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स्यांत्र (390)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
WNS40H100CQ WeEn Semiconductors WNS40H100CQ 1.5700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 WNS40 schottky To-220e तंग रोहस अफ़मार तंग 934072049127 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 710 mV @ 20 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WB75FC65ALZ WeEn Semiconductors WB75FC65ALZ 1.2113
सराय
 ECAD 2969 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur शराबी WB75 तमाम एक प्रकार का होना - Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 650 वी 2.75 वी @ 75 ए 50 एनएस 10 µA @ 650 V 175 ° C 75 ए -
BYR16W-1200Q WeEn Semiconductors BYR16W-1200Q 1.4871
सराय
 ECAD 2592 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Byr16 तमाम से 247-2 तंग 1 (असीमित) 934067917127 Ear99 8541.10.0080 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 2.7 वी @ 16 ए 105 एनएस 100 µA @ 1200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 16 ए -
WDMF75M16T WeEn Semiconductors WDMF75M16T 25.7984
सराय
 ECAD 2484 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) अँगुला कांपना WDMF75 तमाम WMM01 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8 1.25 वी @ 75 ए 50 µA @ 1600 वी 75 ए तीन फ़ेज़ 1.6 केवी
BYQ28E-200E,127 WeEn Semiconductors BYQ28E-200E, 127 0.7200
सराय
 ECAD 4801 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 BYQ28 तमाम टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 1.25 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYW29ED-200,118 WeEn Semiconductors BYW29ED-200,118 1.0400
सराय
 ECAD 112 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BYW29 तमाम डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 20 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
BYV30-600PQ WeEn Semiconductors BYV30-600PQ 0.9405
सराय
 ECAD 2050 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYV30 तमाम TO-220AC तंग 1 (असीमित) 934071198127 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 30 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30 ए -
MUR560J WeEn Semiconductors Mur560j 0.4500
सराय
 ECAD 18 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC Mur560 तमाम एसएमसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.35 वी @ 5 ए 64 एनएस 3 µa @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
NXPSC20650WQ WeEn Semiconductors NXPSC20650WQ -
सराय
 ECAD 3444 0.00000000 तिहाई - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-247-3 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग 1 (असीमित) 934070881127 Ear99 8541.10.0080 240 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 20 ए 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 250 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYW29EX-200,127 WeEn Semiconductors BYW29EX-200,127 1.1600
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYW29 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 V @ 8 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए -
WNSC12650WQ WeEn Semiconductors WNSC12650WQ 2.5579
सराय
 ECAD 4943 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC1 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार तंग 1740-WNSC12650WQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 12 ए 0 एनएस 60 @a @ 650 V 175 ° C 12 ए 328PF @ 1V, 1MHz
BYV10X-600PQ WeEn Semiconductors BYV10X-600PQ 0.7600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब Byv10 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 10 ए 20 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
BYC20-600,127 WeEn Semiconductors BYC20-600,127 0.8580
सराय
 ECAD 2011 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC20 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 20 ए 55 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
NXPSC08650B6J WeEn Semiconductors Nxpsc08650b6j 4.8600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) D2PAK तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
BYQ72EK-200Q WeEn Semiconductors BYQ72EK-200Q 1.0905
सराय
 ECAD 3189 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 BYQ72 तमाम टू -3 पी तंग 1 (असीमित) 934068786127 Ear99 8541.10.0080 450 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 15 ए 900 mV @ 15 ए 25 एनएस 20 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYV32EB-200PJ WeEn Semiconductors Byv32eb-200pj 0.4950
सराय
 ECAD 3409 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYV32 तमाम D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934072017118 Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 1.15 वी @ 20 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYV25X-600,127 WeEn Semiconductors BYV25X-600,127 0.3795
सराय
 ECAD 6217 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYV25 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 5 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
NXPSC08650BJ WeEn Semiconductors NXPSC08650BJ -
सराय
 ECAD 1864 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) D2PAK तंग 1 (असीमित) 934070004118 Ear99 8541.10.0080 800 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
WN3S40100CQ WeEn Semiconductors WN3S40100CQ 0.8900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 WN3S40 schottky टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 780 mV @ 20 ए 50 µa @ 100 वी 150 ° C
NXPSC10650B6J WeEn Semiconductors NXPSC10650B6J 6.0600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) D2PAK तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 250 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 300pf @ 1V, 1MHz
BYC75W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYC75W-600PT2Q 2.8800
सराय
 ECAD 600 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 तमाम से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira तंग 1740-BYC75W-600PT2Q Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.75 वी @ 75 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 75 ए -
BYC10DX-600,127 WeEn Semiconductors BYC10DX-600,127 0.9700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC10 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.5 वी @ 10 ए 18 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
BYV415J-600PQ WeEn Semiconductors BYV415J-600PQ 1.2375
सराय
 ECAD 1012 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 3PFM, SC-93-3 BYV415 - से 3PF तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934071203127 Ear99 8541.10.0080 480 - - - -
WNSC2D20650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CWQ 5.1300
सराय
 ECAD 480 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC2D20650CWQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 20 ए 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C
WNSC5D086506Q WeEn Semiconductors WNSC5D086506Q -
सराय
 ECAD 4911 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D086506Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए 267PF @ 1V, 1MHz
BYV5ED-600PJ WeEn Semiconductors BYV5ED-600PJ 0.4500
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 तमाम डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.8 वी @ 5 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 5 ए -
BYC10B-600,118 WeEn Semiconductors BYC10B-600,118 0.5445
सराय
 ECAD 4641 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYC10 तमाम D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 10 ए 55 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
BYQ28X-200,127 WeEn Semiconductors BYQ28X-200,127 0.8600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYQ28 तमाम To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 1.25 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYC75W-600PQ WeEn Semiconductors BYC75W-600PQ 3.6400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 BYC75 तमाम से 247-2 तंग 1 (असीमित) 934069883127 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.75 वी @ 75 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 75 ए -
WN3S20H150CXQ WeEn Semiconductors WN3S20H150CXQ 0.7900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक WN3S20 schottky To-220f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 1.1 वी @ 10 ए 50 µa @ 150 V 150 ° C
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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

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