 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.56% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD27C36PTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 27 V 36 वी 40 ओम
SF61GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF61GHR0G -
सराय
ECAD 5878 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF61 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 975 mV @ 6 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 100pf @ 4v, 1MHz
RS3G Taiwan Semiconductor Corporation RS3G 0.1648
सराय
ECAD 6348 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC RS3G तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 150 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
SRA10100 Taiwan Semiconductor Corporation SRA10100 -
सराय
ECAD 7679 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 schottky TO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SRA10100 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 10 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
BZD27C100PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100PHMQG -
सराय
ECAD 9280 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 75 V 100 वी 200 ओम
BZD27C120P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P RHG -
सराय
ECAD 4900 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 91 वी 120.5 वी 300 ओम
BZD17C36PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36PH 0.2790
सराय
ECAD 9162 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD17 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD17C36PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 27 V 36 वी 40 ओम
BZD17C13PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C13PH 0.2790
सराय
ECAD 1167 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD17 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD17C13PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 200 एमए 2 @a @ 10 वी 13 वी 10 ओम
SF37GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF37GHA0G -
सराय
ECAD 4037 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF37 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.7 वी @ 3 ए 35 एनएस 5 @a @ 500 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
BZX585B5V1 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B5V1 RSG 0.0476
सराय
ECAD 8170 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX585B5 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1.8 µA @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
BZT52C3V3-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V3-G 0.0445
सराय
ECAD 3549 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52C ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C3V3-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम